[發(fā)明專(zhuān)利]半導(dǎo)體裝置以及半導(dǎo)體裝置的制造方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201410452964.X
• 申請(qǐng)日: 2014-09-05
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN104716104B
• 公開(kāi)（公告）日: 2018-01-16
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 澀谷克則;井本孝志;本間莊一;渡部武志;高野勇佑
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 東芝存儲(chǔ)器株式會(huì)社
• 主分類(lèi)號(hào): H01L23/31
• 分類(lèi)號(hào): H01L23/31;H01L21/56
• 代理公司: 北京律盟知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司11287
• 代理人: 張世俊

1.一種半導(dǎo)體裝置，其特征在于包括：

基板，包括包含接地配線(xiàn)的配線(xiàn)層，且設(shè)置著焊墊電極；

半導(dǎo)體芯片，搭載在所述基板；

外部連接端子，設(shè)置在所述基板；

接合線(xiàn)，將所述半導(dǎo)體芯片與所述焊墊電極電連接；

密封樹(shù)脂層，密封所述半導(dǎo)體芯片及所述接合線(xiàn)；以及

導(dǎo)電性屏蔽層，覆蓋所述基板的側(cè)面與所述密封樹(shù)脂層；

所述配線(xiàn)層的側(cè)面與所述屏蔽層電連接，

所述接地配線(xiàn)包含一部分，該部分具有在所述基板的厚度方向比所述側(cè)面的面積小的截面積；

所述接地配線(xiàn)包含：

主配線(xiàn)，使用第一金屬材料；以及

保護(hù)金屬膜，使用耐氧化性高于所述第一金屬材料的第二金屬材料，并覆蓋所述主配線(xiàn)；并且

在所述接地配線(xiàn)的所述側(cè)面中，所述主配線(xiàn)的側(cè)面被所述保護(hù)金屬膜覆蓋。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于：

所述主配線(xiàn)的所述側(cè)面經(jīng)由所述保護(hù)金屬膜而與所述屏蔽層電連接。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于：

所述保護(hù)金屬膜覆蓋所述主配線(xiàn)的上表面及側(cè)面。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于：

所述接地配線(xiàn)與所述半導(dǎo)體裝置的外部的接地電連接。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于：

所述配線(xiàn)層包含：

第一配線(xiàn)層，設(shè)置在所述基板的上表面，并與所述焊墊電極電連接；

第二配線(xiàn)層，設(shè)置在所述基板的下表面；以及

第三配線(xiàn)層，設(shè)置在所述第一配線(xiàn)層與所述第二配線(xiàn)層之間；并且

所述接地配線(xiàn)設(shè)置在所述第三配線(xiàn)層。

6.一種半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于：

在基板上搭載半導(dǎo)體芯片，該基板包括包含接地配線(xiàn)的配線(xiàn)層且設(shè)置著焊墊電極，

利用接合線(xiàn)將所述半導(dǎo)體芯片與所述焊墊電極電連接，

形成密封所述半導(dǎo)體芯片及所述接合線(xiàn)的密封樹(shù)脂層，

利用切割鋸一并切斷所述基板及所述配線(xiàn)層，

形成覆蓋所述基板的側(cè)面與所述密封樹(shù)脂層的導(dǎo)電性屏蔽層，

所述配線(xiàn)層的側(cè)面與所述屏蔽層電連接，

所述接地配線(xiàn)包含一部分，該部分具有在所述基板的厚度方向比所述側(cè)面的面積小的截面積；

所述接地配線(xiàn)包含：

主配線(xiàn)，使用第一金屬材料；以及

保護(hù)金屬膜，使用耐氧化性高于所述第一金屬材料的第二金屬材料，并覆蓋所述主配線(xiàn)；并且

在所述接地配線(xiàn)的所述側(cè)面中，所述主配線(xiàn)的側(cè)面被所述保護(hù)金屬膜覆蓋。