[發明專利]一種刻蝕方法

在審

• 申請號: 201410413794.4
• 申請日: 2014-08-21
• 公開（公告）號: CN105355538A
• 公開（公告）日: 2016-02-24
• 發明（設計）人: 張君;劉利堅
• 申請（專利權）人: 北京北方微電子基地設備工藝研究中心有限責任公司
• 主分類號: H01L21/02
• 分類號: H01L21/02;H01L33/00
• 代理公司: 北京天昊聯合知識產權代理有限公司 11112
• 代理人: 彭瑞欣;張天舒

1.一種刻蝕方法，用于刻蝕藍寶石襯底，其特征在于，所述方法包括以下步驟：

S1、在所述藍寶石襯底上設置具有預定高度的掩膜層；

S2、對所述掩膜層進行圖形化處理，得到具有所需圖形的掩膜；

S3、對所述掩膜進行預處理，使得所述藍寶石襯底與預處理后的掩膜之間的刻蝕選擇比大于或等于預定值，且小于1。

2.根據權利要求1所述的刻蝕方法，其特征在于，所述預定高度為2.0-2.3μm。

3.根據權利要求1所述的刻蝕方法，其特征在于，所述預定值為0.8。

4.根據權利要求1所述的刻蝕方法，其特征在于，所述預處理包括對所述掩膜進行硬烘，其中，硬烘的溫度為100-200℃，硬烘的時間為2-3min。

5.根據權利要求1所述的刻蝕方法，其特征在于，預處理后的掩膜的頂面為圓弧面。

6.根據權利要求1至5中任意一項所述的刻蝕方法，其特征在于，預處理后的掩膜的側視投影中頂寬與底寬的差值小于0.3μm。

7.根據權利要求1至5中任意一項所述的刻蝕方法，其特征在于，所述刻蝕方法還包括：

S4、對所述藍寶石襯底進行主刻蝕；

S5、對主刻蝕后的藍寶石襯底進行過刻蝕。

8.根據權利要求7所述的刻蝕方法，其特征在于，所述主刻蝕過程中，工藝腔內的氣壓為2-3mTorr。

9.根據權利要求7所述的刻蝕方法，其特征在于，所述主刻蝕過程中，刻蝕氣體的流量為60-100sccm。

10.根據權利要求7所述的刻蝕方法，其特征在于，所述主刻蝕過程中，上電極射頻功率為1500-1600W。

11.根據權利要求7所述的刻蝕方法，其特征在于，所述主刻蝕的時間為1200-1500s。

12.根據權利要求7所述的刻蝕方法，其特征在于，所述過刻蝕的時間為400-500s。