[發明專利]異向性磁阻組件及其制造方法

在審

• 申請號: 201410400630.8
• 申請日: 2014-08-15
• 公開（公告）號: CN105098059A
• 公開（公告）日: 2015-11-25
• 發明（設計）人: 劉富臺;李干銘
• 申請（專利權）人: 宇能電科技股份有限公司
• 主分類號: H01L43/02
• 分類號: H01L43/02;H01L43/08;H01L43/12
• 代理公司: 北京遠大卓悅知識產權代理事務所(普通合伙) 11369
• 代理人: 史霞

1.一種異向性磁阻組件，包括：

基板；

內聯機結構，位于該基板上且包括多個金屬內聯機層；

磁阻材料層，位于該內聯機結構上方，

其中該多個金屬內聯機層中最上層的金屬內聯機層包括一導電性分流結構，此導電性分流結構未經導電性插塞而與該磁阻材料層實體連接。

2.如權利要求1所述的異向性磁阻組件，其中該磁阻材料層的上方已無任何金屬內聯機。

3.如權利要求1所述的異向性磁阻組件，更包括位于該磁阻材料層上的硬屏蔽層及護層。

4.如權利要求1所述的異向性磁阻組件，其中該最上層的金屬內聯機層更包括一焊墊。

5.如權利要求1所述的異向性磁阻組件，更包括一與該最上層的金屬內聯機層不同層的焊墊。

6.如權利要求1所述的異向性磁阻組件，其中該最上層的金屬內聯機層是實質上由銅或鎢或鋁所構成。

7.如權利要求1所述的異向性磁阻組件，其中該多個內聯機結構更包括位于該磁阻層下方的設定/重設定、補償及/或內建自我測試電路。

8.如權利要求7所述的異向性磁阻組件，其中更包括一與該設定/重設定、補償及/或內建自我測試電路同一層的焊墊。

9.如權利要求1所述的異向性磁阻組件，更包括磁阻層上方的重布線層。

10.如權利要求1所述的異向性磁阻組件，該磁阻層是實質上由坡莫合金所構成。

11.如權利要求1所述的異向性磁阻組件，該導電性分流結構與該磁阻層的界面處的高度落差是小于500埃。

12.如權利要求1所述的異向性磁阻組件，該導電性分流結構是嵌于一金屬層間介電層中且該導電性分流結構的上主要表面與該金屬層間介電層的上主要表面之間的段差是小于1000埃。

13.如權利要求1所述的異向性磁阻組件，其中該多個金屬內聯機層包括多個金屬插塞層與多個金屬導線層，該最上層金屬內聯機層為該多個金屬導線層中的一者而非該多個金屬插塞層中的一者。

14.如權利要求1所述的異向性磁阻組件，其中該磁阻層的正下方設有主動組件。

15.一種異向性磁阻組件，包括：

基板；

內聯機結構，位于該基板上且包括多個金屬內聯機層；

磁阻材料層，位于該內聯機結構上方，

其中該多個金屬內聯機層中的最上層金屬內聯機層包括一導電性分流結構，此導電性分流結構與該磁阻材料層實體連接且具有實質相等的上表面與下表面尺寸。

16.一種異向性磁阻組件的制造方法，包括：

提供基板；

于該基板上方形成內聯機結構，該內聯機結構包括多個金屬內聯機層，該多個金屬內聯機層中最上層的金屬內聯機層包括一導電性分流結構；

于該內聯機結構上方形成磁阻層以使該磁阻層未經過導電插塞而實體連接該導電性分流結構。

17.如權利要求16所述的異向性磁阻組件的制造方法，更包括在形成該磁阻層之前對該最上層的金屬內聯機層進行化學機械研磨。

18.如權利要求17所述的異向性磁阻組件的制造方法，更包括在形成該最上層的金屬內聯機層時控制下列的制程參數中的至少一者以使金屬表面的高低落差小于500埃：金屬沉積溫度、化學機械研磨液的氧化劑濃度及化學機械研磨的下壓力。

19.如權利要求17所述的異向性磁阻組件的制造方法，更包括在形成該最上層的金屬內聯機層時控制下列的制程參數中的至少一者以使該金屬層的上表面與其鄰近的介電層的上主要表面之間的段差小于1000埃：金屬沉積溫度、化學機械研磨液的氧化劑濃度及化學機械研磨的下壓力。

20.如權利要求16所述的異向性磁阻組件的制造方法，更包括形成一與該最上層金屬內聯機不同層的金屬焊墊。

21.如權利要求16所述的異向性磁阻組件的制造方法，其中該導電性分流結構是經由金屬鑲嵌制程所形成。

22.如權利要求16所述的異向性磁阻組件的制造方法，其中該導電性分流結構是實質上由銅或鎢所構成。