[發(fā)明專利]過(guò)孔制作方法、陣列基板制作方法及陣列基板、顯示裝置

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201410465232.4
• 申請(qǐng)日: 2014-09-12
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN104299942A
• 公開(kāi)（公告）日: 2015-01-21
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 閻長(zhǎng)江;盧凱;郭建;謝振宇
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 京東方科技集團(tuán)股份有限公司;北京京東方光電科技有限公司
• 主分類號(hào): H01L21/768
• 分類號(hào): H01L21/768;H01L21/77;H01L23/538
• 代理公司: 北京同達(dá)信恒知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11291
• 代理人: 黃志華

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種過(guò)孔制作方法、陣列基板制作方法及陣列基板、顯示裝置。

背景技術(shù)

參照?qǐng)D1和圖2所示，目前顯示裝置的陣列基板的基本結(jié)構(gòu)通常包括：由下至上依次設(shè)置的襯底基板1、柵極2和柵線2’、柵絕緣層3、有源材料層5、源極6a、漏極6b及數(shù)據(jù)線6’、保護(hù)層7、第一鈍化層8、公共電極10’、第二鈍化層11、像素電極。通常需要經(jīng)過(guò)八次構(gòu)圖工藝才能完成陣列基板的制作，其中包括刻蝕形成不同層設(shè)置的電極之間導(dǎo)電用過(guò)孔。

然而，由于不同層的材質(zhì)不同，刻蝕形成透過(guò)至少兩層的過(guò)孔的過(guò)程中，極易導(dǎo)致在同一刻蝕工藝下因橫向刻蝕速率不同而造成過(guò)孔的倒角不良(如圖2所示)，從而造成電學(xué)性能下降。尤其是像素電極和漏極(或者源極)導(dǎo)電搭接處的過(guò)孔需要穿透溝道保護(hù)層、第一鈍化層和第二鈍化層，而溝道保護(hù)層的材質(zhì)通常為氮化硅，第一鈍化層的材質(zhì)通常為感光樹(shù)脂等，第二鈍化層的材質(zhì)通常為低溫氮化硅等，上述三種材料在同一刻蝕工藝下的橫向刻蝕速率明顯不同而造成過(guò)孔的倒角不良，使得像素電極與漏極(或者源極)的接觸不良而帶來(lái)顯示屏的常亮點(diǎn)、暗點(diǎn)、隔行明暗交替等像素顯示異常的問(wèn)題。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明的目的是提供一種過(guò)孔制作方法、陣列基板制作方法及陣列基板、顯示裝置，用以防止在制作過(guò)孔時(shí)形成倒角，以提高產(chǎn)品質(zhì)量并改善顯示裝置的顯示效果。

本發(fā)明首先提供一種過(guò)孔制作方法，包括

采用第一刻蝕工藝對(duì)電極上方需要形成過(guò)孔的區(qū)域的頂層膜層進(jìn)行部分刻蝕，其中采用第一刻蝕工藝的豎直刻蝕量小于頂層膜層的厚度；

采用豎直刻蝕速率大于橫向刻蝕速率的第二刻蝕工藝對(duì)需要形成過(guò)孔區(qū)域中的剩余部分進(jìn)行刻蝕至漏出所述電極。

采用本技術(shù)方案提供的包括兩個(gè)步驟的過(guò)孔制作方法制作過(guò)孔，能夠有效地防止在過(guò)孔處形成倒角，從而使得電極之間的接觸較為可靠，有效地改善了電學(xué)性能，提高了產(chǎn)品質(zhì)量；并且由于在過(guò)孔制作過(guò)程中，僅僅在采用第一刻蝕工藝時(shí)橫向刻蝕速率較為明顯，而采用第二刻蝕工藝時(shí)橫向刻蝕速率較小，豎直刻蝕占主導(dǎo)作用，因此，制作完成的過(guò)孔較小，尤其當(dāng)該實(shí)施例提供的過(guò)孔制作方法應(yīng)用于陣列基板的制作時(shí)，能夠節(jié)省更多的空間，從而提高開(kāi)口率，增大像素密度，大大地改善具有該陣列基板產(chǎn)品的顯示效果。

優(yōu)選的，所述采用第一刻蝕工藝的豎直刻蝕量小于頂層膜層的厚度具體為：

采用第一刻蝕工藝的豎直刻蝕量為頂層膜層的厚度的百分之七十。

優(yōu)選的，所述采用豎直刻蝕速率大于橫向刻蝕速率的第二刻蝕工藝對(duì)需要形成過(guò)孔區(qū)域中的剩余部分進(jìn)行刻蝕至漏出所述電極具體包括：

采用豎直刻蝕速率與橫向刻蝕速率的比值不小于3的第二刻蝕工藝對(duì)需要形成過(guò)孔區(qū)域中的剩余部分進(jìn)行刻蝕至漏出所述電極。

本發(fā)明還提供一種陣列基板的制作方法，包括：

由下至上依次在襯底基板上形成包括柵線和柵極的圖形的金屬層、柵極絕緣層和有源層；

形成包括源極和漏極圖形的金屬層；

形成覆蓋基板的保護(hù)層和包括位于漏極上方漏出保護(hù)層的第一過(guò)孔的第一鈍化層；

形成包括第一電極的圖形的金屬層；

形成第二鈍化層；所述陣列基板的制作方法還包括以下步驟：

采用前述任一技術(shù)方案所述的過(guò)孔制作方法在第二鈍化層上制作位于所述漏極上方的第二過(guò)孔；

形成包括第二電極的圖形的金屬層，實(shí)現(xiàn)相應(yīng)電極圖形之間的電連接。

由于陣列基板的制作方法采用上述任一種過(guò)孔的制作方法，因此本技術(shù)方案提供的陣列基板的制作方法也具有上述有益效果。

本發(fā)明還提供一種采用上述陣列基板的制作方法制作的陣列基板，該陣列基板的電學(xué)性能較好，產(chǎn)品質(zhì)量較高，具有較高的像素密度，且應(yīng)用于顯示裝置時(shí)使得顯示裝置具有較高的開(kāi)口率，大大地改善了顯示效果。

本發(fā)明還提供一種顯示裝置，包括上述任一種陣列基板。該顯示裝置的開(kāi)口率較高，進(jìn)而提高背光源的利用率，提高產(chǎn)品的顯示亮度，降低功耗，尤其對(duì)于高分辨率的顯示裝置，上述有益效果尤為明顯；并且由于陣列基板的電學(xué)性能較好，因此能夠有效地改善顯示裝置的顯示效果。

附圖說(shuō)明

圖1為現(xiàn)有的一種陣列基板在制作完成第二鈍化層及其過(guò)孔后的俯視結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2為圖1示出的陣列基板中A-A處的截面結(jié)構(gòu)示意圖；

圖3為本發(fā)明提供的過(guò)孔制作方法一實(shí)施例的流程示意圖；

圖4為本發(fā)明提供的陣列基板的制作方法一實(shí)施例的流程示意圖；