[發(fā)明專利]一種溝槽柵IGBT芯片

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201410421724.3
• 申請日: 2014-08-25
• 公開（公告）號: CN104157684B
• 公開（公告）日: 2017-02-08
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 劉國友;覃榮震;黃建偉
• 申請（專利權(quán)）人: 株洲南車時代電氣股份有限公司
• 主分類號: H01L29/739
• 分類號: H01L29/739;H01L29/06
• 代理公司: 北京集佳知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司11227
• 代理人: 王寶筠

1.一種溝槽柵IGBT芯片，包括常規(guī)柵極和若干個虛柵極，所述常規(guī)柵極和所述虛柵極對應(yīng)的溝槽內(nèi)填充有第一多晶硅層，所述溝槽設(shè)置在襯底內(nèi)部，其特征在于，還包括：位于襯底表面上方的第二多晶硅層和柵極區(qū)，所述襯底與所述第二多晶硅層之間通過絕緣層隔離；

其中，所述第二多晶硅層包括第一多晶硅子層和第二多晶硅子層；

所述第一多晶硅子層用于將所述常規(guī)柵極對應(yīng)的溝槽內(nèi)的第一多晶硅層引出到襯底表面；所述第一多晶硅子層還用于實現(xiàn)所述第二多晶硅子層與所述柵極區(qū)連接；

所述第二多晶硅子層用于根據(jù)預(yù)設(shè)條件選擇性地將虛柵極對應(yīng)溝槽內(nèi)的第一多晶硅層引出到襯底表面；所述預(yù)設(shè)條件為根據(jù)芯片開關(guān)響應(yīng)速度確定的RC時間常數(shù)。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的芯片，其特征在于，所述第二多晶硅子層為多個，所述第二多晶硅層還包括第三多晶硅子層，所述第三多晶硅子層用于實現(xiàn)多個第二多晶硅子層之間的互連。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的芯片，其特征在于，所述第三多晶硅子層還用于連接所述第二多晶硅子層與所述第一多晶硅子層。

4.根據(jù)權(quán)利要求1-3任一項所述的芯片，其特征在于，所述第二多晶硅層還包括第四多晶硅子層，所述第四多晶硅子層用于連接所述柵極區(qū)和所述第一多晶硅子層。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的芯片，其特征在于，所述芯片包括元胞區(qū)，所述第四多晶硅子層為包圍芯片元胞區(qū)的閉合條狀結(jié)構(gòu)。

6.根據(jù)權(quán)利要求1-3任一項所述的芯片，其特征在于，所述第二多晶硅子層的長度和/或個數(shù)根據(jù)所述預(yù)設(shè)條件確定。

7.根據(jù)權(quán)利要求1-3任一項所述的芯片，其特征在于，所述第三多晶硅子層的寬度根據(jù)所述預(yù)設(shè)條件確定。

8.根據(jù)權(quán)利要求1-3任一項所述的芯片，其特征在于，所述虛柵極包括第一虛柵極和第二虛柵極，所述第一虛柵極對應(yīng)溝槽內(nèi)的第一多晶硅層被所述第二多晶硅子層引出的虛柵極，所述第二虛柵極對應(yīng)溝槽內(nèi)的第一多晶硅層未被所述第二多晶硅子層引出的虛柵極，所述第二多晶硅子層的邊緣與所述第二虛柵極的邊緣不相交。