[發明專利]有機發光顯示裝置和制造該裝置的方法有效
| 申請號: | 201410398896.3 | 申請日: | 2014-08-14 |
| 公開(公告)號: | CN104377225B | 公開(公告)日: | 2019-05-17 |
| 發明(設計)人: | 郭鎮浩;姜泰旭;慎大范;韓東垣 | 申請(專利權)人: | 三星顯示有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32;H01L51/56 |
| 代理公司: | 北京德琦知識產權代理有限公司 11018 | 代理人: | 張燕;王珍仙 |
| 地址: | 韓國*** | 國省代碼: | 韓國;KR |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 有機 發光 顯示裝置 制造 裝置 方法 | ||
有機發光顯示裝置包括基板;在基板上限定有源區并且包括彼此電連接的薄膜晶體管和有機發光器件的顯示單元;和布置在顯示單元的頂表面和側表面上的封裝層,封裝層至少包括依次堆疊的第一無機層、第一有機層和第二無機層,并且第一有機層覆蓋第一無機層。本申請還提供了制造上述有機發光顯示裝置的方法。
相關申請
本申請要求于2013年8月14日在韓國知識產權局提交的韓國專利申請第10-2013-0096886號的權益,該申請的公開通過引用整體并入本文。
技術領域
本發明的一個或多個實施方式涉及有機發光顯示裝置和制造該裝置的方法。
背景技術
有機發光顯示裝置是包括有機發光器件的自發光型顯示裝置。有機發光器件包括空穴注入電極、電子注入電極和形成于二者之間的有機發光層。有機發光器件在激子從激發態降至基態時發光,激子是在從空穴注入電極注入的空穴和從電子注入電極注入的電子在有機發光層中鍵合時產生的。
因為有機發光顯示裝置是自發光型顯示裝置,所以其不需要單獨光源。因此,有機發光顯示裝置可在低電壓下驅動,并且可形成為重量輕且薄的。該裝置由于諸如寬視角、高對比度和快響應速度等的高質特征作為下一代顯示裝置已引起關注。然而,有機發光器件由于外部濕氣和/或氧氣等而具有容易劣化的缺點,因此,密封有機發光器件以使有機發光器件免受外部濕氣和/或氧氣等的影響。
近來,為了使有機發光顯示裝置更薄和/或柔軟,包括多個無機層或多個含有機層和無機層的層的薄膜封裝(TFE)已用作用于密封有機發光器件的方式。
由于TFE中的無機層變得較厚,可更有效地防止外部濕氣和/或氧氣等侵入。然而,當無機層的厚度增加時,無機層的膜應力也增加,因此,無機層會剝離。如果有機層剝離,那么外部濕氣和/或氧氣等會侵入到有機發光器件中,從而導致有機發光顯示裝置的壽命減少。
發明內容
本申請提供了具有改善的薄膜封裝(TFE)層的密封力的有機發光顯示裝置和制造所述裝置的方法。
其他方面將在下面的描述中部分闡明,并且在某種程度上將根據描述變得明顯,或者可通過實施所呈現的實施方式來理解。
有機發光顯示裝置包括:基板;在所述基板上限定有源區的顯示單元,所述顯示單元包括彼此電連接的薄膜晶體管和有機發光器件;以及布置在所述顯示單元的頂表面和側表面上的封裝層,所述封裝層至少包括依次堆疊的第一無機層、第一有機層和第二無機層,其中所述第一有機層覆蓋所述第一無機層。
所述封裝層可進一步包括:在所述第二無機層上形成的第二有機層;和在所述第二有機層上形成的第三無機層,其中所述第三無機層可接觸所述有源區外部的所述第二無機層的上表面。
所述第二無機層和所述第三無機層可由相同材料形成。
所述薄膜晶體管可包括有源層、柵電極、源電極、漏電極以及布置在所述柵電極與所述源電極之間和所述柵電極與所述漏電極之間的層間絕緣層,并且所述第二無機層可直接接觸所述有源區外部的層間絕緣層。
所述第二無機層和所述層間絕緣層可由相同材料形成。
所述有機發光器件可包括:連接至所述源電極和所述漏電極中任意一個的像素電極;布置在所述像素電極上并且包括有機發光層的中間層;和布置在所述中間層上的對電極,其中所述第一無機層布置在所述對電極上。
所述有機發光顯示裝置可進一步包括布置在所述對電極與所述第一無機層之間的保護層。
所述保護層可包括:覆蓋所述對電極的封蓋層(capping layer);和所述封蓋層上的阻擋層。
所述第一無機層和所述第二無機層可由彼此不同的材料形成。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





