[發(fā)明專利]一種有機(jī)電致發(fā)光器件及其制備方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201410429378.3
• 申請(qǐng)日: 2014-08-27
• 公開（公告）號(hào): CN104201292B
• 公開（公告）日: 2019-02-12
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 張粲
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 京東方科技集團(tuán)股份有限公司
• 主分類號(hào): H01L51/52
• 分類號(hào): H01L51/52;H01L51/54;H01L51/56
• 代理公司: 北京同達(dá)信恒知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11291
• 代理人: 黃志華

1.一種有機(jī)電致發(fā)光器件，包括多個(gè)陣列分布的像素單元；每一個(gè)所述像素單元包括發(fā)光區(qū)域和透明區(qū)域，且每一個(gè)所述像素單元包括：

襯底基板；

形成于所述襯底基板上的TFT薄膜晶體管開關(guān)；

依次設(shè)置于所述薄膜晶體管開關(guān)背離襯底基板一側(cè)的平坦層、第一電極、像素界定層、有機(jī)層、以及第二電極；所述第一電極位于所述像素單元的發(fā)光區(qū)域；其特征在于，所述平坦層和所述像素界定層中的至少一層僅設(shè)置在所述像素單元的發(fā)光區(qū)域內(nèi)；所述有機(jī)層和所述第二電極設(shè)置在所述像素單元的發(fā)光區(qū)域和透明區(qū)域；所述像素界定層覆蓋所述平坦層的側(cè)壁；

其中，所述薄膜晶體管開關(guān)包括：

設(shè)置于所述襯底基板上的半導(dǎo)體有源層，所述半導(dǎo)體有源層位于所述像素單元的發(fā)光區(qū)域內(nèi)；

設(shè)置于所述半導(dǎo)體有源層上的柵絕緣層；

設(shè)置于所述柵絕緣層上的柵極，所述柵極位于所述像素單元的發(fā)光區(qū)域內(nèi)；

設(shè)置于所述柵極上的層間絕緣層；

設(shè)置于所述層間絕緣層上的源漏極，所述源漏極位于所述像素單元的發(fā)光區(qū)域內(nèi)；

設(shè)置于所述源漏極上的鈍化層；

所述半導(dǎo)體有源層與所述襯底基板之間還設(shè)有緩沖層，且所述緩沖層僅設(shè)置在所述像素單元的發(fā)光區(qū)域。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于，所述平坦層和所述像素界定層僅設(shè)置在所述像素單元的發(fā)光區(qū)域內(nèi)。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于，所述柵絕緣層僅設(shè)置在所述像素單元的發(fā)光區(qū)域。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于，所述層間絕緣層僅設(shè)置在所述像素單元的發(fā)光區(qū)域。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于，所述鈍化層僅設(shè)置在所述像素單元的發(fā)光區(qū)域。

6.一種如權(quán)利要求1～5任一項(xiàng)所述的有機(jī)電致發(fā)光器件 的制備方法，其特征在于，包括：

在襯底基板上制備薄膜晶體管器件；

在薄膜晶體管器件背離所述襯底基板的一側(cè)形成平坦層，并通過構(gòu)圖工藝將位于像素單元的透明區(qū)域內(nèi)的部分去除；

在所述平坦層上形成第一電極層，并通過構(gòu)圖工藝形成第一電極的圖形；

在所述第一電極上形成像素界定層，并通過構(gòu)圖工藝形成像素界定層位于像素單元透明區(qū)域內(nèi)的部分去除；

在像素界定層上形成有機(jī)層；

在有機(jī)層上形成第二電極；

其中，所述在襯底基板上制備薄膜晶體管器件，具體包括：

在襯底基板上形成緩沖層，并通過構(gòu)圖工藝將所述緩沖層位于像素單元的透明區(qū)域內(nèi)的部分去除；

在襯底基板的緩沖層上形成半導(dǎo)體有源層，并通過構(gòu)圖工藝形成半導(dǎo)體有源層的圖案，所述半導(dǎo)體有源層位于所述像素單元的發(fā)光區(qū)域內(nèi)；

在所述半導(dǎo)體有源層上形成柵絕緣層；

在所述柵絕緣層上形成柵極金屬層，并通過構(gòu)圖工藝形成柵極的圖案，所述柵極位于所述像素單元的發(fā)光區(qū)域內(nèi)；

在所述柵極上形成層間絕緣層；

在層間絕緣層上形成源漏極金屬層，并通過構(gòu)圖工藝形成源漏極的圖案，所述源漏極位于所述像素單元的發(fā)光區(qū)域內(nèi)；

在所述源漏極上形成鈍化層。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的制備方法，其特征在于，所述在所述半導(dǎo)體有源層上形成柵絕緣層，具體包括：

在所述半導(dǎo)體有源層上形成柵絕緣層，并通過構(gòu)圖工藝將所述緩沖層位于像素單元的透明區(qū)域內(nèi)的部分去除。

8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的制備方法，其特征在于，所述在所述柵極上形成層間絕緣層，具體包括：

在所述柵極上形成層間絕緣層，并通過構(gòu)圖工藝將所述層間絕緣層位于像素單元的透明區(qū)域內(nèi)的部分去除。

9.根據(jù)權(quán)利要求6所述的制備方法，其特征在于，所述在所述源漏極上形成鈍化層，具體包括：

在所述源漏極上形成鈍化層，并通過構(gòu)圖工藝將所述鈍化層位于像素單元的透明區(qū)域內(nèi)的部分去除。