[發明專利]活體傳感器在審
| 申請號: | 201410392402.0 | 申請日: | 2012-06-29 |
| 公開(公告)號: | CN104157665A | 公開(公告)日: | 2014-11-19 |
| 發明(設計)人: | 秋山政彥 | 申請(專利權)人: | 株式會社東芝 |
| 主分類號: | H01L27/28 | 分類號: | H01L27/28;H01L27/32 |
| 代理公司: | 上海專利商標事務所有限公司 31100 | 代理人: | 侯穎媖 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 日本;JP |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 活體 傳感器 | ||
1.一種用于獲取活體中信息的活體傳感器,包括:
發光元件,該發光元件分別形成在基板上的多個像素區域的一些中;
光接收元件,該光接收元件分別形成在所述多個像素區域的一些剩余的像素中;
用于驅動所述發光元件的發光元件有源矩陣層,該發光元件有源矩陣層形成在所述基板上并包括薄膜晶體管和互連;以及
用于驅動所述光接收元件的光接收元件有源矩陣層,該光接收元件有源矩陣層形成在所述基板上并包括薄膜晶體管和互連,
所述活體傳感器被配置為
在第一時刻驅動所述發光元件中的一些發光元件,用來自所驅動的發光元件的光照射活體的內部并通過所驅動的發光元件周圍的所述光接收元件來接收從所述活體的內部反射的光,以及
在與所述第一時刻不同的第二時刻驅動所述已驅動發光元件以外的其它發光元件,用來自該其它發光元件的光照射所述活體的內部并通過所述其它發光元件周圍的所述光接收元件來接收從所述活體的內部反射的光。
2.如權利要求1所述的傳感器,其特征在于,所述基板是柔性基板。
3.如權利要求1所述的傳感器,其特征在于,
所述發光元件有源矩陣層包括控制晶體管和驅動晶體管,并且通過所述驅動晶體管在所述發光元件上操作從而即便在當所述控制晶體管處于截止態的時間段也發光。
4.如權利要求1所述的傳感器,其特征在于,所述傳感器還包括驅動晶體管、控制晶體管、發光元件信號線、發光元件掃描線和供電線,其中
所述控制晶體管的源極連接于所述發光元件信號線,所述控制晶體管的漏極連接于所述驅動晶體管的柵極,所述控制晶體管的柵極連接于所述發光元件掃描線,所述驅動晶體管的源極連接于所述供電線,且所述驅動晶體管的漏極連接于所述發光元件的陽極。
5.如權利要求1所述的傳感器,其特征在于,所述基板是透明的,并且所述發光元件向所述基板的一側發射光,且所述光接收元件從所述基板的所述一側接收光。
6.如權利要求1所述的傳感器,其特征在于,所述光接收元件包括傳感器光接收元件和監控光接收元件,所述傳感器光接收元件接收從所述發光元件發射并從所述活體的內部反射的光,所述監控光接收元件直接測量從所述發光元件發射的一些所述光而不使所述光出現在所述基板的外部。
7.一種用于獲取活體信息的活體傳感器,包括:
包括不透明互連層的基板;
形成在所述基板上的絕緣膜,該絕緣膜包括多個在基板中平面方向上分開的開孔;
在所述多個開孔中的一些中分別形成的發光元件,每一個發光元件包含由半導體材料形成的發光層和上電極層;
在所述多個開孔的剩余開孔的一些中分別形成的光接收元件,每一個光接收元件包含由半導體材料形成的光接收層和上電極層;
用于驅動所述發光元件的發光元件有源矩陣層,該發光元件有源矩陣層形成在所述基板上并包括薄膜晶體管和互連;以及
用于驅動所述光接收元件的光接收元件有源矩陣層,該光接收元件有源矩陣層形成在所述基板上并包括薄膜晶體管和互連,
所述活體傳感器被配置為
在第一時刻驅動所述發光元件中的一些發光元件,用來自所驅動的發光元件的光照射活體的內部并通過所驅動的發光元件周圍的所述光接收元件來接收從所述活體的內部反射的光;以及
在與所述第一時刻不同的第二時刻驅動所述已驅動發光元件以外的其它發光元件,用來自該其它發光元件的光照射所述活體的內部并通過所述其它發光元件周圍的所述光接收元件來接收從所述活體的內部反射的光。
8.如權利要求7所述的傳感器,其特征在于,所述發光元件的所述半導體材料與所述光接收元件的所述半導體材料不同,所述發光元件的所述上電極層和所述光接收元件的所述上電極層形成了共用電極,且每一個互連層形成于由所述開孔指定的區域外部的區域上并位于與所述絕緣膜的所述開孔分開的位置,其分開的距離是對應于所述絕緣膜的厚度的兩倍或者更多。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于株式會社東芝,未經株式會社東芝許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201410392402.0/1.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





