[發明專利]半導體裝置的制造方法及半導體裝置

有效

• 申請號: 201410444562.5
• 申請日: 2014-09-03
• 公開（公告）號: CN104916551B
• 公開（公告）日: 2019-02-15
• 發明（設計）人: 佐藤隆夫
• 申請（專利權）人: 東芝存儲器株式會社
• 主分類號: H01L21/56
• 分類號: H01L21/56;H01L23/28
• 代理公司: 北京律盟知識產權代理有限責任公司 11287
• 代理人: 張世俊

1.一種半導體裝置的制造方法，其特征在于：

對半導體基板的表面格子狀的形成槽；

在所述半導體基板上的由所述槽包圍的區域通過積層復數個半導體芯片而形成積層體；

在由所述槽包圍的區域，形成覆蓋所述復數個半導體芯片間及所述復數個半導體芯片的側面的第1密封樹脂層；

對應所述積層體而分離所述半導體基板，并且除去所述槽；

以所述半導體芯片位于配線基板側的方式在所述配線基板上搭載所述積層體；

在所述配線基板上形成密封所述積層體的第2密封樹脂層；

對應所述積層體而分離所述配線基板；以及

在形成所述第1密封樹脂層之后且分離所述配線基板之前，自所述半導體基板的、形成有所述積層體面的反面，沿厚度方向磨削所述半導體基板的一部分。

2.根據權利要求1所述的半導體裝置的制造方法，其特征在于：在形成所述第2密封樹脂層之后磨削所述半導體基板的一部分。

3.根據權利要求1所述的半導體裝置的制造方法，其特征在于：在分離所述半導體基板之前磨削所述半導體基板的一部分。

4.根據權利要求1至3中任一項所述的半導體裝置的制造方法，其特征在于：在分離所述半導體基板時，將所述第1密封樹脂層切斷，并且將所述半導體基板切斷。