[發明專利]形成光電器件薄膜的真空設備

有效

• 申請號: 201410380040.3
• 申請日: 2014-08-04
• 公開（公告）號: CN104164657A
• 公開（公告）日: 2014-11-26
• 發明（設計）人: 范四立;李龍根;舒雨鋒;張良超;劉志偉
• 申請（專利權）人: 東莞職業技術學院
• 主分類號: C23C16/24
• 分類號: C23C16/24;C23C16/452
• 代理公司: 北京信慧永光知識產權代理有限責任公司 11290
• 代理人: 周詳

1.一種形成光電器件薄膜的真空設備，包括多個真空腔體，其特征在于：至少有2個所述的真空腔體內設置有陰極和陽極，所述陰極和所述陽極平行相對設置，所述陰極、所述陽極之間連接有高頻電源，所述陰極上設置有復數個用于輸送成膜氣體的送氣孔和2個以上的排氣孔，每個所述送氣孔內設置有送氣管，所述送氣管與設置在所述陰極背面的送氣筒相連通，所述送氣筒用于輸送稀釋氣體，所述送氣筒內設置有用于對稀釋氣體進行加熱的熱觸媒。

2.如權利要求1所述的形成光電器件薄膜的真空設備，其特征在于：所述陽極和所述陰極在所述真空腔體內豎立相對設置，基板放置在所述陽極的正反兩面附近。

3.如權利要求1所述的形成光電器件薄膜的真空設備，其特征在于：所述送氣孔的供氣口到所述基板的距離小于所述排氣孔的排氣口到所述基板的距離。

4.如權利要求1所述的形成光電器件薄膜的真空設備，其特征在于：所述熱觸媒的溫度在300℃～2000℃之間。

5.如權利要求1所述的形成光電器件薄膜的真空設備，其特征在于：復數個所述的送氣孔均勻地設置在所述陰極上，兩個相鄰的送氣孔之間的距離不大于8mm。

6.如權利要求1所述的形成光電器件薄膜的真空設備，其特征在于：所述送氣孔的氣體總流量大于所述排氣孔的氣體總流量。

7.如權利要求4所述的形成光電器件薄膜的真空設備，其特征在于：所述熱觸媒的溫度在500℃～1900℃之間。

8.如權利要求5所述的形成光電器件薄膜的真空設備，其特征在于：兩個相鄰的所述送氣孔之間的距離不大于6mm。

9.如權利要求1至8任意一項所述的形成光電器件薄膜的真空設備，其特征在于：所述陰極固定安裝在所述真空腔體內，所述陽極固定在小車上，所述小車與所述真空腔體之間設置有直線導軌。

10.如權利要求1至8任意一項所述的形成光電器件薄膜的真空設備，其特征在于：所述的形成光電器件薄膜的真空設備還包括一真空搬運腔，所述真空搬運腔內設置有搬運機械手，所述真空腔體與所述真空搬運腔相連接。