[發明專利]SRAM測試鍵、測試裝置以及SRAM測試方法

有效

• 申請號: 201410437349.1
• 申請日: 2014-08-29
• 公開（公告）號: CN105448350B
• 公開（公告）日: 2019-08-27
• 發明（設計）人: 張弓;王楠
• 申請（專利權）人: 中芯國際集成電路制造(上海)有限公司
• 主分類號: G11C29/56
• 分類號: G11C29/56;G11C11/413
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 高靜;駱蘇華

本發明提出一種SRAM測試鍵及其測試方法，采用本發明SRAM測試鍵進行SRAM單元電容測量的過程中，以測量電流的方式來獲取電容值，電流計的精度較高，并且電流計測出的電流為多次對測試電容進行多次充電的總電荷量，因此誤差較小，最終的得到的測試電容的電容值更精確。并且采用電流計進行SRAM單元的電容測量無需校準，測量速度較快，通過對本發明SRAM測試鍵進行不同頻率的充放電，將得到的不同測量值進而處理，能夠減小漏電流對電容測量的影響，進一步提高得到的測試電容的精度。

技術領域

本發明涉及半導體領域，尤其涉及一種SRAM測試鍵、測試裝置以及SRAM測試方法。

背景技術

靜態隨機存儲器(SRAM)作為揮發性存儲器中的一種，具有高速度、低功耗以及與標準工藝相兼容等優點，廣泛應用于PC、智能卡、數碼相機、多媒體播放器等領域。

現有技術的SRAM單元通常為6T或8T結構。現有常見6T結構的SRAM單元通常包括存儲單元和兩個讀寫單元。其中存儲單元包括兩個上拉晶體管和兩個下拉晶體管，兩個上拉晶體管與字線相連，兩個下拉晶體管與地線相連，存儲單元有兩個存儲節點和兩個打開節點，用于存儲1或0信號；兩個讀寫單元為兩個傳輸晶體管，每個傳輸晶體管一端與存儲單元的一個存儲節點和一個打開節點相連，另一端與位線相連，用于對存儲單元進行讀寫操作。

在SRAM單元中，SRAM單元中位線對地電容或地線對地電容能夠反映SRAM單元的讀寫速度。

由于單個SRAM單元的位線對地電容或地線對地電容很小，一般會同時測量多個并聯的SRAM單元的位線對地電容或地線對地電容。現有技術一般采用電橋電容測量法測量位線對地電容或地線對地電容。

參考圖1，示出了一種采用電橋電容測量法測量位線對地電容方法的示意圖。在測量位線對地電容時，將電橋電容測量儀01的第一端口02與多個并聯的SRAM單元03的位線集合04電連接，第二端口05與多個并聯的SRAM單元的除去位線集合外的其他數據節點06電連接，利用電橋平衡的原理測量位線對地電容。

但是采用電橋電容測量法測試電容很難避免漏電流的影響，精度較差，并且每次使用電橋電容測量儀測量前都需要校準，測量速度較慢。

發明內容

本發明解決的問題是提供一種SRAM測試鍵、測試裝置以及SRAM測試方法，提高SRAM單元電容測量速度和精度，進而提高生產效率，并提高SRAM單元的質量。

為解決上述問題，本發明實施例提供了一種SRAM測試鍵，包括：

多個SRAM單元，所述多個SRAM單元包括多個數據節點，所述數據節點包括字線和位線；

第一節點，與多個SRAM單元的字線或位線電連接；

第二節點，與多個SRAM單元的其他數據節點電連接，并與公共電壓電源電連接，所述第二節點和第一節點之間形成測試電容；

第一晶體管，源極與工作電壓電源電連接，漏極與所述第一節點電連接；

第二晶體管，源極與所述第一節點電連接，漏極與第二節點電連接；

所述第一晶體管打開第二晶體管關閉時用于對所述測試電容充電；所述第二晶體管打開第一晶體管關閉時用于對所述測試電容放電。

可選的，SRAM測試鍵還包括：

從所述第二節點引出的第一端子，用于實現第二節點與公共電壓電源的電連接；

從所述第一晶體管源極引出的第二端子，用于實現所述第一晶體管的源極與工作電壓電源電連接；

從所述第一晶體管柵極引出的第三端子，用于加載控制所述第一晶體管打開或關閉的信號；