[發(fā)明專(zhuān)利]微機(jī)電反射體及用于制造微機(jī)電反射體的方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201410457664.0
• 申請(qǐng)日: 2014-06-24
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN104252039B
• 公開(kāi)（公告）日: 2018-09-21
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: J·賴(lài)因穆特
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 羅伯特·博世有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): G02B26/08
• 分類(lèi)號(hào): G02B26/08;B81C1/00
• 代理公司: 永新專(zhuān)利商標(biāo)代理有限公司 72002
• 代理人: 郭毅

1.一種微機(jī)電反射體，其具有：

一個(gè)電極襯底(3)，所述電極襯底具有第一表面和與所述第一表面相對(duì)置的第二表面，在所述電極襯底的第一表面上布置單晶硅層(1)；

多個(gè)電極凹槽(15)，其從第二表面開(kāi)設(shè)到所述電極襯底(3)中；

至少一個(gè)扭轉(zhuǎn)彈簧結(jié)構(gòu)(7)，其構(gòu)造在所述單晶硅層(1)中在所述電極凹槽(15)中的一個(gè)之上；

一個(gè)載體襯底(16)，所述載體襯底設(shè)置在所述電極襯底(3)的第二表面上；和

一個(gè)反射體表面(R)，其布置在所述單晶硅層(1)上，

其中，通過(guò)所述電極凹槽(15)形成至少一個(gè)通過(guò)所述扭轉(zhuǎn)彈簧結(jié)構(gòu)(7)可運(yùn)動(dòng)地支承在所述電極襯底(3)中的第一電極(M)和至少一個(gè)與所述載體襯底(16)和所述單晶硅層(1)機(jī)械固定地錨定的第二電極(F)，其中，所述第一電極(M)的和所述第二電極(F)的電極面彼此平行地垂直于所述電極襯底(3)的表面地布置。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的微機(jī)電反射體，所述微機(jī)電反射體還具有

一個(gè)氧化物層(2)，其構(gòu)造在所述單晶硅層(1)和所述電極襯底(3)之間；和

至少一個(gè)穿過(guò)所述單晶硅層(1)和所述氧化物層(2)的導(dǎo)電的覆鍍通孔(5b)，通過(guò)所述氧化物層所述第一電極(M)與所述單晶硅層(1)導(dǎo)電連接。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的微機(jī)電反射體，其中，所述載體襯底(16)通過(guò)金屬鍵合材料與所述電極襯底(3)連接。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的微機(jī)電反射體，其中，從所述載體襯底(16)的背離所述電極襯底(3)的表面穿過(guò)所述載體襯底(16)構(gòu)造硅覆鍍通孔(25)直至所述金屬鍵合材料。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的微機(jī)電反射體，其中，所述載體襯底(16)在面向所述電極襯底(3)的表面上具有氧化物層(17)，所述氧化物層在所述硅覆鍍通孔(25)的區(qū)域中橫向超出所述硅覆鍍通孔(25)的延伸在所述載體襯底(16)上延伸。

6.根據(jù)權(quán)利要求1至5中任一項(xiàng)所述的微機(jī)電反射體，其中，所述第一電極(M)圓柱形構(gòu)造。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的微機(jī)電反射體，其中，構(gòu)造有四個(gè)第二電極(F)，所述四個(gè)第二電極圍繞圓柱形的第一電極(M)對(duì)稱(chēng)布置。

8.根據(jù)權(quán)利要求1至5中任一項(xiàng)所述的微機(jī)電反射體，所述微機(jī)電反射體還具有：至少一個(gè)輔助電極(C)，所述至少一個(gè)輔助電極通過(guò)所述電極凹槽(15)構(gòu)造在所述第二電極(F)的背離所述第一電極(M)的一側(cè)上，并且所述至少一個(gè)輔助電極與所述第二電極(F)豎直間隔開(kāi)地布置。

9.根據(jù)權(quán)利要求1至5中任一項(xiàng)所述的微機(jī)電反射體，其中，在所述單晶硅層(1)上施加金屬鍵合材料(13)、與所述金屬鍵合材料(13)連接的隔件(12)和布置在所述隔件(12)上的鏡元件(11)，其中，在所述鏡元件(11)的背離所述隔件(12)的一側(cè)上施加反射體表面(R)。

10.根據(jù)權(quán)利要求9的微機(jī)電反射體，其中，所述鏡元件(11)具有橫向延展，所述橫向延展在所述電極襯底(3)的襯底平面中延伸超出所述扭轉(zhuǎn)彈簧結(jié)構(gòu)(7)。

11.根據(jù)權(quán)利要求1至5中任一項(xiàng)所述的微機(jī)電反射體，其中，所述載體襯底(16)和/或所述電極襯底(3)具有SOI襯底。

12.一種用于制造微機(jī)電反射體的方法，所述方法具有下列步驟：

穿過(guò)構(gòu)造在電極襯底(3)上的氧化物層(2)和構(gòu)造在所述氧化物層(2)上的單晶硅層(1)構(gòu)造導(dǎo)電的覆鍍通孔(5b)；

在所述單晶硅層(1)中構(gòu)造至少一個(gè)扭轉(zhuǎn)彈簧結(jié)構(gòu)(7)；

在所述電極襯底(3)的背離所述單晶硅層(1)的表面中構(gòu)造電極凹槽(15)，以便通過(guò)所述電極凹槽(15)形成至少一個(gè)通過(guò)所述扭轉(zhuǎn)彈簧結(jié)構(gòu)(7)可運(yùn)動(dòng)地支承在所述電極襯底(3)中的第一電極(M)和至少一個(gè)與所述單晶硅層(1)機(jī)械固定地錨定的第二電極(F)，其中，所述第一電極(M)的和所述第二電極(F)的電極面彼此平行地垂直于所述電極襯底(3)的表面地布置；

在所述電極襯底(3)的背離所述單晶硅層(1)的表面上施加載體襯底(16)；并且

在所述單晶硅層(1)上方施加反射體表面(R)。