[發(fā)明專利]一種遮光器件及其制備方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201410458343.2
• 申請日: 2014-09-10
• 公開（公告）號: CN104347597A
• 公開（公告）日: 2015-02-11
• 發(fā)明（設計）人: 杜寰
• 申請（專利權(quán)）人: 中國科學院微電子研究所
• 主分類號: H01L23/552
• 分類號: H01L23/552;H01L21/02;G02F1/1362
• 代理公司: 北京華沛德權(quán)律師事務所 11302
• 代理人: 劉杰

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明屬于集成電路領(lǐng)域，尤其涉及一種反射型顯示器件及其制備方法。

背景技術(shù)

硅基液晶(Liquid?Crystal?on?Silicon,LCoS)是一種液晶顯示器(LCD)的新興技術(shù)，是由Aurora?Systems融合半導體CMOS集成電路與液晶兩項技術(shù)的優(yōu)勢，于2000年開發(fā)出的一種高分辨率，低價格，反射式新型顯示技術(shù)。它是一種將LCD直接制于單晶硅片上的新型液晶顯示器件。單晶硅片上可將LCD的有源矩陣薄膜晶體管(AMTFT)，外部驅(qū)動電路及控制電路等全部制于上面,以此作為LCD的一塊基板，與另一塊作為公共電極的涂上透明導電層的玻璃基板共同封接成一個薄盒,注入液晶即可制成硅基液晶顯示器件。

LCoS具有智能化、引線少、體積小、像素開口率高、分辨率高、光利用率高、顯示方式多樣化、易于實現(xiàn)彩色化、投資少、利于大批量生產(chǎn)等優(yōu)點。同時又需要特殊的材料、工藝、設計、檢測及配套等關(guān)鍵技術(shù)，提高了LCoS微顯示技術(shù)的難度。

LCoS技術(shù)是集成電路技術(shù)與液晶技術(shù)的有機融合，LCoS制程主要分為三部分：CMOS驅(qū)動電路制備、液晶灌裝以及集成電路技術(shù)與液晶技術(shù)的協(xié)同技術(shù)。在集成電路與液晶工藝的整合方面，LCoS技術(shù)有許多特殊的技術(shù)要求。

LCoS為反射型顯示器件，外部強光源透過液晶層，照射到反射鏡面電極上，經(jīng)鏡面電極反射入人眼，利用液晶層兩端電壓控制液晶層的透明度來控制反射出液晶層的光線的強度，實現(xiàn)灰度調(diào)制功能。

在使用過程中，LCoS面板長時間受到外界強光的照射，為了保證硅襯底上的集成電路不受外界強光照射的影響，需要制作遮光層，遮擋外界強光入射，保護下層電路正常工作。

普遍采用的一種遮光層結(jié)構(gòu)如圖1所示，采用四層金屬工藝制備硅基板，其中金屬一、金屬二兩層金屬布線，單獨制作一層金屬制備遮光層遮蔽外部光線，像素中部遮光層開孔，把下層金屬電極引上來，再制作鋁反射鏡面電極，完成硅基板的制備。傳統(tǒng)的四層金屬工藝遮光結(jié)構(gòu)工藝復雜，成本較高。

存在尋求更為簡易、可靠的遮光層結(jié)構(gòu)及其制備工藝的需求。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明實施例的目的在于提供一種遮光器件及其制備方法，以解決現(xiàn)有技術(shù)的遮光器件結(jié)構(gòu)復雜，制備方法繁瑣的問題。

本發(fā)明實施例是這樣實現(xiàn)的，一種遮光器件，所述器件包括：

覆蓋在集成電路之上的像素鏡面反射電極；

覆蓋在相鄰兩個所述像素鏡面反射電極之間的溝槽上的金屬層。

本發(fā)明實施例的另一目的在于提供一種遮光器件的制備方法，所述方法包括：

制備覆蓋在集成電路上的像素鏡面反射電極；

制備覆蓋在相鄰兩個所述像素鏡面反射電極之間的溝槽上的金屬層。

本發(fā)明實施例，通過調(diào)整射頻LDMOS器件的漂移區(qū)長度，使得射頻LDMOS器件的擊穿電壓得到改變，優(yōu)化了射頻LDMOS器件的性能。

附圖說明

為了更清楚地說明本發(fā)明實施例中的技術(shù)方案，下面將對實施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實施例，對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動性的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。

圖1是現(xiàn)有技術(shù)提供的LCOS像素剖面圖；

圖2是本發(fā)明實施例提供的LCOS像素電路版示意圖；

圖3是本發(fā)明實施例提供的LCOS驅(qū)動電路像素區(qū)域顯微照片示意圖。

具體實施方式

為了使本發(fā)明的目的、技術(shù)方案及優(yōu)點更加清楚明白，以下結(jié)合附圖及實施例，對本發(fā)明進行進一步詳細說明。應當理解，此處所描述的具體實施例僅僅用以解釋本發(fā)明，并不用于限定本發(fā)明。

為了說明本發(fā)明所述的技術(shù)方案，下面通過具體實施例來進行說明。

實施例一

如圖2所示為本發(fā)明實施例提供的LCOS像素電路版示意圖，為了便于說明，僅示出與本發(fā)明實施例相關(guān)的部分，包括：

覆蓋在集成電路之上的像素鏡面反射電極1。

在本發(fā)明實施例中，反射型顯示器件中的集成電路用于控制該反射型顯示器件進行顯示，如果該集成電路長期被外界強光照射，則會對該集成電路造成影響，因此在該集成電路之上會覆蓋像素鏡面反射電極1。

需要指出的是，像素鏡面反射電極1呈方形覆蓋在集成電路上。

覆蓋在相鄰兩個所述像素鏡面反射電極1之間的溝槽上的金屬層2。