[發明專利]一種FinFET結構及其制造方法

有效

• 申請號: 201410459614.6
• 申請日: 2014-09-10
• 公開（公告）號: CN105470301B
• 公開（公告）日: 2018-10-02
• 發明（設計）人: 李睿;劉云飛;尹海洲
• 申請（專利權）人: 中國科學院微電子研究所
• 主分類號: H01L29/78
• 分類號: H01L29/78;H01L21/336
• 代理公司: 北京漢昊知識產權代理事務所(普通合伙) 11370
• 代理人: 朱海波

1.一種U型FinFET器件結構，包括：

襯底(100)；

第一鰭片，所述第一鰭片包括第一溝道區(210)和位于第一溝道區上方的源區(211)，其中所述源區比所述第一溝道區寬；

第二鰭片，所述第二鰭片與第一鰭片平行，包括第二溝道區(220)和位于第二溝道區上方的漏區(221)，其中所述漏區比所述第二溝道區寬；

柵極疊層(300)，所述柵極疊層覆蓋所述襯底和第一、第二溝道區(210、220)的側壁；

隔離區(230)，所述隔離區(230)位于所述源區(211)和漏區(221)兩側，柵極疊層(300)上方，用于隔離源區、漏區和柵極疊層，所述源區(211)和漏區(221)為多邊體結構。

2.根據權利要求1所述的FinFET器件結構，其特征在于，所述第一溝道區(210)和第二溝道區(220)具有相同的高度、厚度和寬度。

3.根據權利要求1所述的FinFET器件結構，其特征在于，所述第一溝道區(210)和第二溝道區(220)之間的距離為5～50nm，所述源區(211)和漏區(221)之間的距離為5～30nm。

4.根據權利要求1所述的FinFET器件結構，其特征在于，所述柵極疊層(300)與所述第一、第二溝道區(210、220)頂部平齊。

5.根據權利要求1所述的FinFET器件結構，其特征在于，所述柵極疊層(300)包括：界面層(310)、高K介質層(320)、金屬柵功函數調節層(330)以及多晶硅(340)。

6.一種U型FinFET器件制造方法，包括：

a.提供襯底(100)；

b.在所述襯底上形成第一、第二溝道區(210、220)；

c.形成掩膜(201)覆蓋所述第一、第二溝道區下方，暴露出所述第一、第二溝道區上半部分；

d.以未被掩膜(201)覆蓋的第一、第二溝道區為籽晶，外延形成源漏區(211、221)，并去除掩膜(201)；

e.在襯底上形成柵極疊層(300)，覆蓋所述第一、第二溝道區；

f.在所述源漏區(211、221)兩側，柵極疊層(300)上方形成隔離區(230)。

7.根據權利要求6所述的制造方法，其特征在于，所述襯底(100)具有N型或P型摻雜，雜質濃度為1e10¹⁵cm^-2。

8.根據權利要求6所述的制造方法，其特征在于，所述第一、第二溝道區(210、220)由襯底刻蝕形成，具有與襯底(100)相同的摻雜類型和濃度分度。

9.根據權利要求6所述的制造方法，其特征在于，在外延生長源漏區的同時進行原位摻雜，摻雜的雜質類型為N或P型，濃度為1e10¹⁷～1e10¹⁹cm^-2。