[發(fā)明專利]一種存儲器模塊和處理模塊在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201410440526.1 | 申請日: | 2014-09-01 |
| 公開(公告)號: | CN104201169A | 公開(公告)日: | 2014-12-10 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 竇曉光;劉新春;姚文浩;王暉 | 申請(專利權(quán))人: | 曙光信息產(chǎn)業(yè)(北京)有限公司 |
| 主分類號: | H01L23/498 | 分類號: | H01L23/498;H01L25/065 |
| 代理公司: | 北京德恒律治知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11409 | 代理人: | 章社杲;孫征 |
| 地址: | 100193 北京*** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 存儲器 模塊 處理 | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及數(shù)據(jù)存儲領(lǐng)域,具體來說,涉及一種存儲器模塊和處理模塊。
背景技術(shù)
在交換機(jī)、路由器、防火墻等計(jì)算機(jī)網(wǎng)絡(luò)流量處理設(shè)備中,DRAM、SRAM和RLDRAM是常用的幾種存儲器芯片,網(wǎng)絡(luò)流量處理設(shè)備中需要用到存儲器的地方包括:報(bào)文內(nèi)容存儲和路由(交換、ACL)表存儲。其中報(bào)文存儲需要大容量高帶寬,選用DRAM比較適合;路由(交換、ACL)表由于是隨機(jī)訪問,因此對低延遲的要求很高,并且對于存儲容量的要求有大有小,當(dāng)存儲容量要求較小的時(shí)候可使用SRAM,當(dāng)存儲容量要求較大的時(shí)候可使用RLDRAM。
根據(jù)應(yīng)用場景的不同,每種存儲資源要求也是多樣化的,在現(xiàn)有技術(shù)中,由于各種存儲芯片的接口定義各不相同,因此無論是ASIC作為網(wǎng)絡(luò)處理主芯片還是FPGA作為網(wǎng)絡(luò)處理主芯片,都是根據(jù)不同的應(yīng)用場景定制不同的硬件板卡,在定制的板卡上焊接需要使用的的存儲芯片,這樣造成了大量的人力成本和資源的浪費(fèi)。
針對相關(guān)技術(shù)中的問題,目前尚未提出有效的解決方案。
發(fā)明內(nèi)容
針對相關(guān)技術(shù)中的問題,本發(fā)明提出一種存儲器模塊,可以實(shí)現(xiàn)存儲芯片接口的統(tǒng)一,使得針對不同的存儲芯片類型可以不用定制不同的硬件板卡。
本發(fā)明的技術(shù)方案是這樣實(shí)現(xiàn)的:
根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方面,提供了一種存儲器模塊,該存儲器模塊包括:
印制電路板PCB和至少一個(gè)存儲芯片,印制電路板PCB上有接口插槽金手指、存儲芯片的焊盤和連接接口插槽金手指與存儲芯片的焊盤的總線。將存儲芯片焊接在印制電路板PCB上的焊盤上,印制電路板PCB上的總線將存儲芯片的焊盤與接口插槽金手指連接,從而形成存儲器模塊。
其中,存儲芯片的類型可以是DRAM、SRAM、RLDRAM。
其中,印制電路板PCB和接口插槽金手指、可以符合標(biāo)準(zhǔn)的DIMM、SODIMM等標(biāo)準(zhǔn),也可以定義新的標(biāo)準(zhǔn)。
根據(jù)本發(fā)明的另一方面,提供了一種可靈活更換上述不同存儲器模塊類型的處理模塊,該處理模塊包括:
主處理芯片和存儲器接口插槽;
所述主處理芯片包括各種存儲器的接口控制器和使用存儲器的其他功能模塊。
其中,各種存儲器的接口控制器用于將不同存儲器的接口時(shí)序轉(zhuǎn)換為統(tǒng)一的內(nèi)部接口時(shí)序。
其中,使用存儲器的功能模塊通過上述存儲器接口控制器訪問存儲器模塊上的存儲芯片。
所述處理模塊上的主處理芯片的電路是可編程的,在更換不同的存儲器類型時(shí),可以將存儲器的接口控制器編程為對應(yīng)類型。
所述存儲器接口插槽與存儲器模塊上的接口插槽金手指配合使用。
本發(fā)明通過將存儲芯片的接口進(jìn)行統(tǒng)一,從而可以避免當(dāng)需要更換不同類型的存儲芯片的時(shí)候需要再定制不同的硬件板卡,大大節(jié)省了人力和硬件成本,并且可以實(shí)現(xiàn)動態(tài)的存儲器配置。
附圖說明
為了更清楚地說明本發(fā)明實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案,下面將對實(shí)施例中所需要使用的附圖作簡單地介紹,顯而易見地,下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實(shí)施例,對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講,在不付出創(chuàng)造性勞動的前提下,還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。
圖1是根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的存儲器模塊以及使用該存儲器模塊的處理模塊的結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實(shí)施方式
下面將結(jié)合本發(fā)明實(shí)施例中的附圖,對本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述,顯然,所描述的實(shí)施例僅僅是本發(fā)明一部分實(shí)施例,而不是全部的實(shí)施例。基于本發(fā)明中的實(shí)施例,本領(lǐng)域普通技術(shù)人員所獲得的所有其他實(shí)施例,都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。
根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例,提供了一種存儲器模塊,可以實(shí)現(xiàn)存儲芯片接口的統(tǒng)一,使得針對不同的存儲芯片類型可以不用定制不同的硬件板卡。如圖1示出了根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的存儲器模塊以及使用該存儲器模塊的處理模塊的結(jié)構(gòu)示意圖。該存儲器模塊包括:
印制電路板PCB和至少一個(gè)存儲芯片,印制電路板PCB上有接口插槽金手指、存儲芯片的焊盤、連接接口插槽金手指與存儲芯片的焊盤的總線。將存儲芯片焊接在印制電路板PCB上的焊盤上,印制電路板PCB上的總線將存儲芯片的焊盤與接口插槽金手指連接,從而形成存儲器模塊。
其中,存儲芯片類型可以是DRAM、SRAM、RLDRAM。
其中,印制電路板PCB和接口插槽金手指、可以符合標(biāo)準(zhǔn)的DIMM、SODIMM等標(biāo)準(zhǔn),也可以定義新的標(biāo)準(zhǔn)。
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