[發明專利]核素轟擊的靶、轟擊系統和方法

有效

• 申請號: 201410457908.5
• 申請日: 2014-09-11
• 公開（公告）號: CN105407622B
• 公開（公告）日: 2018-04-20
• 發明（設計）人: 邱慈云
• 申請（專利權）人: 邱慈云
• 主分類號: H05H6/00
• 分類號: H05H6/00
• 代理公司: 中國國際貿易促進委員會專利商標事務所11038
• 代理人: 劉倜

1.一種用于核素轟擊的靶，其特征在于，包括：

具有吸氫屬性的金屬元素的單晶薄層，以及

氫的同位素，其處于所述金屬元素的單晶薄層中作為填隙核素，

其中，所述氫的同位素形成包括基本沿著所述金屬元素單晶中的晶格通道排列的核素的點陣。

2.根據權利要求1所述的靶，其特征在于，

其中，所述靶的厚度為5μm或更小。

3.根據權利要求1所述的靶，其特征在于，

所述靶被施加低溫來約束所述金屬元素的單晶晶格的振動和/或促進其再結晶。

4.根據權利要求1所述的靶，其特征在于，

所述靶的入射表面基本與所述金屬元素的單晶的晶格通道垂直或成一定角度。

5.根據權利要求1所述的靶，其特征在于，

所述金屬選自：Pt、Pd、Ti、或Ni。

6.一種核素轟擊系統，其特征在于，包括：

如權利要求1所述的靶，以及

轟擊裝置，用于將另外的氫的同位素基本沿所述金屬元素的單晶中的晶格通道射向所述靶。

7.根據權利要求6所述的系統，其特征在于，

所述另外的氫的同位素具有大于等于10keV的能量。

8.根據權利要求6所述的系統，其特征在于，還包括：

冷卻裝置，用于通過降低的溫度約束所述金屬元素的單晶晶格的振動。

9.根據權利要求6所述的系統，其特征在于，還包括：

能量收集裝置，用于收集由所述氫的同位素被所述另外的氫的同位素轟擊所產生的高能粒子及其能量。

10.一種形成用于核素轟擊的靶的方法，包括：

提供具有吸氫屬性的金屬元素的單晶薄層，以及

利用所述金屬元素單晶薄層吸收包含氫的同位素的流體，使得氫的同位素進入所述金屬元素的單晶中作為填隙核素，

其中所述氫的同位素形成包括基本沿著所述金屬元素的單晶中的晶格通道排列的核素的點陣。

11.根據權利要求10所述的方法，其特征在于，

所述薄層的厚度為5μm或更小。

12.根據權利要求10所述的方法，其特征在于，

對所述靶施加降低的溫度，以約束所述金屬元素的單晶晶格的振動和/或促進其再結晶。

13.根據權利要求10所述的方法，其特征在于，

所述靶的入射表面基本與所述金屬元素的單晶的晶格通道垂直或成一定角度。

14.根據權利要求10所述的方法，其特征在于，

所述金屬選自：Pt、Pd、Ti、或Ni。

15.一種核素轟擊靶的方法，其特征在于，包括：

提供如權利要求1所述的靶，

將另外的氫的同位素基本沿所述金屬元素的單晶中的晶格通道射向所述靶。

16.根據權利要求15所述的方法，其特征在于，

所述另外的氫的同位素具有大于等于10keV的能量。

17.根據權利要求15所述的方法，其特征在于，還包括：

對所述靶施加降低的溫度，以約束所述金屬元素的單晶晶格的振動和/或促進其再結晶。

18.根據權利要求15所述的方法，其特征在于，還包括：

收集由所述氫的同位素被所述另外的氫的同位素轟擊所產生的高能粒子及其能量。

19.一種核素轟擊系統，其特征在于，包括：

靶，其包括：

包括單晶薄層的靶體，以及

第一元素的同位素，其處于所述單晶薄層中作為填隙核素，

其中，所述第一元素的同位素形成包括基本沿著所述單晶中的晶格通道排列的核素的點陣；以及

轟擊裝置，用于將第二元素的同位素基本沿所述單晶中的晶格通道射向所述靶。

20.如權利要求19所述的核素轟擊系統，其特征在于，所述第一元素選自：氫的同位素、氦的同位素、硼的同位素、鋁的同位素。