[發(fā)明專利]一種高鍺濃度鍺硅溝道的制備方法

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201410410397.1
• 申請日: 2014-08-20
• 公開（公告）號(hào): CN104332389A
• 公開（公告）日: 2015-02-04
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 鐘旻
• 申請（專利權(quán)）人: 上海集成電路研發(fā)中心有限公司
• 主分類號(hào): H01L21/02
• 分類號(hào): H01L21/02;H01L21/336
• 代理公司: 上海天辰知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(特殊普通合伙) 31275
• 代理人: 吳世華;林彥之

1.一種高鍺濃度鍺硅溝道的制備方法，其特征在于，在硅襯底上制備低鍺濃度的鍺硅，通過氧化轉(zhuǎn)化為高鍺濃度的鍺硅以及其表面的二氧化硅，再去除表面的二氧化硅，形成高鍺濃度的鍺硅作為溝道。

2.如權(quán)利要求1所述的高鍺濃度鍺硅溝道的制備方法，其特征在于所述的低鍺濃度的鍺硅的制備方法是外延，化學(xué)氣相沉積，物理氣相沉積和原子層沉積。

3.如權(quán)利要求1所述的高鍺濃度鍺硅溝道的制備方法，其特征在于所述的低鍺濃度的鍺硅的制備溫度為25℃～600℃。

4.如權(quán)利要求1所述的高鍺濃度鍺硅溝道的制備方法，其特征在于所述的低鍺濃度的鍺硅中鍺濃度為0.1％～20％，制備的鍺硅厚度0.1～40納米。

5.如權(quán)利要求1所述的高鍺濃度鍺硅溝道的制備方法，其特征在于所述將低鍺濃度鍺硅轉(zhuǎn)化為高鍺濃度的氧化，氧化溫度為300℃～600℃，氧化反應(yīng)氣體為氧氣或水汽，氧化時(shí)間為5～100分鐘。

6.如權(quán)利要求5所述的高鍺濃度鍺硅溝道的制備方法，其特征在于所述氧化形成的高鍺濃度鍺硅中鍺的濃度為25％～50％。

7.如權(quán)利要求1所述的高鍺濃度鍺硅溝道的制備方法，其特征在于所述的高鍺濃度的鍺硅中鍺濃度分布為整體均勻的矩形分布或從表面往里濃度遞減的梯形分布。

8.如權(quán)利要求1所述的高鍺濃度鍺硅溝道的制備方法，其特征在于所述的去除表面的二氧化硅的方法是刻蝕或化學(xué)機(jī)械拋光。

9.如權(quán)利要求8所述的高鍺濃度鍺硅溝道的制備方法，其特征在于所述的刻蝕是濕法刻蝕或干法刻蝕。

10.如權(quán)利要求9所述的高鍺濃度鍺硅溝道的制備方法，其特征在于所述的濕法刻蝕采用稀氫氟酸溶液為腐蝕藥液，濃度為0.1％～30％。