[發(fā)明專利]一種抗單粒子輻射效應的加固鎖存器電路

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201410412231.3
• 申請日: 2014-08-20
• 公開（公告）號: CN104202037A
• 公開（公告）日: 2014-12-10
• 發(fā)明（設計）人: 梁華國;王志;黃正峰;蔣翠云;閆愛斌;易茂祥;吳悠然
• 申請（專利權）人: 合肥工業(yè)大學
• 主分類號: H03K19/094
• 分類號: H03K19/094;H03K3/3565
• 代理公司: 安徽合肥華信知識產(chǎn)權代理有限公司 34112
• 代理人: 余成俊

1.一種抗單粒子輻射效應的加固鎖存器電路，其特征在于：包括有第一傳輸門單元、第二傳輸門單元、施密特反相器、常規(guī)輸入分離反相器、第一輸入分離鐘控反相器、第二輸入分離鐘控反相器、延遲電路和Muller?C單元電路，第一傳輸門單元和第二傳輸門單元的信號輸入端同時與數(shù)據(jù)輸入信號D端口相連接；第一傳輸門單元的輸出分別與施密特反相器的第一信號輸入端in31、常規(guī)輸入分離反相器的第二信號輸入端in42和第一輸入分離鐘控反相器的輸出端out5相連接；第二傳輸門單元的輸出分別與施密特反相器的第二信號輸入端in32、常規(guī)輸入分離反相器的第一信號輸入端in41和第二輸入分離鐘控反相器的輸出端out6相連接；施密特反相器的信號輸出端out3分別與第一輸入分離鐘控反相器的第二信號輸入端in52、第二輸入分離鐘控反相器的第一信號輸入端in61和延遲電路的信號輸入端in7相連接；常規(guī)輸入分離反相器的信號輸出端out4分別與第一輸入分離鐘控反相器的第一信號輸入端in51、第二輸入分離鐘控反相器的第二信號輸入端in62以及Muller?C單元電路的第二信號輸入端in82相連接；延遲電路的信號輸出端out7與Muller?C單元電路的第一信號輸入端in81相連接；Muller?C單元電路的信號輸出端out8為數(shù)據(jù)輸出端Q端口。

2.根據(jù)權利要求1所述的一種抗單粒子輻射效應的加固鎖存器電路，其特征在于：所述的第一傳輸門單元和第二傳輸門單元均是由一個PMOS管和一個NMOS管構成的，所述的兩個MOS管的源極相連作為傳輸門的輸入連接數(shù)據(jù)輸入信號D端口，漏極相連作為傳輸門的輸出端，柵極分別接時鐘控制信號CLK和時鐘控制信號CLKB。

3.根據(jù)權利要求1所述的一種抗單粒子輻射效應的加固鎖存器電路，其特征在于：所述的施密特反相器包括有第一PMOS管MP1、第二PMOS管MP2、第三PMOS管MP3、第一NMOS管MN1、第二NMOS管MN2、第三NMOS管MN3，第一PMOS管MP1的源極接外部電源VDD，柵極接施密特反相器的第一信號輸入端in31，漏極接第二PMOS管MP2的源極和第三PMOS管MP3的漏極；第二PMOS管源極接第一PMOS管MP1的漏極和第三PMOS管MP3的漏極，柵極接施密特反相器的第一信號輸入端in31，漏極作為輸出信號out3端口接第一NMOS管的漏極、第三PMOS管MP3的柵極和第三NMOS管MN3的柵極；第三PMOS管MP3的源極接外部地信號GND，柵極接第三NMOS管MN3的柵極、第二PMOS管MP2的漏極和第一NMOS管MN1的漏極，漏極接第一PMOS管MP1的漏極和第二PMOS管MP2的源極；第一NMOS管源極接第二NMOS管MN1的漏極和第三NMOS管MN3的漏極，柵極接施密特反相器的第二信號輸入端in32，漏極接第二PMOS管的漏極、第三PMOS管MP3的柵極和第三NMOS管MN3的柵極；第二NMOS管MN2的源極接外部地信號GND，柵極接施密特反相器的第二信號輸入端in32，漏極接第一NMOS管MN1的源極和第三NMOS管MN3的漏極；第三NMOS管MN3的源極接外部電源VDD，柵極接第三PMOS管MP3的柵極、第二PMOS管MP2的漏極和第一NMOS管MN1的漏極，漏極接第一NMOS管MN1的源極和第二NMOS管MN2的漏極。

4.根據(jù)權利要求1所述的一種抗單粒子輻射效應的加固鎖存器電路，其特征在于：所述的常規(guī)輸入分離反相器包括有第四PMOS管MP4和第四NMOS管MN4，第四PMOS管MP4的源極接外部電源VDD，柵極接常規(guī)輸入分離反相器的第一信號輸入端in41，漏極接第四NMOS管MN4的漏極并連接輸出信號端口out4；第四NMOS管MN4源極接外部地信號GND，柵極接第二信號輸入端in42，漏極接第四PMOS管MP4的漏極。