[發明專利]陣列式微結構納米壓印方法及裝置

在審

• 申請號: 201410457892.8
• 申請日: 2014-09-10
• 公開（公告）號: CN104199253A
• 公開（公告）日: 2014-12-10
• 發明（設計）人: 劉楠;劉曰濤;劉吉柱;陳濤;孫立寧
• 申請（專利權）人: 蘇州大學
• 主分類號: G03F7/00
• 分類號: G03F7/00;B82Y40/00
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 常亮

1.一種陣列式微結構納米壓印方法，其特征在于，所述納米壓印方法包括如下步驟：

1)固定待納米壓印的基材，控制該基材運行至加工工位，準備對基材的待加工區域進行加工；

2)控制微結構模具的壓印面與所述待加工區域相接觸；

3)激光對微結構模具的壓印面上與所述待加工區域相對應的區域進行照射并加熱，所述激光的照射區域的范圍為50-1000um；

4)在激光加熱條件下，當微結構模具的壓印面上相應區域的表面溫度達到所述基材的加工溫度后，控制微結構模具的壓印面對所述基材的待加工區域施加壓力；

5)完成基材的待加工區域的壓印后，停止激光照射，待基材的溫度下降至脫模溫度后，脫模；

6)控制基材運行至下一加工工位，準備對基材的下一待加工區域進行加工；

7)重復步驟2-5至完成基材的納米壓印。

2.根據權利要求1所述的陣列式微結構納米壓印方法，其特征在于，所述基材為PMMA、PC以及PMMA共聚物。

3.根據權利要求1所述的陣列式微結構納米壓印方法，其特征在于，所述步驟3中，所述激光的最大輻射功率至少為5W。

4.根據權利要求1所述的陣列式微結構納米壓印方法，其特征在于，所述步驟3中，所述激光照射加熱的時間為5ms～1000ms。

5.一種陣列式微結構納米壓印裝置，其特征在于，所述陣列式微結構納米壓印裝置包括：基臺、X-Y軸運動控制組件、Z軸運動控制組件、激光輔助加熱組件；

所述X-Y軸運動控制組件包括：運動控制平臺、X軸導軌、Y軸導軌、第一電機，所述Y軸導軌相對平行設置于所述基臺上，所述X軸導軌的兩端滑動設置于所述Y軸導軌上，所述第一電機驅動所述運動控制平臺沿所述X軸導軌和Y軸導軌進行運動；

所述Z軸運動控制組件包括：支撐梁、Z軸導軌、壓印頭、第二電機，所述支撐梁安裝于所述基臺上，所述Z軸導軌設置于所述支撐梁上，所述壓印頭滑動設置于所述Z軸導軌上，所述第二電機驅動所述壓印頭沿所述Z軸導軌作升降運動，所述壓印頭位于所述運動控制平臺上方；

所述激光輔助加熱組件包括：激光器、光束準直聚焦組件、固定架，所述激光輔助加熱組件位于所述運動控制平臺下方，所述激光器朝向所述運動控制平臺設置。

6.根據權利要求5所述的陣列式微結構納米壓印裝置，其特征在于，所述壓印頭具有壓印面，所述壓印面上形成有若干微針結構。

7.根據權利要求5所述的陣列式微結構納米壓印裝置，其特征在于，所述基臺下方還設置有隔振器。

8.根據權利要求5所述的陣列式微結構納米壓印裝置，其特征在于，所述激光器為連續輸出型激光器。