[發(fā)明專利]制造溝槽型功率器件的方法

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201410465853.2
• 申請日: 2014-09-12
• 公開（公告）號: CN105470138A
• 公開（公告）日: 2016-04-06
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 沈思杰
• 申請（專利權(quán)）人: 上海華虹宏力半導(dǎo)體制造有限公司
• 主分類號: H01L21/336
• 分類號: H01L21/336;H01L29/78
• 代理公司: 上海思微知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 31237
• 代理人: 鄭瑋

1.一種制造溝槽型功率器件的方法，其特征在于包括：

第一步驟：在襯底執(zhí)行阱區(qū)注入，隨后在阱區(qū)上形成硬掩模的圖案，并且在硬掩模圖案兩側(cè)形成側(cè)墻，此后利用形成有側(cè)墻的硬掩模圖案作為掩模執(zhí)行刻蝕從而在襯底中形成器件區(qū)凹槽和端區(qū)凹槽；然后沉積多晶硅材料，從而在器件區(qū)凹槽中填充多晶硅材料，并且在端區(qū)凹槽的側(cè)壁上形成保護(hù)環(huán)；

第二步驟：去除側(cè)墻，并且利用去除了側(cè)墻的硬掩模圖案作為掩模執(zhí)行離子注入，從而在器件區(qū)凹槽的兩側(cè)以及端區(qū)凹槽的一側(cè)形成重?fù)诫s區(qū)；

第三步驟：在第二步驟之后得到的結(jié)構(gòu)上沉積氧化物層，并對氧化物層進(jìn)行刻蝕從而使得器件區(qū)凹槽中的需要在表面形成接觸孔的第一凹槽上形成被器件區(qū)氧化物打開的開口，而在不需要在表面形成接觸孔的第二凹槽上不形成被器件區(qū)氧化物打開的開口；

第四步驟：去除硬掩模圖案，從而在器件區(qū)氧化物中形成由于硬掩模圖案的去除而形成的接觸區(qū)凹槽。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制造溝槽型功率器件的方法，其特征在于還包括第五步驟，用于在開口和接觸區(qū)凹槽中填充金屬從而形成導(dǎo)電的接觸孔。

3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的制造溝槽型功率器件的方法，其特征在于，所述硬掩模的材料是氮化硅。

4.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的制造溝槽型功率器件的方法，其特征在于，所述襯底是硅襯底。

5.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的制造溝槽型功率器件的方法，其特征在于，在第三步驟之后，保護(hù)環(huán)被端區(qū)氧化物覆蓋。