[發(fā)明專利]半導(dǎo)體器件及其制備方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201410397812.4 | 申請日： | 2014-08-13 |
| 公開（公告）號： | CN104183499A | 公開（公告）日： | 2014-12-03 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 肖勝安 | 申請（專利權(quán)）人： | 武漢新芯集成電路制造有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/336 | 分類號： | H01L21/336;H01L21/768;H01L21/28;H01L29/78 |
| 代理公司： | 上海思微知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅;李時(shí)云 |
| 地址： | 430205 湖北*** | 國省代碼： | 湖北;42 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 半導(dǎo)體器件 及其 制備 方法 | ||
1.一種半導(dǎo)體器件的制備方法，包括：
提供一襯底，所述襯底的一側(cè)形成有一外延層，所述外延層背離所述襯底一側(cè)的表面形成有至少一源極區(qū)，所述源極區(qū)背離所述襯底的一側(cè)形成有源極；
在所述襯底背離所述外延層的一側(cè)形成至少一第一開口，所述第一開口暴露出所述源極區(qū)；以及
在所述第一開口中填充導(dǎo)電材料，形成導(dǎo)電塞。
2.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件的制備方法，其特征在于，所述半導(dǎo)體器件的制備方法還包括：
在所述襯底背離所述外延層的一側(cè)形成第二開口，所述第二開口的特征尺寸大于所述第一開口的特征尺寸，所述第二開口的深度小于所述第一開口的深度，所述第二開口暴露所述第一開口；
在所述第二開口中填充所述導(dǎo)電材料。
3.如權(quán)利要求1或2所述的半導(dǎo)體器件的制備方法，其特征在于，在提供一襯底的步驟和在所述襯底背離所述外延層的一側(cè)形成至少一第一開口的步驟之間，還包括：
對所述襯底背離所述外延層的一側(cè)進(jìn)行減薄。
4.如權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體器件的制備方法，其特征在于，將所述襯底固定在一基板上，對所述襯底背離所述外延層的一側(cè)進(jìn)行減薄。
5.如權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體器件的制備方法，其特征在于，減薄后所述襯底的厚度為0.2μm～20μm。
6.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件的制備方法，其特征在于，在所述第一開口中填充導(dǎo)電材料的步驟包括：
依次在所述襯底背離所述外延層的一側(cè)沉積一阻擋層以及所述導(dǎo)電材料，所述阻擋層和導(dǎo)電材料覆蓋所述第一開口以及所述襯底的表面。
7.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件的制備方法，其特征在于，在所述第一開口中填充導(dǎo)電材料的步驟包括：
在所述襯底背離所述外延層的一側(cè)沉積一阻擋層；
對所述阻擋層進(jìn)行研磨，去除所述外延層表面的所述阻擋層；
在所述襯底背離所述外延層的一側(cè)沉積所述導(dǎo)電材料；
對所述導(dǎo)電材料進(jìn)行研磨，去除所述外延層表面的所述導(dǎo)電材料。
8.如權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體器件的制備方法，其特征在于，所述半導(dǎo)體器件的制備方法還包括：
在所述襯底背離所述外延層的一側(cè)沉積一背面金屬層。
9.如權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體器件的制備方法，其特征在于，所述背面金屬層的材料為金。
10.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件的制備方法，其特征在于，所述導(dǎo)電材料為銅、鎢或鋁中的一種或幾種的組合。
11.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件的制備方法，其特征在于，所述第一開口為溝槽或通孔。
12.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件的制備方法，其特征在于，所述源極區(qū)與源極之間形成有自對準(zhǔn)硅化物，所述第一開口暴露出所述自對準(zhǔn)硅化物。
13.一種半導(dǎo)體器件，包括：
襯底，所述襯底的一側(cè)形成有一外延層，所述外延層背離所述襯底一側(cè)的表面形成有至少一源極區(qū)，所述源極區(qū)背離所述襯底的一側(cè)形成有源極；
第一開口，形成于所述襯底背離所述外延層的一側(cè)，所述第一開口暴露出所述源極區(qū)；以及
導(dǎo)電材料，填充于所述第一開口中，形成導(dǎo)電塞。
14.如權(quán)利要求13所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，所述襯底背離所述外延層的一側(cè)還形成有第二開口，所述第二開口的特征尺寸大于所述第一開口的特征尺寸，所述第二開口的深度小于所述第一開口的深度，所述第二開口暴露所述第一開口，所述第二開口中填充有所述導(dǎo)電材料。
15.如權(quán)利要求13或14所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，所述導(dǎo)電材料覆蓋所述第一開口以及所述襯底的表面。
16.如權(quán)利要求13或14所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，所述導(dǎo)電材料覆蓋所述第一開口，不覆蓋所述襯底的表面。
17.如權(quán)利要求16所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，所述半導(dǎo)體器件還包括一背面金屬層，所述背面金屬層形成于所述襯底背離所述外延層的一側(cè)。
18.如權(quán)利要求17所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，所述背面金屬層的材料為金。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息，商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于武漢新芯集成電路制造有限公司;，未經(jīng)武漢新芯集成電路制造有限公司;許可，擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作，請聯(lián)系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/201410397812.4/1.html，轉(zhuǎn)載請聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
