[發(fā)明專利]光學(xué)耦合器件及制造光學(xué)耦合器件的方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201410386498.X | 申請日： | 2014-08-07 |
| 公開（公告）號： | CN104347750A | 公開（公告）日： | 2015-02-11 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 松田克己 | 申請（專利權(quán)）人： | 瑞薩電子株式會社 |
| 主分類號： | H01L31/12 | 分類號： | H01L31/12;H01L31/0203;H01L31/18 |
| 代理公司： | 中原信達知識產(chǎn)權(quán)代理有限責任公司 11219 | 代理人： | 魯山;孫志湧 |
| 地址： | 日本神*** | 國省代碼： | 日本;JP |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 光學(xué) 耦合 器件 制造 方法 | ||
1.一種光學(xué)耦合器件，包括：
發(fā)光元件；
光接收元件，所述光接收元件面對所述發(fā)光元件；
絕緣構(gòu)件，所述絕緣構(gòu)件設(shè)置在所述發(fā)光元件和所述光接收元件之間，所述絕緣構(gòu)件透射由所述發(fā)光元件出射的光；
第一密封樹脂，所述第一密封樹脂密封所述發(fā)光元件和所述絕緣構(gòu)件之間的空間；以及
第二密封樹脂，所述第二密封樹脂密封所述光接收元件和所述絕緣構(gòu)件之間的空間，
其中，所述第一密封樹脂包括多個第一顆粒，所述第一顆粒具有比所述第一密封樹脂的折射率高的折射率，
隨著所述顆粒從所述發(fā)光元件接近所述絕緣構(gòu)件，所述第一密封樹脂中的所述第一顆粒的含量比分階段地或連續(xù)地改變，并且
在離所述發(fā)光元件達10μm的范圍中在所述第一密封樹脂中的所述第一顆粒的含量比高于在離所述絕緣構(gòu)件達10μm的范圍中在所述第一密封樹脂中的所述第一顆粒的含量比。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光學(xué)耦合器件，其中，隨著所述顆粒從所述發(fā)光元件接近所述絕緣構(gòu)件，所述第一密封樹脂中的所述第一顆粒的含量比以3個或更多階段改變。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光學(xué)耦合器件，其中，所述第一密封樹脂是硅樹脂，并且
所述第一顆粒是氧化鋯、二氧化鉿、砷化鎵和磷化鎵的至少一種。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光學(xué)耦合器件，其中，所述絕緣構(gòu)件是絕緣膜。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光學(xué)耦合器件，其中，所述絕緣構(gòu)件是絕緣樹脂層。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光學(xué)耦合器件，其中，所述第二密封樹脂包括多個第二顆粒，所述第二顆粒具有比所述第二密封樹脂的折射率高的折射率，
隨著所述顆粒從所述光接收元件接近所述絕緣構(gòu)件，所述第二密封樹脂中的所述第二顆粒的含量比分階段地或連續(xù)地改變，并且
在離所述光接收元件達10μm的范圍中在所述第二密封樹脂中的所述第二顆粒的含量比高于在離所述絕緣構(gòu)件達10μm的范圍中在所述第二密封樹脂中的所述第二顆粒的含量比。
7.一種光學(xué)耦合器件，包括：
發(fā)光元件；
光接收元件，所述光接收元件面對所述發(fā)光元件；
絕緣構(gòu)件，所述絕緣構(gòu)件設(shè)置在所述發(fā)光元件和所述光接收元件之間，所述絕緣構(gòu)件透射由所述發(fā)光元件出射的光；
第一密封樹脂，所述第一密封樹脂密封所述發(fā)光元件和所述絕緣構(gòu)件之間的空間；以及
第二密封樹脂，所述第二密封樹脂密封所述光接收元件和所述絕緣構(gòu)件之間的空間，
其中，所述絕緣構(gòu)件包括：
第一層，所述第一層具有比所述第一密封樹脂和所述第二密封樹脂的折射率低的折射率，以及
第二層，所述第二層形成在所述第一層中的面對所述第一密封樹脂的第一表面上，并且所述第二層的折射率位于所述第一密封樹脂和所述第一層的折射率之間。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的光學(xué)耦合器件，其中，所述第二層的折射率從所述第一密封樹脂層側(cè)上的表面朝所述第一層側(cè)上的表面分階段地或連續(xù)地減小。
9.一種制造光學(xué)耦合器件的方法，包括：
利用第一密封樹脂密封發(fā)光元件；
利用第二密封樹脂密封光接收元件；以及
通過透射由所述發(fā)光元件出射的光的絕緣構(gòu)件，接合所述第一密封樹脂和所述第二密封樹脂，
其中，所述第一密封樹脂包括多個第一顆粒，所述第一顆粒具有比所述第一密封樹脂的折射率高的折射率，并且
利用所述第一密封樹脂密封所述發(fā)光元件的步驟包括：
在所述發(fā)光元件上設(shè)置包括所述多個第一顆粒并且未固化的第一密封樹脂，
通過使重力或離心力作用在位于所述發(fā)光元件上的所述第一密封樹脂上，使所述第一顆粒的分布在所述第一密封樹脂中偏向所述發(fā)光元件側(cè)，以及
固化所述第一密封樹脂。
10.一種制造光學(xué)耦合器件的方法，包括：
利用第一密封樹脂密封發(fā)光元件；
利用第二密封樹脂密封光接收元件；以及
通過透射由所述發(fā)光元件出射的光的絕緣構(gòu)件，接合所述第一密封樹脂和所述第二密封樹脂，
其中，所述第一密封樹脂包括多個第一顆粒，所述第一顆粒具有比所述第一密封樹脂的折射率高的折射率，并且
在利用所述第一密封樹脂密封所述發(fā)光元件的步驟中，重復(fù)地執(zhí)行將包括所述多個第一顆粒并且未固化的所述第一密封樹脂設(shè)置在所述發(fā)光元件上的步驟，同時降低所述第一密封樹脂中的所述多個第一顆粒的含量比。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息，商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于瑞薩電子株式會社，未經(jīng)瑞薩電子株式會社許可，擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作，請聯(lián)系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/201410386498.X/1.html，轉(zhuǎn)載請聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射，或微粒輻射敏感的，并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的，或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導(dǎo)體器件；專門適用于制造或處理這些半導(dǎo)體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導(dǎo)體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉(zhuǎn)換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的，例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內(nèi)或其上形成的，一個或多個電光源，如場致發(fā)光光源在結(jié)構(gòu)上相連的，并與其電光源在電氣上或光學(xué)上相耦合的
