[發明專利]芯片裝置、分析設備、容納容器和容納容器系統

有效

• 申請號: 201410421606.2
• 申請日: 2014-08-25
• 公開（公告）號: CN104425869B
• 公開（公告）日: 2018-04-27
• 發明（設計）人: G·霍爾韋格;T·亨德爾;G·霍弗;W·帕赫勒
• 申請（專利權）人: 英飛凌科技股份有限公司
• 主分類號: H01Q1/22
• 分類號: H01Q1/22;H01Q1/38;H01Q7/00;H04B5/00;G06K19/077
• 代理公司: 北京市金杜律師事務所11256
• 代理人: 鄭立柱

1.一種芯片裝置(10)，其具有：

-第一芯片(14)，其具有整體地集成在所述第一芯片(14)之中的、用于與外部的讀取和/或寫入裝置通信的第一天線(16)；

-第二芯片(18)，其具有整體地集成在所述第二芯片(18)之中的、用于與所述外部的讀取和/或寫入裝置通信的第二天線(20)；

-增益天線(22)，其為了提高所述第一天線(16)的可達范圍而在第一耦合區域(24)中與所述第一天線(16)相耦合并且為了提高所述第二天線(20)的可達范圍而在第二耦合區域(28)中與所述第二天線(20)相耦合；

-支撐件(12)，其具有第一凹槽(32)和第二凹槽(34)，所述第一芯片(14)設置在所述第一凹槽(32)之中并且所述第二芯片(18)設置在所述第二凹槽(34)之中；以及

-其中，所述第一耦合區域(24)被構造在所述第一凹槽(32)之中，和/或嵌入至接近所述第一凹槽(32)的支撐件的材料之中，并且

-所述第二耦合區域(28)被構造在所述第二凹槽(34)之中，和/或嵌入至接近所述第二凹槽(34)的支撐件的材料之中。

2.根據權利要求1所述的芯片裝置(10)，其中，所述增益天線(22)與所述第一天線(16)電感式耦合，和/或其中，所述增益天線(22)與所述第二天線(20)電感式耦合。

3.根據權利要求1所述的芯片裝置(10)，在所述支撐件(12)之上設置有所述第一芯片(14)、所述第二芯片(18)和所述增益天線(22)。

4.根據權利要求1所述的芯片裝置(10)，其中，所述增益天線(22)圍繞一個區域延伸，所述第一和所述第二芯片(14、18)設置在所述區域之中。

5.根據權利要求3或4所述的芯片裝置(10)，其中，所述增益天線(22)環繞所述第一耦合區域(24)和所述第二耦合區域(28)延伸。

6.根據權利要求3或4所述的芯片裝置(10)，其中，所述增益天線(22)具有導電材料，所述導電材料被壓制在所述支撐件(12)之上。

7.根據權利要求3或4所述的芯片裝置(10)，其具有：

-第一探測天線(26)，其被設置在所述第一耦合區域(24)之中、與所述增益天線(22)電耦合并且所述增益天線(22)通過所述第一探測天線而與所述第一天線(16)相耦合；并且

-第二探測天線(30)，其被設置在所述第二耦合區域(28)之中、與所述增益天線(22)電耦合并且所述增益天線(22)通過所述第二探測天線而與所述第二天線(20)相耦合。

8.根據權利要求3或4所述的芯片裝置(10)，其具有多于兩個芯片，所述多于兩個芯片分別具有整體地集成在相應的芯片之中的、用于與外部的讀取和/或寫入裝置通信的天線，其中，所述增益天線(22)為了提高相應的天線的可達范圍而在相應的耦合區域中與所述相應的天線相耦合。

9.一種用于確定流體的至少一個屬性的分析設備(39)，其中，所述分析設備(39)具有根據權利要求1至8中任一項所述的芯片裝置(10)，其中，所述第一凹槽(32)被構造用于容納第一流體并且所述第二凹槽(34)被構造用于容納第二流體，并且其中，所述第一芯片(14)如此地被設置在所述第一凹槽(32)之中，從而能夠借助于所述第一芯片(14)來確定所述第一流體的所述屬性，并且其中，所述第二芯片(18)如此地被設置在所述第二凹槽(34)之中，從而能夠借助于所述第二芯片(18)來確定所述第二流體的所述屬性。