[發明專利]電容變換器及其制造方法

有效

• 申請號: 201410418443.2
• 申請日: 2014-08-22
• 公開（公告）號: CN104427447B
• 公開（公告）日: 2018-07-20
• 發明（設計）人: 虎島和敏;秋山貴弘;長谷川研二;加藤和彥
• 申請（專利權）人: 佳能株式會社
• 主分類號: H04R19/00
• 分類號: H04R19/00;H04R7/06;H04R31/00
• 代理公司: 中國國際貿易促進委員會專利商標事務所 11038
• 代理人: 楊小明

1.一種制造包含單元的電容變換器的方法，其特征在于，所述單元具有振動膜被支撐以能夠振動的結構，所述振動膜包含從第一電極跨著間隙設置的第二電極，所述方法包括以下步驟：

在第一電極上形成絕緣層；

在絕緣層上形成犧牲層；

在犧牲層上形成構成振動膜的至少一部分的層；

在構成振動膜的至少一部分的層上形成蝕刻停止層；

形成與犧牲層連通的蝕刻孔；

去除犧牲層；

形成用于密封蝕刻孔的密封層；和

蝕刻密封層的至少一部分，

其中，在蝕刻密封層的至少一部分的步驟中，去除密封層的所述至少一部分，直到到達蝕刻停止層。

2.根據權利要求1所述的方法，其中，振動膜包含夾著第二電極設置的第一膜片和第二膜片，并且，

形成構成振動膜的至少一部分的層的步驟包含在犧牲層上形成包含第一膜片的第一絕緣層、形成包含第二電極的金屬層、以及形成包含第二膜片的第二絕緣層。

3.根據權利要求2所述的方法，其中，在形成構成振動膜的至少一部分的層的步驟中，使得第一絕緣層、第二絕緣層和所述金屬層之中的具有最高應力的層的中心面比振動膜的中心面更接近所述間隙。

4.根據權利要求1所述的方法，其中，振動膜形成為具有拉伸應力，并且，蝕刻停止層形成為具有壓縮應力。

5.根據權利要求1所述的方法，其中，蝕刻密封層的至少一部分的步驟后跟去除蝕刻停止層。

6.根據權利要求1所述的方法，其中，蝕刻停止層不被去除。

7.根據權利要求1所述的方法，其中，在形成用于密封蝕刻孔的密封層的步驟中，通過等離子增強化學氣相沉積形成密封層。

8.根據權利要求1所述的方法，其中，絕緣膜形成為構成振動膜的至少一部分的所述層，

在蝕刻密封層的至少一部分的步驟中，密封層的在密封層到第一電極上的正交投影中與間隙重疊的部分的至少一部分被去除，直到到達蝕刻停止層，并且

所述方法還包括在與間隙重疊的部分的所述至少一部分中在蝕刻停止層上或者在絕緣膜上形成第二電極的步驟。

9.根據權利要求8所述的方法，其中，蝕刻停止層的在蝕刻停止層到第一電極上的正交投影中與間隙重疊的部分的至少一部分被去除。

10.根據權利要求8或9所述的方法，其中，蝕刻停止層是絕緣層。

11.根據權利要求8所述的方法，其中，絕緣膜和密封層由氮化硅制成，并且，蝕刻停止層由氧化硅制成。

12.根據權利要求1所述的方法，其中，用于形成密封層的材料與用于形成振動膜的材料相同。

13.根據權利要求1所述的方法，其中，在蝕刻密封層的至少一部分的步驟中，蝕刻停止層上的密封層被全部蝕刻掉。

14.根據權利要求1所述的方法，其中，蝕刻孔穿過蝕刻停止層和構成振動膜的至少一部分的所述層。

15.一種基于根據權利要求1所述的方法制造的電容變換器，其特征在于，

其中，振動膜包含夾著第二電極設置的第一膜片和第二膜片，并且，

其中，第一膜片、第二膜片和第二電極之中的具有最高應力的層的中心面比振動膜的中心面更接近所述間隙。

16.根據權利要求15所述的電容變換器，其中，第二電極的中心面比振動膜的中心面更接近所述間隙。