[發明專利]電子束感應蝕刻

有效

• 申請號: 201410376713.8
• 申請日: 2014-06-09
• 公開（公告）號: CN104241067B
• 公開（公告）日: 2019-02-19
• 發明（設計）人: A·馬丁;M·托思
• 申請（專利權）人: FEI公司
• 主分類號: H01J37/30
• 分類號: H01J37/30;H01J37/305
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司 72001
• 代理人: 張濤;陳嵐

1.一種帶電粒子束蝕刻的方法，包括：

將襯底的表面冷卻到包括NF₃的前體氣體的沸點之上100?C以內；

將被冷卻的表面暴露于所述前體氣體；以及

在存在所述前體氣體的情況下利用帶電粒子束照射被冷卻的表面，所述前體氣體在存在所述帶電粒子束的情況下進行反應以從被冷卻的表面移除材料。

2.根據權利要求1所述的方法，其中襯底包括硼、碳、硅、鍺、砷、磷、錫、銻、硒或硫。

3.根據權利要求1或2所述的方法，其中將被冷卻的表面暴露于所述前體氣體包括將被冷卻的表面暴露于NF₃和抑制氧化物生長的氣體的混合物。

4.根據權利要求1或2所述的方法，其中將被冷卻的表面暴露于所述前體氣體包括將被冷卻的表面暴露于NF₃和碳蝕刻氣體的混合物。

5.根據權利要求1或2所述的方法，其中將被冷卻的表面暴露于所述前體氣體包括將被冷卻的表面暴露于NF₃和促進氧化物生長的氣體的混合物。

6.根據權利要求1或2所述的方法，其中將被冷卻的表面暴露于所述前體氣體包括將被冷卻的表面暴露于NF₃和NH₃的混合物。

7.根據權利要求1或2所述的方法，其中將被冷卻的表面暴露于所述前體氣體包括將被冷卻的表面暴露于NF₃和N₂O的混合物。

8.一種帶電粒子束蝕刻的方法，包括：

將襯底的表面冷卻到選擇自由氧氣，一氧化二氮，氫氣，氨氣，氯氣或氯化氫組成的化合物的組的前體氣體的沸點之上50℃以內；

將被冷卻的表面暴露于所述前體氣體；以及

在存在所述前體氣體的情況下利用帶電粒子束照射被冷卻的表面，所述前體氣體在存在所述帶電粒子束的情況下進行反應以從被冷卻的表面移除材料。

9.根據權利要求8所述的方法，其中將襯底的表面冷卻到所述前體氣體的沸點之上50℃以內包括將襯底的表面冷卻到所述前體氣體的沸點之上20℃以內。

10.根據權利要求8所述的方法，其中將襯底的表面冷卻到所述前體氣體的沸點之上50℃以內包括將襯底的表面冷卻到低于負100℃。

11.根據權利要求8所述的方法，其中將襯底的表面冷卻到所述前體氣體的沸點之上50℃以內包括將襯底的表面冷卻到所述前體氣體的開爾文標度的沸點的15%之內。

12.根據權利要求8到11中任一個所述的方法，其中所述前體氣體包括具有分子的化合物，所述具有分子的化合物將吸附到被冷卻的表面并在存在所述帶電粒子束的情況下離解，由此形成與被冷卻的表面反應以形成從被冷卻的表面脫附的反應產物的反應碎片。

13.根據權利要求8到11中任一個所述的方法，其中襯底包括硼、碳、硅、鍺、砷、磷、錫、銻、硒或硫。

14.一種帶電粒子束蝕刻的方法，包括：

選擇前體氣體以用于對從由硅、金剛石、硼摻雜的金剛石、鍺、碳化硅、氮化硅、硅鍺合金、氮化硼、磷化硼以及砷化硼組成的組中選擇的襯底進行束感應蝕刻；

將襯底的表面維持在所述前體氣體的沸點之上100℃內的溫度處；

將表面暴露于所述前體氣體，所述前體氣體選擇自沸點低于表面的溫度的的化合物的組；

在存在所述前體氣體的情況下利用帶電粒子束照射表面，所述前體氣體在存在所述帶電粒子束的情況下進行反應以從表面移除材料。

15.根據權利要求14所述的方法，其中所述前體氣體包括NF₃。