[發(fā)明專利]焊盤、半導體器件和半導體器件的制造工藝有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201410443164.1 | 申請日： | 2014-09-02 |
| 公開（公告）號： | CN105374775B | 公開（公告）日： | 2018-05-04 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 金晨;喬中辰 | 申請（專利權(quán)）人： | 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司 |
| 主分類號： | H01L23/488 | 分類號： | H01L23/488;H01L21/48 |
| 代理公司： | 北京康信知識產(chǎn)權(quán)代理有限責任公司11240 | 代理人： | 吳貴明,張永明 |
| 地址： | 201203 *** | 國省代碼： | 上海;31 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 焊盤 半導體器件 制造 工藝 | ||
1.一種半導體器件的制造工藝，其特征在于，包括對金屬柱(10)進行工藝處理，以使所述金屬柱(10)的第一端形成凹部(11)，所述對金屬柱(10)進行工藝處理時，調(diào)節(jié)電鍍藥液比例，以使所述金屬柱(10)的第一端形成所述凹部(11)，所述制造工藝還包括在所述對金屬柱(10)進行工藝處理后的：
步驟S10：在所述金屬柱(10)的所述凹部(11)處沉積阻擋層(40)；
步驟S20：在所述阻擋層(40)上沉積焊料凸塊(20)，所述阻擋層(40)的金屬性大于所述金屬柱(10)和所述焊料凸塊(20)的金屬性，所述制造工藝還包括在所述步驟S20后的：
步驟S30：烘烤處理，以使所述金屬柱(10)的外壁形成第一金屬氧化層(12)、所述焊料凸塊(20)的外壁形成第二金屬氧化層(21)、所述阻擋層(40)的外壁形成第三金屬氧化層(41)；
步驟S40：回流處理，以使所述第一金屬氧化層(12)和所述第二金屬氧化層(21)被還原。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制造工藝，其特征在于，在所述步驟S40中通過控制還原劑的通入量，以使所述第一金屬氧化層(12)和所述第二金屬氧化層(21)被還原。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制造工藝，其特征在于，在所述步驟S40中還包括對所述焊料凸塊(20)進行抽氣處理，且抽氣方向沿豎直方向向上。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制造工藝，其特征在于，所述制造工藝還包括在所述對金屬柱(10)進行工藝處理前的：
步驟S100：在設(shè)置有焊墊(30)的晶圓襯底(60)上沉積介質(zhì)層(70)；
步驟S200：對所述介質(zhì)層(70)進行刻蝕得到第一通孔(71)，所述焊墊(30)的一部分暴露在所述第一通孔(71)處；
步驟S300：在所述介質(zhì)層(70)上沉積金屬層(50)，所述金屬層(50)通過所述第一通孔(71)與所述焊墊(30)電連接；
步驟S400：在所述金屬層(50)上沉積光阻層(80)；
步驟S500：對所述光阻層(80)進行曝光顯影形成第二通孔(81)；
步驟S600：在所述第二通孔(81)內(nèi)沉積形成所述金屬柱(10)。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的制造工藝，其特征在于，所述制造工藝還包括在所述步驟S20后的：
步驟S21：去除所述光阻層(80)；
步驟S22：對所述金屬層(50)進行刻蝕，以去除未被所述金屬柱(10)覆蓋的部分所述金屬層(50)。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息，商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于中芯國際集成電路制造（上海）有限公司，未經(jīng)中芯國際集成電路制造（上海）有限公司許可，擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作，請聯(lián)系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/201410443164.1/1.html，轉(zhuǎn)載請聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
- 上一篇：一種夜光數(shù)碼
- 下一篇：一種車身水平手推貨車
