[發明專利]半導體器件

無效

• 申請號: 201410442827.8
• 申請日: 2014-09-02
• 公開（公告）號: CN104425619A
• 公開（公告）日: 2015-03-18
• 發明（設計）人: 池田昌弘
• 申請（專利權）人: 瑞薩電子株式會社
• 主分類號: H01L29/78
• 分類號: H01L29/78;H01L29/423;H01L21/336
• 代理公司: 中原信達知識產權代理有限責任公司 11219
• 代理人: 李蘭;孫志湧

1.一種半導體器件，包括：

襯底，所述襯底包括矩形器件形成區，所述矩形器件形成區具有第一邊、與所述第一邊相對的第二邊、第三邊和第四邊；

器件分離區，所述器件分離區形成在所述襯底中并且環繞所述器件形成區；

多個掩埋柵電極，所述多個掩埋柵電極被掩埋在所述襯底的所述器件形成區中，并且在平面圖中彼此平行并且相對于所述第一邊傾斜地延伸；以及

兩個雜質層，所述兩個雜質層形成在所述襯底的所述器件形成區中并且在平行于所述第三邊的方向上彼此分隔開，并且在所述掩埋柵電極處于所述兩個雜質層之間的情況下彼此相對，

其中，在所述掩埋柵電極中，與所述第一邊相對的第一端部和與所述第二邊相對的第二端部都平行于所述第一邊。

2.根據權利要求1所述的半導體器件，

其中，在平面圖中，在所述掩埋柵電極當中的最靠近所述第三邊定位的第一掩埋柵電極中，最靠近所述第三邊定位的邊平行于所述第三邊，并且

其中，在平面圖中，在所述掩埋柵電極當中的最靠近所述第四邊定位的第二掩埋柵電極中，與所述第四邊相對的邊平行于所述第四邊。

3.根據權利要求2所述的半導體器件，其中，在平面圖中，所述第一掩埋柵電極和所述第二掩埋柵電極是三角形。

4.根據權利要求2所述的半導體器件，其中，在平面圖中，所述第一掩埋柵電極和所述第二掩埋柵電極是梯形。