[發(fā)明專利]感測(cè)裝置

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201410436621.4
• 申請(qǐng)日: 2014-08-29
• 公開（公告）號(hào): CN104183655A
• 公開（公告）日: 2014-12-03
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 陳宗漢;林欽茂
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 友達(dá)光電股份有限公司
• 主分類號(hào): H01L31/02
• 分類號(hào): H01L31/02;H01L31/08
• 代理公司: 隆天國(guó)際知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 72003
• 代理人: 張?jiān)≡?李玉鎖

1.一種感測(cè)裝置，包括多個(gè)感測(cè)像素，所述多個(gè)感測(cè)像素排列成陣列，且各該感測(cè)像素包括：

一主動(dòng)元件；以及

一感測(cè)元件，與該主動(dòng)元件電性連接，其中該感測(cè)元件包括：

一第一電極層；

一非晶硅層，配置在該第一電極層上；

一第二電極層，配置在該非晶硅層上，其中該第二電極層具有一開口；以及

一石墨烯層，與該第二電極層及該非晶硅層接觸。

2.如權(quán)利要求1所述的感測(cè)裝置，其中該開口暴露該非晶硅層，且該石墨烯層全面覆蓋該第二電極層與該非晶硅層。

3.如權(quán)利要求1所述的感測(cè)裝置，其中該石墨烯層局部覆蓋該第二電極層，并且由該開口的邊緣延伸至該開口內(nèi)，覆蓋于該開口暴露的該非晶硅層上。

4.如權(quán)利要求1所述的感測(cè)裝置，其中該石墨烯層位于該非晶硅層與第二電極層之間，該石墨烯層局部覆蓋該非晶硅層，該第二電極層局部覆蓋該石墨烯層上，使得該開口暴露該石墨烯層。

5.如權(quán)利要求1所述的感測(cè)裝置，還包含一覆蓋層，設(shè)置于該主動(dòng)元件上方。

6.如權(quán)利要求5所述的感測(cè)裝置，其中該覆蓋層與該第二電極層電性相接。

7.如權(quán)利要求1所述的感測(cè)裝置，其中該第二電極層的材質(zhì)包括銅、鎳、鐵、金、鎳/金雙層金屬層、鈦/金雙層金屬層、銅鎳合金、金鎳合金、鈦/鋁/鈦三層金屬層或鉬/鋁/鉬三層金屬層。

8.如權(quán)利要求1所述的感測(cè)裝置，其中該非晶硅層的厚度介于500埃至15000埃之間，該石墨烯層的層數(shù)介于一層至五層之間。

9.如權(quán)利要求1所述的感測(cè)裝置，其中該石墨烯層可為P型石墨烯層或未摻雜的石墨烯層。

10.如權(quán)利要求1所述的感測(cè)裝置，還包括一第一保護(hù)層，覆蓋該主動(dòng)元件以及該感測(cè)元件的該第一電極層，其中該第一保護(hù)層具有一第一開口，該第一開口暴露該第一電極層，且該非晶硅層填入該第一開口以與該第一電極層接觸。

11.如權(quán)利要求10所述的感測(cè)裝置，還包括一第二保護(hù)層，覆蓋該第一保護(hù)層以及該非晶硅層，其中該第二保護(hù)層具有一第二開口，該第二開口對(duì)應(yīng)該第二電極層的該開口且暴露該非晶硅層。

12.如權(quán)利要求11所述的感測(cè)裝置，其中該第二保護(hù)層的厚度介于500埃至15000埃之間。

13.如權(quán)利要求10所述的感測(cè)裝置，還包括一第二保護(hù)層，覆蓋該第二電極層以及該石墨烯層，其中該第二保護(hù)層具有一接觸窗，暴露出該第二電極層。

14.如權(quán)利要求13所述的感測(cè)裝置，還包括一信號(hào)線，其中該信號(hào)線通過(guò)該接觸窗電性連接于該第二電極層。

15.如權(quán)利要求1所述的感測(cè)裝置，其中該主動(dòng)元件包括：

一柵極、一柵極絕緣層與一溝道層，其中該柵極絕緣層位于該柵極與該溝道層之間，該溝道層于垂直投影方向與該柵極至少部分重疊；以及

一源極以及一漏極，位于該溝道層兩側(cè)，其中該感測(cè)元件的該第一電極層與該漏極電性連接。

16.如權(quán)利要求15所述的感測(cè)裝置，還包含一覆蓋層，設(shè)置于該溝道層上方。