[發明專利]顯示面板及其制造方法有效
| 申請號: | 201410425787.6 | 申請日: | 2014-08-27 |
| 公開(公告)號: | CN104425518B | 公開(公告)日: | 2019-09-10 |
| 發明(設計)人: | 趙承奐;姜閏浩;金東朝;申永基;沈棟* | 申請(專利權)人: | 三星顯示有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/12 | 分類號: | H01L27/12;H01L21/77;G02F1/1343;G02F1/1368 |
| 代理公司: | 北京市柳沈律師事務所 11105 | 代理人: | 翟然 |
| 地址: | 韓國*** | 國省代碼: | 韓國;KR |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 顯示 面板 及其 制造 方法 | ||
技術領域
本公開涉及顯示面板和該顯示面板的制造方法。更具體地,本公開涉及具有改善的開口率的顯示面板和該顯示面板的制造方法。
背景技術
顯示面板通常包括設置在基底基板上的多個像素。基底基板包括多個像素區域和鄰近于像素區域設置的外圍區域。在這樣的顯示面板中,像素可以分別布置在像素區域中。
每個像素包括顯示元件和控制顯示元件的電路部。包括在像素中的顯示元件和電路部設置在多個像素區域中的相應像素區域中。當在平面圖中觀看時,每個像素區域的開口率通過顯示元件的面積與每個像素區域的面積之比來確定。隨著電路部變得復雜,開口率降低且顯示面板的制造工藝變得復雜。
發明內容
本公開提供具有改善的開口率的顯示面板。
本公開提供具有簡化的制造工藝的顯示面板的制造方法。
本發明的示范實施方式提供一種顯示面板,包括:其上限定像素區域和外圍區域的基底基板;設置在基底基板上的半導體圖案;設置在基底基板的像素區域中的顯示元件;以及配置為控制顯示元件的第一薄膜晶體管,其中第一薄膜晶體管包括設置在半導體圖案的第一部分上的輸入電極、設置在半導體圖案的第二部分上的輸出電極、半導體圖案的在第一部分和第二部分之間的第三部分、以及設置在第三部分上并與第三部分絕緣的控制電極。
在示范實施方式中,半導體圖案可以包括金屬氧化物半導體材料。
在示范實施方式中,第三部分可以包括鄰近于第一部分設置并包括從金屬氧化物半導體材料還原的金屬的輸入區域、鄰近于第二部分設置并包括從金屬氧化物半導體材料還原的金屬的輸出區域、以及設置在輸入區域和輸出區域之間的溝道區域。
在示范實施方式中,輸入區域和輸出區域可以具有自第三部分的上表面的預定厚度,輸入區域和輸出區域的每個可以包括包含被還原的金屬的金屬層。
在示范實施方式中,顯示面板可以還包括:設置在基底基板的外圍區域中并連接到第一薄膜晶體管的輸入電極的數據線;設置在基底基板的外圍區域中并連接到第一薄膜晶體管的控制電極的柵線,其中數據線設置在半導體圖案上。
在示范實施方式中,顯示面板可以還包括:配置為控制顯示元件的驅動電流的第二薄膜晶體管;以及電容器,包括連接到第一薄膜晶體管的輸出電極的下電極和連接到第二薄膜晶體管的控制電極的上電極,其中顯示元件包括有機發光二極管。
在示范實施方式中,第一薄膜晶體管的輸出電極和下電極可以包括彼此相同的材料,第二薄膜晶體管的控制電極和上電極可以包括彼此相同的材料。
在示范實施方式中,第一薄膜晶體管的輸出電極和下電極可以設置在彼此相同的層中,第二薄膜晶體管的控制電極和上電極可以設置在彼此相同的層中。
在示范實施方式中,有機發光二極管可以包括:連接到第二薄膜晶體管的輸出電極的第一電極;設置在第一電極上的有機發光層;以及設置在有機發光層上的第二電極。
在示范實施方式中,第二薄膜晶體管的控制電極和有機發光二極管的第一電極可以包括彼此相同的材料。
在示范實施方式中,顯示面板可以還包括:面對基底基板的相對基板;以及夾置在基底基板和相對基板之間的液晶層,其中顯示元件包括液晶電容器。
本發明的示范實施方式提供一種顯示面板,包括:基底基板;設置在基底基板上的金屬氧化物半導體圖案;設置在基底基板上的顯示元件;以及配置為控制顯示元件的薄膜晶體管,其中薄膜晶體管包括:設置在金屬氧化物半導體圖案的第一部分上的輸入電極、金屬氧化物半導體圖案的連接到第一部分的第二部分、連接到金屬氧化物半導體圖案的第二部分并包括從金屬氧化物半導體圖案還原的金屬的輸出電極、以及設置在金屬氧化物半導體圖案的第二部分上并與第二部分絕緣的控制電極。
本發明的示范實施方式提供一種顯示面板的制造方法,包括:在限定有像素區域和外圍區域的基底基板上提供半導體層和導電層;圖案化半導體層和導電層以形成包括第一部分、第二部分和第三部分的半導體圖案,并形成薄膜晶體管的設置在第一部分上的輸入電極以及薄膜晶體管的設置在第二部分上的輸出電極,其中半導體圖案的第三部分在第一部分和第二部分之間;提供薄膜晶體管的控制電極以交疊第三部分的第一部并與半導體圖案絕緣,其中第三部分的第二部被控制電極暴露;以及在像素區域中提供連接到輸出電極的顯示元件。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





