[發明專利]存儲器的寄生電容測試結構

在審

• 申請號: 201410428919.0
• 申請日: 2014-08-27
• 公開（公告）號: CN105448349A
• 公開（公告）日: 2016-03-30
• 發明（設計）人: 張弓;王穎倩
• 申請（專利權）人: 中芯國際集成電路制造(上海)有限公司
• 主分類號: G11C29/56
• 分類號: G11C29/56
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 應戰;駱蘇華

技術領域

本發明涉及半導體制作領域，特別涉及一種存儲器的寄生電容測試結構。

背景技術

靜態隨機存儲器(StaticRandomAccessMemory，SRAM)作為存儲器中的一員，具有高速度、低功耗與標準工藝相兼容等優點，廣泛應用于電腦、個人通信、消費電子產品(智能卡、數碼相機、多媒體播放器)等領域。

圖1為現有6T結構的SRAM存儲器的存儲單元的電路結構示意圖，所述存儲單元包括：第一PMOS晶體管P1、第二PMOS晶體管P2、第一NMOS晶體管N1、第二NMOS晶體管N2、第三NMOS晶體管N3以及第四NMOS晶體管N4。

所述第一PMOS晶體管P1、第二PMOS晶體管P2、第一NMOS晶體管N1、第二NMOS晶體管N2形成雙穩態電路，所述雙穩態電路形成一個鎖存器用于鎖存數據信息。所述第一PMOS晶體管P1和第二PMOS晶體管P2為上拉晶體管；所述第一NMOS晶體管N1和第二NMOS晶體管N2為下拉晶體管。第三NMOS晶體管N3和第四NMOS晶體管N4為傳輸晶體管。

第一PMOS晶體管P1的柵極、第一NMOS晶體管N1的柵極、第二PMOS晶體管P2的漏極、第二NMOS晶體管N2的漏極、第四NMOS晶體管N4的源極電連接，形成第一存儲節點11；第二PMOS晶體管P2的柵極、第二NMOS晶體管N2的柵極、第一PMOS晶體管P1的漏極、第一NMOS晶體管N1的漏極、第三NMOS晶體管N3的源極電連接，形成第二存儲節點12。

第三NMOS晶體管N3和第四NMOS晶體管N4的柵極與字線WL電連接；第三NMOS晶體管N3的漏極與第一位線AL電連接，第四NMOS晶體管N4的漏極與第二位線(互補位線)BLB電連接；第一PMOS晶體管P1的源極和第二PMOS晶體管P2的源極與電源線Vdd電連接；第一NMOS晶體管N1的源極和第二NMOS晶體管N2的源極與地線Vss電連接。

在對所述SRAM存儲器進行讀操作時，會有電流從高電平的第一位線AL、第二位線ALB流向低電平的第一存儲節點11或第二存儲節點12；在對所述SRAM存儲器進行寫操作時，會有電流從高電平的第一存儲節點11或第二存儲節點12流向低電平的第一位線AL或第二位線ALB。

為了獲得制作的SRAM存儲器電學性能，需要對SRAM存儲器的性能參數進行測試，其中，寄生電容是衡量SRAM存儲器的電學性能的一種重要的參數。

現有技術在進行寄生電容測試時，由于SRAM存儲器相比于邏輯器件具有更小的設計規則，而實際SRAM單元的版圖設計也比單個邏輯器件更為復雜，因此實際SRAM器件中的寄生電容參數與分立的邏輯器件模型參數并不完全等效，若在SRAM存儲器寄生電容測試模型中完全沿用邏輯器件寄生電容的模型參數，勢必會對寄生電容的測試結構的準確性和測試效率產生較大影響。

發明內容

本發明解決的問題是怎樣提高現有的存儲器的寄生電容的測試精度和測試效率。

為解決上述問題，本發明提供一種存儲器的寄生電容測試結構，包括：電源端、第一脈沖輸出端、第二脈沖輸出端、第一PMOS晶體管、第二PMOS晶體管、第一NMOS晶體管、第二NMOS晶體管、待測試的存儲器，其中，所述待測試的存儲器包括接地端、若干存儲單元，以及與若干存儲單元電連接的字線和位線；所述第一脈沖輸出端用于輸出第一脈沖信號，第二脈沖輸出端用于輸出第二脈沖信號；所述第一PMOS晶體管的柵極與第二PMOS晶體管的柵極電連接且與第一脈沖輸出端電連接，所述第一PMOS晶體管的漏極和第二PMOS晶體管的漏極與電源端電連接，所述第一PMOS晶體管的源極與第一NMOS晶體管的漏極電連接且與存儲器的字線或位線電連接，所述第二PMOS晶體管的源極與第二NMOS晶體管的漏極電連接，所述第一NMOS晶體管的柵極與第二NMOS晶體管的柵極電連接且與第二脈沖輸出端電連接，所述第一NMOS晶體管的源極和第二NMOS晶體管的源極與接地端電連接。

可選的，所述第一PMOS晶體管與第二PMOS晶體管相同，所述第一NMOS晶體管與第二NMOS晶體管相同。

可選的，所述第一脈沖信號和第二脈沖信號的頻率相等，且所述第二脈沖信號滯后于第一脈沖信號，所述第二脈沖信號的脈沖寬度小于第一脈沖信號的脈沖寬度。

可選的，所述第二脈沖信號的脈沖寬度為第一脈沖信號的脈沖寬度的0.2～0.9。