[發(fā)明專利]一種外加磁場輔助激光制備透明導(dǎo)電薄膜的方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201410378095.0
• 申請日: 2014-08-01
• 公開（公告）號: CN104152861A
• 公開（公告）日: 2014-11-19
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 黃立靜;任乃飛;李保家;周明
• 申請（專利權(quán)）人: 江蘇大學(xué)
• 主分類號: C23C14/58
• 分類號: C23C14/58;C23C14/35
• 代理公司: 無
• 代理人: 無

1.一種外加磁場輔助激光制備透明導(dǎo)電薄膜的方法，其特征在于，包括下列步驟：

(1)制備M/TCO透明導(dǎo)電薄膜：以TCO玻璃為基板，經(jīng)超聲清洗、烘干后，采用高真空直流磁控濺射儀濺射金屬M(fèi)層，其中濺射電流為100～150mA，濺射時間為10～40秒，濺射氣體為氬氣，工作壓強(qiáng)為0.035MPa，獲得M/TCO透明導(dǎo)電薄膜；

(2)外加磁場輔助激光誘導(dǎo)M/TCO透明導(dǎo)電薄膜：將M/TCO透明導(dǎo)電薄膜放置在磁場中，利用超短脈沖激光器，以脈沖寬度小于20ns、波長在300～1000nm、激光能量密度為0.50～1.60J/cm²、掃描速度為5～30mm/s，對M/TCO透明導(dǎo)電薄膜表面進(jìn)行激光輻照處理，得到透明導(dǎo)電薄膜。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制備透明導(dǎo)電薄膜的方法，其特征在于，步驟(1)中所述金屬M(fèi)為Fe、Co、Ni及其合金。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制備透明導(dǎo)電薄膜的方法，其特征在于，步驟(1)中所述TCO為氧化鋅(ZnO)、氧化銦(In₂O₃)、氧化錫(SnO₂)、摻鋁氧化鋅(AZO)、摻錫氧化銦(ITO)、摻氟氧化錫(FTO)中的一種。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制備透明導(dǎo)電薄膜的方法，其特征在于，步驟(2)中所述磁場由位于樣品臺兩側(cè)或下部的永磁鐵產(chǎn)生。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制備透明導(dǎo)電薄膜的方法，其特征在于，步驟(2)中所述激光輻照處理時，激光束作單向逐線掃描，相鄰兩條掃描線的重疊率控制在40～70％。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制備透明導(dǎo)電薄膜的方法，其特征在于，步驟(2)中所述M/TCO透明導(dǎo)電薄膜的表面位于所述激光器發(fā)出的激光束的焦點(diǎn)前、焦點(diǎn)或焦點(diǎn)后位置。