[發明專利]一種無源高增益天線

有效

• 申請號: 201410411689.7
• 申請日: 2014-08-20
• 公開（公告）號: CN104218307B
• 公開（公告）日: 2017-01-25
• 發明（設計）人: 陳斌
• 申請（專利權）人: 菲力克斯電子（寧波）有限公司
• 主分類號: H01Q1/36
• 分類號: H01Q1/36;H01Q19/10;C22C21/00;C22C21/08
• 代理公司: 寧波市鄞州盛飛專利代理事務所(普通合伙)33243
• 代理人: 張向飛

1.一種無源高增益天線，其特征在于，包括金屬輻射體，與金屬輻射體間隔設置的反射板；所述金屬輻射體上開設有呈“凹”字形的通槽，所述通槽包括第一豎向通槽、第二豎向通槽以及連通第一豎向通槽和第二豎向通槽的橫向通槽；所述第一豎向通槽和第二豎向通槽長度均為95-105毫米，寬度均為20-30毫米；所述橫向通槽長度為125-135毫米，寬度為17-18毫米；其中所述金屬輻射體由鋁合金材質制成，所述鋁合金的組成元素及其質量百分比如下：Si：0.10-0.50％，Mg：0.20-0.40％，Fe：0.20-0.50％，Cu：0.05-0.15％，Zn：0.02-0.10％，Mn≤0.10％，Ti≤0.10％，Cr≤0.10％，La：0.05-0.2％，Cs：0.05-0.1％，其他雜質元素中單項雜質元素含量≤0.025％，雜質元素總含量≤0.1％，余量為鋁。

2.根據權利要求1所述的無源高增益天線，其特征在于，所述金屬輻射體的制備方法包括如下步驟：

S1：配料：按照上述金屬輻射體所用鋁合金材質的各組成元素及其質量百分比配料；

S2：熔煉：將上述配料熔煉成鋁液，攪拌均勻后依次進行除氣處理、精煉處理、變質處理；

S3：成型：將上述處理后的鋁液擠壓成型得金屬輻射體坯件；

S4、熱處理：對澆注后的機架坯件進行熱處理，熱處理包括固溶處理和時效處理，其中固溶處理溫度為520-540℃，保溫0.5-2h后立即進行淬火處理，人工時效處理溫度為230-260℃，保溫20-30h后自然冷卻得金屬輻射體。

3.根據權利要求2所述的無源高增益天線，其特征在于，金屬輻射體制備方法的步驟S2中所述的熔煉溫度為680-720℃。

4.根據權利要求2所述的無源高增益天線，其特征在于，金屬輻射體制備方法的步驟S2中所述的精煉處理中使用的精煉劑為氯化鋅、氯化錳、氯化鉀、氯化鈉、六氯乙烷、四氯化碳中的一種或多種，精煉劑的用量為0.1-0.5％，精煉處理的溫度為700-720℃，精煉時間為10-20min。

5.根據權利要求2所述的無源高增益天線，其特征在于，金屬輻射體制備方法的步驟S2中所述的變質處理中使用0.1-0.2％的鍶，變質處理溫度為690-710℃，變質時間為15-20min。

6.根據權利要求2所述的無源高增益天線，其特征在于，金屬輻射體制備方法的步驟S3中擠壓成型的壓力16-18MPa，擠壓溫度為460-500℃，擠壓速度為10-15m/min。

7.根據權利要求1所述的無源高增益天線，其特征在于，所述金屬輻射體與所述反射板的間距為32-38毫米。

8.根據權利要求7所述的無源高增益天線，其特征在于，所述反射板兩側向上傾斜延伸形成翻邊，蓋板將所述翻邊密封，蓋板、翻邊以及反射板形成容置空間，金屬輻射體位于該容置空間內。

9.根據權利要求8所述的無源高增益天線，其特征在于，還包括轉軸支架，所述轉軸支架包括轉軸、位于轉軸兩端的柱狀轉接部，與轉軸外側壁固連的支架；所述支架包括兩對稱設置的側邊，向內凹陷的弧形底邊，將兩側邊以及底邊底表面連接的底板；所述底板上設置有多條加強筋，所述加強筋一端連接至側邊，另一端連接至底邊。

10.根據權利要求9所述的無源高增益天線，其特征在于，所述反射板中部開設有條形插槽，兩樞接件固連于條形槽兩側，所述樞接件內表面形成有轉動凹槽，所述柱狀轉接部插接于轉動凹槽內。