[發(fā)明專(zhuān)利]具有電磁干擾屏蔽層的半導(dǎo)體封裝體、其制造方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201410436314.6
• 申請(qǐng)日: 2014-08-29
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN104733444B
• 公開(kāi)（公告）日: 2019-05-28
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 崔*柱;金宗鉉
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 愛(ài)思開(kāi)海力士有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): H01L23/60
• 分類(lèi)號(hào): H01L23/60;H01L21/50
• 代理公司: 北京弘權(quán)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 11363
• 代理人: 俞波;許偉群

提供了半導(dǎo)體封裝體。在一些實(shí)施例中，所述半導(dǎo)體封裝體包括：襯底；第一接地線(xiàn)，其包括沿著襯底的邊緣設(shè)置的第一內(nèi)部接地線(xiàn)、和在第一內(nèi)部接地線(xiàn)與襯底的側(cè)壁之間的多個(gè)第一延伸接地線(xiàn)；芯片，其在襯底上；模制構(gòu)件，其被設(shè)置于襯底上以覆蓋芯片；以及電磁干擾EMI屏蔽層，其覆蓋模制構(gòu)件，EMI屏蔽層沿著襯底的側(cè)壁延伸，并且接觸多個(gè)第一延伸接地線(xiàn)的端部。多個(gè)第一延伸接地線(xiàn)包括暴露在襯底的側(cè)壁處的端部。

相關(guān)申請(qǐng)的交叉引用

本申請(qǐng)要求2013年12月23日向韓國(guó)知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交的申請(qǐng)?zhí)枮?0-2013-0160949的韓國(guó)專(zhuān)利申請(qǐng)的優(yōu)先權(quán)，其全部?jī)?nèi)容通過(guò)引用合并于此。

技術(shù)領(lǐng)域

本公開(kāi)的實(shí)施例涉及半導(dǎo)體封裝體，并且更具體地涉及具有電磁干擾(EMI)屏蔽層的半導(dǎo)體封裝體、其制造方法、包括其的電子系統(tǒng)以及包括其的存儲(chǔ)卡。

背景技術(shù)

當(dāng)從電子電路或電子系統(tǒng)產(chǎn)生的高頻噪聲影響其它電路或其他系統(tǒng)的性能時(shí)，電磁干擾(EMI)發(fā)生。電磁干擾也可能對(duì)人類(lèi)有不利影響。通常情況下，試圖抑制電磁干擾包括設(shè)計(jì)電子電路(或電子系統(tǒng))來(lái)防止高頻噪聲的產(chǎn)生、屏蔽電子電路(或電子系統(tǒng))來(lái)防止高頻噪聲的傳播等。

發(fā)明內(nèi)容

各種實(shí)施例涉及具有EMI屏蔽層的半導(dǎo)體封裝體、其制造方法、包括其的電子系統(tǒng)以及包括其的存儲(chǔ)卡。

根據(jù)一些實(shí)施例，一種半導(dǎo)體封裝體，包括：襯底；第一接地線(xiàn)，其包括沿著襯底的邊緣設(shè)置的第一內(nèi)部接地線(xiàn)、和在第一內(nèi)部接地線(xiàn)與襯底的側(cè)壁之間的多個(gè)第一延伸接地線(xiàn)；芯片，其在襯底上；模制構(gòu)件，其設(shè)置在襯底上以覆蓋芯片；以及電磁干擾(EMI)屏蔽層，其覆蓋模制構(gòu)件，EMI屏蔽層沿著襯底的側(cè)壁延伸，并且接觸多個(gè)第一延伸接地線(xiàn)的端部。多個(gè)第一延伸接地線(xiàn)包括暴露在襯底的側(cè)壁處的端部。

