[發(fā)明專利]一種集成微帶的薄膜環(huán)形器及其制造方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201410400263.1
• 申請日: 2014-08-13
• 公開（公告）號: CN104167584B
• 公開（公告）日: 2017-04-12
• 發(fā)明（設計）人: 鄭鵬;鄭輝;鄭梁;鄧江峽;秦會斌;錢楊偉;趙文靜
• 申請（專利權）人: 杭州電子科技大學
• 主分類號: H01P1/387
• 分類號: H01P1/387;H01P11/00
• 代理公司: 杭州賽科專利代理事務所(普通合伙)33230
• 代理人: 占國霞

1.一種集成微帶的薄膜環(huán)形器，包括以下結構：從底部往頂部依次是微波介質基片(1)、金屬底電極(2)、鐵磁薄膜(3)、微帶環(huán)形器Y結(4)，硬磁(5)，其特征是金屬底電極沉積在微波介質基片與鐵磁薄膜之間。

2.根據(jù)權利要求1所述的一種集成微帶的薄膜環(huán)形器，所述的微波介質基片(1)具體是單晶硅、GaAs、GaN或MgO中的任一種。

3.根據(jù)權利要求1所述的一種集成微帶的薄膜環(huán)形器，所述的金屬底電極(2)的材料采用金(Au)、銀(Ag)或銅(Cu)。

4.根據(jù)權利要求1所述的一種集成微帶的薄膜環(huán)形器，所述鐵磁薄膜(3)的具體材料是單質的金屬強磁性材料鐵(Fe)、鈷(Co)、鎳(Ni)。

5.根據(jù)權利要求1所述的一種集成微帶的薄膜環(huán)形器，所述鐵磁薄膜(3)的具體材料是各種配方的合金永磁材料FeCo、FeNi、FePt、CoPt或SmCo。

6.根據(jù)權利要求1所述的一種集成微帶的薄膜環(huán)形器，所述鐵磁薄膜(3)的具體材料是各種亞鐵磁性鐵氧體材料如釔鐵石榴石型鐵氧體、鎳鋅尖晶石型鐵氧體或六角磁鉛型鐵氧體。

7.一種制備如權利要求1所述的集成微帶薄膜環(huán)形器的方法，其特征在于，所述方法包括以下步驟：

步驟1，利用脈沖激光沉積(PLD)技

術在基片上沉積2微米厚的金膜；沉積條件為：真空度為5×10-4Pa，基片溫度為室溫，時間為1小時

步驟2，利用PLD技術在金膜上沉積50微米厚的鐵磁薄膜；沉積條件為：真空度為1Pa，基片溫度為700℃，時間為40小時.

步驟3，將步驟2得到的鐵磁薄膜在退火爐中750℃下退火3小時；

步驟4，將步驟3得到的樣品繼續(xù)利用PLD技術沉積2微米厚的金膜；沉積條件為：真空度為5×10-4Pa，基片溫度為室溫，時間為1小時

步驟5，將步驟4得到的樣品，利用綠光打標機在其表面刻出微帶環(huán)形器所需要的微帶線路。

步驟6，將步驟5得到的樣品封裝連線，即得到環(huán)形器。