[發(fā)明專利]像素結(jié)構(gòu)、陣列基板及顯示器件

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201410407608.6
• 申請(qǐng)日: 2014-08-18
• 公開（公告）號(hào): CN104133334A
• 公開（公告）日: 2014-11-05
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 莊崇營(yíng);胡君文;李林;洪勝寶;何基強(qiáng);李建華
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 信利半導(dǎo)體有限公司
• 主分類號(hào): G02F1/1362
• 分類號(hào): G02F1/1362;G02F1/1343;H01L27/12
• 代理公司: 北京集佳知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11227
• 代理人: 王寶筠

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，更具體地說(shuō)，涉及一種像素結(jié)構(gòu)、陣列基板及顯示器件。

背景技術(shù)

液晶顯示器具有輕薄、低輻射、低電耗等特點(diǎn)，已取代傳統(tǒng)的陰極射線管顯示器成為顯示器市場(chǎng)的主流產(chǎn)品。陣列基板作為液晶顯示器件的組件之一，具有極其重要的意義。

結(jié)合圖1a和1b所示，圖1a為現(xiàn)有的像素結(jié)構(gòu)的結(jié)構(gòu)示意圖；圖1b為圖1a提供的像素結(jié)構(gòu)沿AA’方向的切面圖。其中，像素結(jié)構(gòu)為橫向像素結(jié)構(gòu)，陣列基板包括多個(gè)像素結(jié)構(gòu)100，像素結(jié)構(gòu)100包括薄膜場(chǎng)效應(yīng)晶體管101。

其中，沿像素結(jié)構(gòu)100的AA’的切面上，像素結(jié)構(gòu)100包括透明基板1；在透明基板1的表面上形成有第一導(dǎo)電層，第一導(dǎo)電層包括柵極線2、公共電極3和薄膜場(chǎng)效應(yīng)晶體管101的柵極，柵極線2與薄膜場(chǎng)效應(yīng)晶體管101的柵極相連；覆蓋第一導(dǎo)電層的第一絕緣層4；形成于第一絕緣層4上的第二導(dǎo)電層，第二導(dǎo)電層包括數(shù)據(jù)線5，以及薄膜場(chǎng)效應(yīng)晶體管101的源極和漏極，數(shù)據(jù)線5與薄膜場(chǎng)效應(yīng)晶體管101的源極相連；形成于第二導(dǎo)電層表面的第二絕緣層6；形成于第二絕緣層6表面的第三導(dǎo)電層，第三導(dǎo)電層包括像素電極7，像素電極7與薄膜場(chǎng)效應(yīng)晶體管101的漏極相連，且像素電極7和公共電極3形成存儲(chǔ)電容。現(xiàn)有的像素結(jié)構(gòu)的開口率有待增大。

發(fā)明內(nèi)容

有鑒于此，本發(fā)明提供一種像素結(jié)構(gòu)、陣列基板及顯示器件，其開口率大，顯示效果好。

為實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供如下技術(shù)方案：

一種像素結(jié)構(gòu)，所述像素結(jié)構(gòu)包括：

柵極線、數(shù)據(jù)線、像素電極和公共電極；

所述公共電極形成于所述柵極線所在導(dǎo)電層和所述像素電極所在導(dǎo)電層之間，所述公共電極與所述柵極線和所述像素電極之間均相互隔離，所述公共電極覆蓋所述柵極線，且所述公共電極與所述像素電極具有交疊區(qū)域。

優(yōu)選的，所述公共電極與所述數(shù)據(jù)線由同一導(dǎo)電層制作而成。

優(yōu)選的，所述公共電極的材質(zhì)為鋁、鉬、鉬鋁鉬或鉻。

一種陣列基板，包括：

多個(gè)像素結(jié)構(gòu)，每個(gè)像素結(jié)構(gòu)包括：

柵極線、數(shù)據(jù)線、像素電極和公共電極，

在任意一像素結(jié)構(gòu)中，所述公共電極形成于所述柵極線所在導(dǎo)電層和所述像素電極所在導(dǎo)電層之間，所述公共電極與所述柵極線和所述像素電極之間均相互隔離，所述公共電極覆蓋所述柵極線，且所述公共電極與所述像素電極具有交疊區(qū)域。

優(yōu)選的，沿所述數(shù)據(jù)線延伸方向上，任意一像素結(jié)構(gòu)的像素電極還與與其相鄰的像素結(jié)構(gòu)的公共電極具有交疊區(qū)域。

優(yōu)選的，沿所述數(shù)據(jù)線延伸方向上，相鄰兩個(gè)像素結(jié)構(gòu)的公共電極通過(guò)一導(dǎo)線電性連接。

優(yōu)選的，相鄰兩個(gè)像素結(jié)構(gòu)的公共電極與導(dǎo)線形成U形結(jié)構(gòu)。

優(yōu)選的，在任意一像素結(jié)構(gòu)中，所述像素電極還與位于該像素結(jié)構(gòu)的導(dǎo)線具有交疊區(qū)域。

優(yōu)選的，在任意一像素結(jié)構(gòu)中，所述公共電極與所述數(shù)據(jù)線由同一導(dǎo)電層制作而成。

一種顯示器件，包括上述的陣列基板。

與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明所提供的技術(shù)方案具有以下優(yōu)點(diǎn)：

本發(fā)明所提供的像素結(jié)構(gòu)、陣列基板及顯示器件，其像素結(jié)構(gòu)包括柵極線、數(shù)據(jù)線、像素電極和公共電極；其中，公共電極形成于柵極線所在導(dǎo)電層和像素電極所在導(dǎo)電層之間，公共電極與柵極線和像素電極之間均相互隔離，公共電極覆蓋柵極線，且公共電極與像素電極具有交疊區(qū)域。由于公共電極形成在柵極線上方，相對(duì)于現(xiàn)有的公共電極和柵極線位于同一導(dǎo)電層的情況，不僅可以增大像素結(jié)構(gòu)的開口率；而且公共電極還可以起到一定的遮光作用，減少像素結(jié)構(gòu)邊緣區(qū)域的漏光，提高顯示器件的對(duì)比度、透過(guò)率和顯示穩(wěn)定性，提高了顯示器件的顯示效果。

附圖說(shuō)明

為了更清楚地說(shuō)明本發(fā)明實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對(duì)實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡(jiǎn)單地介紹，顯而易見(jiàn)地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實(shí)施例，對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來(lái)講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。

圖1a為現(xiàn)有的一種像素結(jié)構(gòu)的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖1b為圖1a的像素結(jié)構(gòu)沿AA’方向的切面圖；

圖2a為本申請(qǐng)實(shí)施例提供的一種像素結(jié)構(gòu)的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2b為圖2a所提供的像素結(jié)構(gòu)沿AA’方向的切面圖；

圖3為本申請(qǐng)實(shí)施例提供的沿?cái)?shù)據(jù)線方向的多個(gè)像素結(jié)構(gòu)的結(jié)構(gòu)示意圖。

具體實(shí)施方式