根據(jù)進(jìn)一步的實(shí)施例，一種半導(dǎo)體封裝體包括：襯底；第一接地線(xiàn)，其包括沿著襯底的邊緣設(shè)置的第一內(nèi)部接地線(xiàn)、和在第一內(nèi)部接地線(xiàn)與襯底的側(cè)壁之間延伸的多個(gè)第一延伸接地線(xiàn)；第二接地線(xiàn)，其包括沿著襯底的邊緣設(shè)置的第二內(nèi)部接地線(xiàn)、和在第二內(nèi)部接地線(xiàn)和襯底的側(cè)壁之間延伸的多個(gè)第二延伸接地線(xiàn)；芯片，其在襯底上；模制構(gòu)件，其被設(shè)置在襯底上以覆蓋芯片；以及電磁干擾(EMI)屏蔽層，其覆蓋模制構(gòu)件且沿著襯底的側(cè)壁延伸。多個(gè)第一延伸接地線(xiàn)包括暴露在襯底的側(cè)壁處的端部。多個(gè)第二延伸接地線(xiàn)包括暴露在襯底的側(cè)壁處的端部。EMI屏蔽層接觸多個(gè)第一延伸接地線(xiàn)的端部和多個(gè)第二延伸接地線(xiàn)的端部。

根據(jù)進(jìn)一步的實(shí)施例，一種半導(dǎo)體封裝體包括：襯底；第一接地線(xiàn)，其包括沿著襯底的邊緣設(shè)置的第一內(nèi)部接地線(xiàn)、和在第一內(nèi)部接地線(xiàn)與襯底的側(cè)壁之間延伸的多個(gè)第一延伸接地線(xiàn)；第二接地線(xiàn)，其包括沿著襯底的邊緣設(shè)置的第二內(nèi)部接地線(xiàn)、和在第二內(nèi)部接地線(xiàn)與襯底的側(cè)壁之間延伸的多個(gè)第二延伸接地線(xiàn)；第三接地線(xiàn)，其包括沿著襯底的邊緣設(shè)置的第三內(nèi)部接地線(xiàn)、和在第三內(nèi)部接地線(xiàn)與襯底的側(cè)壁之間延伸的多個(gè)第三延伸接地線(xiàn)；芯片，其在襯底上；模制構(gòu)件，其被設(shè)置在襯底上以覆蓋芯片；以及電磁干擾(EMI)屏蔽層，其覆蓋模制構(gòu)件且延伸至在襯底的側(cè)壁上。多個(gè)第一延伸接地線(xiàn)包括暴露在襯底的側(cè)壁處的端部。多個(gè)第二延伸接地線(xiàn)包括暴露在襯底的側(cè)壁處的端部。多個(gè)第三延伸接地線(xiàn)包括暴露在襯底的側(cè)壁處的端部。EMI屏蔽層接觸多個(gè)第一延伸接地線(xiàn)的端部、多個(gè)第二延伸接地線(xiàn)的端部以及多個(gè)第三延伸接地線(xiàn)的端部。

根據(jù)進(jìn)一步的實(shí)施例，一種制造半導(dǎo)體封裝體的方法包括以下步驟：提供具有多個(gè)接地線(xiàn)的襯底條，其中多個(gè)接地線(xiàn)包括多個(gè)橫向布置的內(nèi)部接地線(xiàn)、和在多個(gè)內(nèi)部接地線(xiàn)之間延伸以將多個(gè)內(nèi)部接地線(xiàn)彼此連接的多個(gè)延伸接地線(xiàn)。芯片被附接至襯底條的頂表面。模制層形成在襯底條的頂表面上以覆蓋芯片。模制層和襯底條被分割以將襯底條分成具有側(cè)壁的多個(gè)襯底，以將模制層分成多個(gè)模制構(gòu)件，以及暴露出襯底的側(cè)壁處的延伸接地線(xiàn)的端部。形成電磁干擾(EMI)屏蔽層以覆蓋模制構(gòu)件中的每個(gè)，并且沿著每個(gè)襯底的側(cè)壁延伸。EMI屏蔽層接觸延伸接地線(xiàn)的暴露出的端部。