[發明專利]中介板及其制法

在審

• 申請號: 201410460338.5
• 申請日: 2014-09-11
• 公開（公告）號: CN105374798A
• 公開（公告）日: 2016-03-02
• 發明（設計）人: 張文璟;林健民;吳柏毅;盧俊宏
• 申請（專利權）人: 矽品精密工業股份有限公司
• 主分類號: H01L23/538
• 分類號: H01L23/538;H01L23/498;H01L21/48
• 代理公司: 北京戈程知識產權代理有限公司 11314
• 代理人: 程偉;王錦陽

技術領域

本發明涉及一種中介板，尤指一種用于半導體封裝件的中介板及其制法。

背景技術

隨著電子產業的蓬勃發展，電子產品也逐漸邁向多功能、高性能的趨勢。目前應用于晶片封裝領域的技術，例如晶片尺寸構裝(ChipScalePackage,CSP)、晶片直接貼附封裝(DirectChipAttached,DCA)或多晶片模組封裝(Multi－ChipModule,MCM)等覆晶型態的封裝模組、或將晶片立體堆迭化整合為三維積體電路(3DIC)晶片堆迭技術等。

圖1為現有3D晶片堆迭的半導體封裝件的制法的剖面示意圖。如圖1所示，提供一硅中介板(ThroughSiliconinterposer,TSI)1，該硅中介板1具有具有相對的置晶側10b與轉接側10a、及連通該置晶側10b與轉接側10a的多個導電硅穿孔(Through-siliconvia,TSV)100，且該置晶側10b上具有一線路重布結構(Redistributionlayer,RDL)11。將間距較小的半導體晶片6的電極墊60藉由多個焊錫凸塊61電性結合至該線路重布結構11上，再以底膠62包覆該些焊錫凸塊61，且于該導電硅穿孔100上藉由多個如凸塊的導電元件18電性結合間距較大的封裝基板7的焊墊70，之后形成封裝膠體8于該封裝基板7上，以包覆該半導體晶片6。

圖1A至圖1G為現有硅中介板1的轉接側10a的制法的剖面示意圖。

如圖1A所示，提供一具有相對的轉接側10a與置晶側10b的硅板體10，且該硅板體10具有連通該轉接側10a與置晶側10b的多個導電硅穿孔100，又該硅板體10的置晶側10b上具有一電性連接該導電硅穿孔100的線路重布結構11，該轉接側10a具有一鈍化層12。

如圖1B所示，形成一導電層14(俗稱晶種層)于該鈍化層12與各該導電硅穿孔100上。

如圖1C所示，利用阻層(圖略)圖案化電鍍形成電性接觸墊16上于各該導電硅穿孔100上，之后移除該阻層。目前一般硅中介板1的線寬/線高可為3μm以下(如圖1C’所示的電性接觸墊16的厚度d)，而晶種層的厚度一般約在1μm以下(如圖1C’所示的導電層14的厚度t)。

如圖1D所示，濕蝕刻移除該阻層下的導電層14，且該電性接觸墊16電性連接該導電硅穿孔100。

如圖1E所示，形成一絕緣保護層13于該鈍化層12與各該電性接觸墊16上，且該絕緣保護層13具有多個開孔130，以令各該電性接觸墊16對應外露于各該開孔130。

如圖1F所示，形成另一導電層14’于該絕緣保護層13與該電性接觸墊16上，再利用另一阻層17圖案化電鍍形成如焊錫材料的導電元件18于各該電性接觸墊16上。

如圖1G所示，移除該阻層17及其下的導電層14’。

惟，前述現有硅中介板1的制法中，于圖1C的制程的阻層下的導電層14尚未去除，所以當移除該阻層下的導電層14時，濕蝕刻會等向性蝕刻，即使蝕刻濕蝕刻所使用的藥液會有選擇性蝕刻，但該電性接觸墊16下的導電層14亦會受蝕，而產生底切現象(如圖1C’所示的導電層14的底切寬度r)，造成該電性接觸墊16的底部過細而無法立設于該導電硅穿孔100上。

此外，于進行濕蝕刻制程時，該電性接觸墊16也會部分受蝕，致使該電性接觸墊16無法達到原先的預設寬度L(如圖1C’所示)，因而會產生電性問題。

因此，如何克服上述現有技術的種種問題，實已成目前亟欲解決的課題。

發明內容

鑒于上述現有技術的種種缺失，本發明提供一種中介板及其制法，無需進行濕蝕刻制程，使該電性接觸墊不會有底切現象。

本發明的中介板，包括：板體，其具有相對的第一側與第二側、及連通該第一側與第二側的多個導電穿孔；絕緣保護層，其形成于該板體的第一側上，且該絕緣保護層具有多個開孔，以令各該導電穿孔對應外露于各該開孔；多個電性接觸墊，各設于各該開孔中，且電性連接該導電穿孔；以及導電層，其設于該開孔與該電性接觸墊之間。

本發明還提供一種中介板的制法，其包括：提供一具有相對的第一側與第二側的板體，且該板體具有連通該第一側與第二側的多個導電穿孔；形成絕緣保護層于該板體的第一側上，且該絕緣保護層具有多個開孔，以令各該導電穿孔對應外露于各該開孔；以及形成電性接觸墊于各該開孔中，且該電性接觸墊電性連接該導電穿孔。

前述的制法中，該電性接觸墊為以電鍍方式形成者。

前述的中介板及其制法中，該板體為半導體板體。

前述的中介板及其制法中，該板體的第一側具有鈍化層。