[發明專利]混合鍵合工藝中的半導體散熱結構和方法

在審

• 申請號: 201410391293.0
• 申請日: 2014-08-08
• 公開（公告）號: CN104201157A
• 公開（公告）日: 2014-12-10
• 發明（設計）人: 梅紹寧;程衛華;朱繼鋒;陳俊
• 申請（專利權）人: 武漢新芯集成電路制造有限公司
• 主分類號: H01L23/367
• 分類號: H01L23/367;H01L23/58
• 代理公司: 上海申新律師事務所 31272
• 代理人: 吳俊

1.一種混合鍵合工藝中的半導體散熱方法，其特征在于，所述方法包括：

提供兩片需要進行混合鍵合工藝的晶圓，每個所述晶圓中均設置有若干金屬器件結構層；

在至少一個所述晶圓中設置有一散熱層，所述散熱層設置于至少一層所述金屬器件結構層上方的空閑區域中，且該散熱層與位于其下方的相鄰的一層所述金屬器件結構層連通；

其中，每個所述散熱層的材質均為熱的良導體。

2.如權利要求1所述的混合鍵合工藝中的半導體散熱方法，其特征在于，所述散熱層的材質為金屬。

3.如權利要求1所述的混合鍵合工藝中的半導體散熱方法，其特征在于，所述散熱層通過若干通孔與其下方相鄰的金屬器件結構層連通。

4.如權利要求3所述的混合鍵合工藝中的半導體散熱方法，其特征在于，所述若干通孔在同一平面內均勻分布。

5.如權利要求4所述的混合鍵合工藝中的半導體散熱方法，其特征在于，所述散熱層由若干在同一平面內平行分布的金屬線構成，每相鄰兩根所述金屬線在各自的兩端進行連接。

6.如權利要求5所述的混合鍵合工藝中的半導體散熱方法，其特征在于，每根所述金屬線的寬度均相等。

7.如權利要求1所述的混合鍵合工藝中的半導體散熱方法，其特征在于，所述散熱層設置于兩片所述晶圓的鍵合界面處。

8.如權利要求2所述的混合鍵合工藝中的半導體散熱方法，其特征在于，所述金屬包括鋁、鐵、銅、鎢、鉭、鈦、金、銀中的任意一種或多種的組合。

9.一種混合鍵合工藝中的半導體散熱結構，其特征在于，所述結構包括：

設置于兩片待鍵合晶圓上的若干金屬器件結構層；以及

至少一散熱層，每個所述散熱層設置于某一所述金屬器件結構層的上方的空閑區域中，且每個所述散熱層通過若干通孔與其下方相鄰的金屬器件結構層連接；

其中，每個所述散熱層的材質均為熱的良導體。

10.如權利要求9所述的混合鍵合工藝中的半導體散熱結構，其特征在于，所述散熱層的材質為金屬。

11.如權利要求10所述的混合鍵合工藝中的半導體散熱結構，其特征在于，所述金屬包括鋁、鐵、銅中的任意一種或多種的組合。

12.如權利要求11所述的混合鍵合工藝中的半導體散熱結構，其特征在于，所述通孔中填充有與所述散熱層材質相同的金屬。

13.如權利要求12所述的混合鍵合工藝中的半導體散熱結構，其特征在于，所述散熱層由若干在同一平面內平行分布的金屬線構成，每相鄰兩個所述金屬線在兩端進行連接。

14.如權利要求13所述的混合鍵合工藝中的半導體散熱結構，其特征在于，每根所述金屬線的寬度均相等。