[發明專利]評估多晶硅柵極氧化層缺失缺陷的方法有效
| 申請號： | 201410443401.4 | 申請日： | 2014-09-02 |
| 公開（公告）號： | CN104201131B | 公開（公告）日： | 2017-03-08 |
| 發明（設計）人： | 范榮偉;陳宏璘;龍吟;顧曉芳;倪棋梁 | 申請（專利權）人： | 上海華力微電子有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/66 | 分類號： | H01L21/66 |
| 代理公司： | 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙)31237 | 代理人： | 王宏婧 |
| 地址： | 201203 上海市*** | 國省代碼： | 上海;31 |
| 權利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 評估 多晶 柵極 氧化 缺失 缺陷 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種評估多晶硅柵極缺失缺陷的方法，其特征在于包括：
將需要檢測多晶硅柵極缺失的晶圓正常流片到完成柵極氧化層生成工藝，從而在硅襯底上形成由隔離區隔開的多個阱區，并且在所述多個阱區的表面形成柵極氧化層，而且在所述柵極氧化層中存在凹槽缺陷，所述凹槽缺陷位置下的硅襯底表面高度相對于其它硅襯底表面高度較高；
對晶圓整體進行氧化硅刻蝕以去除硅片表面的柵極氧化層，刻蝕后凹槽缺陷位置處的硅襯底呈現凸起缺陷；
通過檢測易于檢查的單晶硅凸起缺陷來確定存在凹槽缺陷的位置。
2.根據權利要求1所述的評估多晶硅柵極缺失缺陷的方法，其特征在于，采用干法刻蝕對晶圓整體進行氧化硅刻蝕。
3.根據權利要求1或2所述的評估多晶硅柵極缺失缺陷的方法，其特征在于，采用濕法刻蝕對晶圓整體進行氧化硅刻蝕。
下載完整專利技術內容需要扣除積分，VIP會員可以免費下載。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息，商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于上海華力微電子有限公司，未經上海華力微電子有限公司許可，擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作，請聯系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/201410443401.4/1.html，轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 上一篇：芯片切割方法
- 下一篇：一種清洗設備顆粒監控的方法
- 同類專利
- 專利分類
H01 基本電氣元件
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
