[發(fā)明專利]背鈍化太陽能電池背銀漿料及其制備方法、太陽能電池及其制備方法

有效

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• 申請日: 2014-08-29
• 公開（公告）號: CN105374412B
• 公開（公告）日: 2017-06-06
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 譚偉華;鹿兆巖;左靜
• 申請（專利權(quán)）人: 比亞迪股份有限公司
• 主分類號: H01L31/0224
• 分類號: H01L31/0224;H01L31/18;H01B1/22;H01B13/00
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及太陽能電池技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種背鈍化太陽能電池背銀漿料及其制備方法、采用該背鈍化太陽能電池背銀漿料制備太陽能電池的方法以及由該方法制備得到的太陽能電池。

背景技術(shù)

隨著太陽能行業(yè)的發(fā)展及競爭加劇，客戶對太陽能電池的效率要求越來越高，行業(yè)準入門檻也在提高，因此需要探索更多產(chǎn)業(yè)化技術(shù)實現(xiàn)太陽能電池轉(zhuǎn)換效率的提升。目前太陽能電池正面技術(shù)已經(jīng)很成熟，提升轉(zhuǎn)換效率的關(guān)注點逐漸轉(zhuǎn)向還有很大潛力的背面。借助原子層沉積（ALD）技術(shù)背面沉積氧化鋁鈍化層的背鈍化電池成為目前一個亮點。鈍化發(fā)射區(qū)和背表面鈍化電池(PERC)主要基于氧化鋁對于P型硅片良好的鈍化效果，可以顯著提升太陽能電池的Isc和Voc，從而提升效率。

目前背鈍化電池的工藝流程一般如下，在刻蝕工序（包括該工序）前與常規(guī)晶體硅電池相同，刻蝕后，采用原子層沉積技術(shù)在硅片的背光面沉積氧化鋁膜鈍化層，然后進行退火，再在正面鍍SiNx作為減反射膜，而后再在背光面的氧化鋁層上鍍一層SiNx膜作為保護層，而后在背光面上進行激光刻槽，刻槽后印刷背光面銀漿、背場鋁漿、向光面銀漿，漿料的印刷與燒結(jié)工藝與常規(guī)電池類似，燒結(jié)后得到背鈍化晶體硅太陽電池片。

電池的背光面由于有氧化鋁及氮化硅沉積層，兩者都不導(dǎo)電，并且漿料無法穿透，雖然有激光開槽以保證鋁漿或背銀漿與硅襯底接觸，但激光開槽的面積小，且背銀的印刷面積小，背銀與硅襯底接觸的面積更小，因此，采用目前常規(guī)的背銀漿印刷該硅片，燒結(jié)后的殘余物與硅的附著強度大大降低。從而導(dǎo)致背電極與鋁背場與硅的附著強度降低。采用目前常規(guī)的背銀漿印刷附有鈍化層的電池片，在進行背電極與光伏焊帶的剝離測試時，背電極與硅的附著強度往往達不到行業(yè)要求。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明解決了現(xiàn)有技術(shù)中的常規(guī)背光面銀導(dǎo)電漿料運用在背面鈍化的晶體硅太陽電池上時，背面電極與硅的附著強度不高、剝離測試達不到行業(yè)要求的技術(shù)問題，從而提供一種適用于背面鈍化及保護的晶體硅太陽電池的背光面銀導(dǎo)電漿料。

具體地，本發(fā)明的技術(shù)方案為：

一種背鈍化太陽能電池背銀漿料，所述背鈍化太陽能電池背銀漿料中含有微米銀粉、納米銀粉、無機玻璃粉和有機載體；所述無機玻璃粉由80-92wt%的組分X和8-20wt%的組分Y組成，所述組分X為PbO和/或Bi₂O₃，所述組分Y為B₂O₃。

所述背鈍化太陽能電池背銀漿料的制備方法，包括將微米銀粉、納米銀粉、無機玻璃粉分散于有機載體中，研磨后得到所述背鈍化太陽能電池背銀漿料；

或者，先將納米銀粉分散于部分有機載體中形成納米銀漿，再往納米銀漿中加入無機玻璃粉，然后在攪拌的條件下分多次加入微米銀粉，繼續(xù)攪拌后研磨，得到所述背鈍化太陽能電池背銀漿料。

一種太陽能電池的制備方法，包括以下步驟：先在硅片背光面依次印刷背面銀漿和背場鋁漿，烘干后在硅片向光面印刷正面銀漿，入隧道爐烘干并燒結(jié)，得到所述太陽能電池；所述背面銀漿為本發(fā)明提供的太陽能電池背銀漿料。

一種太陽能電池，所述太陽能電池由本發(fā)明提供的制備方法制備得到。

或者一種太陽能電池，該太陽能電池包括位于電池正表面的正面電極，電池背表面的背面電極和鋁背場，所述電池背表面為拋光表面并沉積或生長有鈍化層，在鈍化層之上鍍有氮化硅膜，所述背面電極為上述太陽能電池背銀漿料在電池背表面印刷燒結(jié)得到。

采用本發(fā)明提供的背銀漿料印刷于背鈍化的硅基底背面，可形成光滑致密的背面電極，且其與硅基底附著力良好，與光伏焊帶的焊接拉力測試也符合目前光伏行業(yè)的要求。采用該背銀漿料制備得到的太陽能電池的光電轉(zhuǎn)化效率得到有效提高。

具體實施方式

本發(fā)明中，對于粉體粒徑的描述中涉及D₅₀、D₁₀₀，此為現(xiàn)有技術(shù)中對粉體粒徑的常規(guī)標識途徑。D₅₀稱為中位徑或中值粒徑，表示一個樣品的累積粒度分布百分數(shù)達到50%時所對應(yīng)的粒徑；D₁₀₀稱為最大粒徑，表示一個樣品的累積粒度分布百分數(shù)達到100%時所對應(yīng)的粒徑。