[發明專利]采用全自動化、一步法合成99mTc標記表皮生長因子受體酪氨酸激酶抑制劑單光子示蹤劑的方法

有效

• 申請號: 201410386984.1
• 申請日: 2014-08-07
• 公開（公告）號: CN104262401A
• 公開（公告）日: 2015-01-07
• 發明（設計）人: 申寶忠
• 申請（專利權）人: 哈爾濱醫科大學
• 主分類號: C07F13/00
• 分類號: C07F13/00;A61K51/04;A61K103/10
• 代理公司: 北京科龍寰宇知識產權代理有限責任公司 11139
• 代理人: 孫皓晨;馬鑫

1.采用全自動化一步法合成^99mTc標記的表皮生長因子受體酪氨酸激酶抑制劑(EGFR-TKI)單光子示蹤劑的(^99mTc-EGFR-TKI)方法，其特征在于，按如下步驟依次進行：

1)在含有前體的試劑瓶中加入氯化亞錫(SnCl2)或三磺化三苯基膦(TPPTS)，然后再加入乙二胺-N，N′-二乙酸(EDDA)，其中，所述的前體的結構如式I所示；

2)將含有放射性的Na^99mTcO₄溶液直接加入到步驟1)的試劑瓶中，通入惰性氣體保護，80-100℃加熱5-20min；

3)降低溫度后，用生理鹽水或緩沖液稀釋后，用無菌濾膜過濾；

4)分裝后使用。

2.根據權利要求1所述的方法，其特征在于步驟1)中在含有10μl?3mg/ml的前體的試劑瓶中加入10μl?0.2mg/ml的氯化亞錫(SnCl₂)或三磺化三苯基膦(TPPTS)以及0.5ml?1mg/ml的乙二胺-N，N′-二乙酸(EDDA)；步驟2)中將0.5ml，10μCi的Na^99mTcO₄溶液直接加入到步驟1)的試劑瓶中。

3.根據權利要求1所述的方法，其特征在于：步驟1)中在含有前體試劑瓶中加入氯化亞錫或TPPTS，然后再加入EDDA后在惰性氣體的保護下進行加熱以提高標記率。

4.根據權利要求1或3所述的方法，其特征在于所述的惰性氣體為氮氣。

5.根據權利要求1或3所述的方法，其特征在于：所述的加熱為水浴加熱、微波加熱或電熱爐加熱，優選微波加熱。

6.根據權利要求1所述的方法，其特征在于：步驟1)中還包括在含有前體的試劑瓶中加入N-三羥甲基甘氨酸(Tricine)。

7.根據權利要求1所述的方法，其特征在于：步驟3)中所述的緩沖液為磷酸緩沖液、琥珀酸緩沖液。

8.一種^99mTc標記表皮生長因子受體酪氨酸激酶抑制劑(EGFR-TKI)單光子示蹤劑(^99mTc-EGFR-TKI)，其特征在于具有式II所示的結構：

9.權利要求8所述的^99mTc標記表皮生長因子受體酪氨酸激酶抑制劑(EGFR-TKI)單光子示蹤劑在制備檢測表皮生長因子受體表達水平試劑中的應用。

10.權利要求8所述的^99mTc標記表皮生長因子受體酪氨酸激酶抑制劑(EGFR-TKI)單光子示蹤劑在制備篩選小分子表皮生長因子受體抑制劑試劑中的應用。