[發明專利]顯示面板及其制造方法有效
| 申請號: | 201410425787.6 | 申請日: | 2014-08-27 |
| 公開(公告)號: | CN104425518B | 公開(公告)日: | 2019-09-10 |
| 發明(設計)人: | 趙承奐;姜閏浩;金東朝;申永基;沈棟* | 申請(專利權)人: | 三星顯示有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/12 | 分類號: | H01L27/12;H01L21/77;G02F1/1343;G02F1/1368 |
| 代理公司: | 北京市柳沈律師事務所 11105 | 代理人: | 翟然 |
| 地址: | 韓國*** | 國省代碼: | 韓國;KR |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 顯示 面板 及其 制造 方法 | ||
1.一種顯示面板,包括:
基底基板,其上限定像素區域和外圍區域;
半導體圖案,設置在所述基底基板上;
顯示元件,設置在所述基底基板的所述像素區域中;以及
第一薄膜晶體管,配置為控制所述顯示元件,其中所述第一薄膜晶體管包括:
輸入電極,設置在所述半導體圖案的第一部分上;
輸出電極,設置在所述半導體圖案的第二部分上;
所述半導體圖案的在所述第一部分和第二部分之間的第三部分;以及
控制電極,設置在所述第三部分上并與所述第三部分絕緣。
2.如權利要求1所述的顯示面板,其中所述半導體圖案包括金屬氧化物半導體材料。
3.如權利要求2所述的顯示面板,其中所述第三部分包括:
輸入區域,鄰近于所述第一部分設置并包括從所述金屬氧化物半導體材料還原的金屬;
輸出區域,鄰近于所述第二部分設置并包括從所述金屬氧化物半導體材料還原的金屬;以及
溝道區域,設置在所述輸入區域和所述輸出區域之間。
4.如權利要求3所述的顯示面板,其中
所述輸入區域和所述輸出區域具有自所述第三部分中的所述金屬氧化物半導體材料的上表面的預定厚度,并且
所述輸入區域和輸出區域的每個包括包含所述還原金屬的金屬層。
5.如權利要求2所述的顯示面板,還包括:
數據線,設置在所述基底基板的所述外圍區域中并連接到所述第一薄膜晶體管的所述輸入電極;以及
柵線,設置在所述基底基板的所述外圍區域中并連接到所述第一薄膜晶體管的所述控制電極,
其中所述數據線設置在所述半導體圖案上。
6.如權利要求2所述的顯示面板,還包括:
第二薄膜晶體管,配置為控制所述顯示元件的驅動電流;以及
電容器,包括:
下電極,連接到所述第一薄膜晶體管的所述輸出電極;以及
上電極,連接到所述第二薄膜晶體管的控制電極,
其中所述顯示元件包括有機發光二極管。
7.如權利要求6所述的顯示面板,其中
所述第一薄膜晶體管的所述輸出電極和所述下電極包括彼此相同的材料,并且
所述第二薄膜晶體管的所述控制電極和所述上電極包括彼此相同的材料。
8.如權利要求6所述的顯示面板,其中
所述第一薄膜晶體管的所述輸出電極和所述下電極設置在彼此相同的層中,并且
所述第二薄膜晶體管的所述控制電極和所述上電極設置在彼此相同的層中。
9.如權利要求6所述的顯示面板,其中所述有機發光二極管包括:
第一電極,連接到所述第二薄膜晶體管的輸出電極;
有機發光層,設置在所述第一電極上;以及
第二電極,設置在所述有機發光層上。
10.如權利要求9所述的顯示面板,其中所述第二薄膜晶體管的所述控制電極和所述有機發光二極管的所述第一電極包括彼此相同的材料。
11.如權利要求1所述的顯示面板,還包括:
相對基板,面對所述基底基板;和
液晶層,夾置在所述基底基板和所述相對基板之間,
其中所述顯示元件包括液晶電容器。
12.一種顯示面板,包括:
基底基板;
金屬氧化物半導體圖案,設置在所述基底基板上;
顯示元件,設置在所述基底基板上;以及
薄膜晶體管,配置為控制所述顯示元件,其中所述薄膜晶體管包括:
輸入電極,設置在所述金屬氧化物半導體圖案的第一部分上;
所述金屬氧化物半導體圖案的第二部分,連接到所述第一部分;
輸出電極,連接到所述金屬氧化物半導體圖案的第二部分并包括從所述金屬氧化物半導體圖案還原的金屬;以及
控制電極,設置在所述金屬氧化物半導體圖案的第二部分上并與所述第二部分絕緣。
13.如權利要求12所述的顯示面板,其中所述第二部分包括:
輸入區域,連接到所述第一部分并包括從所述金屬氧化物半導體圖案還原的金屬;以及
溝道區域,連接到所述輸入區域并交疊所述控制電極。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





