[發(fā)明專利]具有可插拔式引線的模制的半導(dǎo)體封裝有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201410438376.0 | 申請日: | 2014-08-29 |
| 公開(公告)號: | CN104425412B | 公開(公告)日: | 2018-06-15 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 陳天山;龍登超;許德祥 | 申請(專利權(quán))人: | 英飛凌科技股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L23/48 | 分類號: | H01L23/48;H01L23/31 |
| 代理公司: | 北京市金杜律師事務(wù)所 11256 | 代理人: | 鄭立柱 |
| 地址: | 德國諾伊*** | 國省代碼: | 德國;DE |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 可插拔式 半導(dǎo)體封裝 半導(dǎo)體晶片 模制化合物 電氣通路 導(dǎo)電體 模制 電絕緣體 絕緣材料 絕緣媒介 插座 封裝 隔離 外部 | ||
1.一種半導(dǎo)體封裝,包括:
晶體管裸片,其具有第一端子、第二端子和第三端子;
模制化合物,封裝所述晶體管裸片;以及
可插拔式引線,為了插入外部的插座而具有所需的尺寸,所述可插拔式引線從所述模制化合物中突出并且為所述晶體管裸片的端子提供分離的電氣路徑,
其中,所述可插拔式引線包括電連接至所述晶體管裸片的所述第一端子的第一導(dǎo)電體、電連接至所述晶體管裸片的所述第二端子的第二導(dǎo)電體,電連接至所述晶體管裸片的所述第三端子的第三導(dǎo)電體,以及將所述導(dǎo)電體彼此隔離的電絕緣體,所述導(dǎo)電體具有所需尺寸以當(dāng)將所述可插拔式引線插入所述插座時接觸所述外部插座的不同區(qū)域。
2.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝,
其中所述電絕緣體是模制化合物。
3.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝,
其中所述可插拔式引線的所述第一導(dǎo)電體通過一個或者多個鍵合線電連接至所述晶體管裸片的所述第一端子,并且所述可插拔式引線的所述第二導(dǎo)電體通過一個或者多個另外的鍵合線電連接至所述晶體管裸片的所述第二端子。
4.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝,
其中所述可插拔式引線的所述第一導(dǎo)電體通過第一金屬片電連接至所述晶體管裸片的所述第一端子,而且所述可插拔式引線的所述第二導(dǎo)電體通過第二金屬片電連接至所述晶體管裸片的所述第二端子。
5.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝,
其中所述可插拔式引線的所述第一導(dǎo)電體的離所述晶體管裸片最遠(yuǎn)的末端相較于所述第一導(dǎo)電體的最接近所述晶體管裸片的末端具有不同橫截面形狀,并且
其中所述可插拔式引線的所述第二導(dǎo)電體的離所述晶體管裸片最遠(yuǎn)的末端相較于所述第二導(dǎo)電體的最接近所述晶體管裸片的末端具有不同橫截面形狀。
6.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝,
其中所述可插拔式引線的所述第一導(dǎo)電體的外表面面向不同的更遠(yuǎn)離所述晶體管裸片的方向和更接近所述晶體管裸片的方向,并且
其中所述可插拔式引線的所述第二導(dǎo)電體的外表面面向不同的更遠(yuǎn)離所述晶體管裸片的方向和更接近所述晶體管裸片的方向。
7.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝,
其中所述可插拔式引線的所述第一導(dǎo)電體彎曲得更遠(yuǎn)離所述晶體管裸片,并且平坦得更接近所述晶體管裸片,并且
其中所述可插拔式引線的所述第二導(dǎo)電體彎曲得更遠(yuǎn)離所述晶體管裸片,并且平坦得更接近所述晶體管裸片。
8.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝,
其中所述可插拔式引線的所述第一導(dǎo)電體具有平坦區(qū)域,所述半導(dǎo)體裸片被布置于在所述晶體管裸片的第一側(cè)的所述平坦區(qū)域上,并且所述晶體管裸片的所述第一端子被布置在所述晶體管裸片的所述第一側(cè)并附接至所述第一導(dǎo)電體的所述平坦區(qū)域。
9.如權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體封裝,
其中所述可插拔式引線的所述第二導(dǎo)電體具有平坦區(qū)域,所述平坦區(qū)域與所述第一導(dǎo)電體的所述平坦區(qū)域隔開,并與所述晶體管裸片隔開,并且所述晶體管裸片的所述第二端子被布置在與所述第一側(cè)相對的所述晶體管裸片的第二側(cè)處并電連接至所述第二導(dǎo)電體的所述平坦區(qū)域。
10.如權(quán)利要求9所述半導(dǎo)體封裝,
其中所述晶體管裸片的所述第二端子通過金屬片或者一個或多個鍵合線電連接至所述第二導(dǎo)電體的所述平坦區(qū)域。
11.如權(quán)利要求9所述的半導(dǎo)體封裝,
所述第二導(dǎo)電體的所述平坦區(qū)域在所述晶體管裸片的所述第二端子之上延伸并且附接至所述晶體管裸片的所述第二端子。
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