[發明專利]梯度式干法去膠方法有效
| 申請號： | 201410412283.0 | 申請日： | 2014-08-20 |
| 公開（公告）號： | CN104157566B | 公開（公告）日： | 2017-09-29 |
| 發明（設計）人： | 荊泉;高騰飛;任昱;呂煜坤;朱駿;張旭升 | 申請（專利權）人： | 上海華力微電子有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/3105 | 分類號： | H01L21/3105;G03F7/42 |
| 代理公司： | 上海天辰知識產權代理事務所(特殊普通合伙)31275 | 代理人： | 吳世華,林彥之 |
| 地址： | 201210 上海市浦*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 梯度 式干法去膠 方法 | ||
1.一種梯度式干法去膠方法，采用一具有光刻膠的晶圓，所述光刻膠表面具有經高能粒子注入后形成的硬殼；其特征在于，所述梯度式干法去膠方法包括以下步驟：
步驟01：對所述晶圓表面進行預加熱過程；所述預加熱過程采用的反應功率為400-600W；
步驟02：對所述光刻膠表面的硬殼進行軟化過程；所述軟化過程采用的反應功率為600-1200W；
步驟03：采用反應功率為1200-2500W來去除所述光刻膠表面的硬殼，在所述晶圓表面有殘余光刻膠；
步驟04：采用反應功率為2000-3000W來去除所述殘余光刻膠。
2.根據權利要求1所述的梯度式干法去膠方法，其特征在于，所述步驟01、所述步驟02和所述步驟03中，所采用的反應氣體均為O2、H2和N2的混合氣體。
3.根據權利要求2所述的梯度式干法去膠方法，其特征在于，所述步驟01中，所述預加熱過程采用的反應壓強為1-5T，反應溫度為100-200℃，反應時間為10-30sec，所述O2在所述混合氣體中的比例為50-90％。
4.根據權利要求2所述的梯度式干法去膠方法，其特征在于，所述步驟02中，提高所述H2的比例，降低所述O2的比例。
5.根據權利要求2所述的梯度式干法去膠方法，其特征在于，所述步驟02中，所述軟化過程采用的反應壓強為1-5T，反應溫度為200-300℃，反應時間為10-50sec，所述反應氣體的總流量為10000-14000sccm。
6.根據權利要求2所述的梯度式干法去膠方法，其特征在于，所述步驟03中，降低所述H2的比例，提高所述O2的比例。
7.根據權利要求2所述的梯度式干法去膠方法，其特征在于，所述步驟03中，所述去除所述光刻膠表面的硬殼，采用的反應壓強為1-5T，反應溫度為200-300℃，反應時間為10-50sec，所述反應氣體的總流量為10000-14000sccm。
8.根據權利要求1所述的梯度式干法去膠方法，其特征在于，所述步驟04中，所述去除所述殘余光刻膠，所采用的反應氣體為O2和N2的混合氣體。
9.根據權利要求6所述的梯度式干法去膠方法，其特征在于，所述步驟04中，所述去除所述殘余光刻膠，采用的反應壓強為1-5T，反應溫度為200-300℃，所述反應氣體的總流量為8000-10000sccm。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
