[發明專利]壓電體薄膜元件、其制造方法、以及使用了該壓電體薄膜元件的電子設備在審
| 申請號： | 201410374523.2 | 申請日： | 2014-07-31 |
| 公開（公告）號： | CN104425703A | 公開（公告）日： | 2015-03-18 |
| 發明（設計）人： | 末永和史;柴田憲治;渡邊和俊;堀切文正;野口將希 | 申請（專利權）人： | 日立金屬株式會社 |
| 主分類號： | H01L41/22 | 分類號： | H01L41/22;H01L41/08;H01L41/09;H01L41/18 |
| 代理公司： | 北京銀龍知識產權代理有限公司 11243 | 代理人： | 鐘晶;於毓楨 |
| 地址： | 日本*** | 國省代碼： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 壓電 薄膜 元件 制造 方法 以及 使用 電子設備 | ||
1.一種鈮酸堿金屬系壓電體薄膜元件的制造方法，其為壓電體薄膜元件的制造方法，其特征在于，具有如下工序：
在基板上形成下部電極膜的下部電極膜形成工序；
在所述下部電極膜上形成由鈮酸堿金屬系壓電體構成的壓電體薄膜的壓電體薄膜形成工序，其中所述鈮酸堿金屬系壓電體的組成式為：(NaxKyLiz)NbO3，0≤x≤1、0≤y≤1、0≤z≤0.2、x+y+z＝1；
在所述壓電體薄膜上按照成為所希望的圖案的方式形成蝕刻掩模的蝕刻掩模圖案形成工序；以及
對所述壓電體薄膜進行干式蝕刻從而對該壓電體薄膜進行所希望圖案的微細加工的壓電體薄膜蝕刻工序，
所述蝕刻掩模中，至少與所述壓電體薄膜相接的層由氧化物構成。
2.根據權利要求1所述的鈮酸堿金屬系壓電體薄膜元件的制造方法，其特征在于，所述氧化物是氧化硅。
3.根據權利要求1或2所述的鈮酸堿金屬系壓電體薄膜元件的制造方法，其特征在于，所述蝕刻掩模中，由所述氧化物構成的層以及由與該氧化物不同種類的氧化物構成的層形成了層疊結構。
4.根據權利要求3所述的鈮酸堿金屬系壓電體薄膜元件的制造方法，其特征在于，所述不同種類的氧化物是氧化鋁。
5.根據權利要求1或2所述的鈮酸堿金屬系壓電體薄膜元件的制造方法，其特征在于，所述蝕刻掩模中，由所述氧化物構成的層以及由金屬構成的層形成了層疊結構。
6.根據權利要求5所述的鈮酸堿金屬系壓電體薄膜元件的制造方法，其特征在于，所述金屬是鉻。
7.根據權利要求1～6中任一項所述的鈮酸堿金屬系壓電體薄膜元件的制造方法，其特征在于，所述干式蝕刻是反應性離子蝕刻。
8.根據權利要求1～7中任一項所述的鈮酸堿金屬系壓電體薄膜元件的制造方法，其特征在于，所述下部電極膜包含鉑。
9.根據權利要求1～8中任一項所述的鈮酸堿金屬系壓電體薄膜元件的制造方法，其特征在于，所述壓電體薄膜的晶系是準立方晶，所述壓電體薄膜按照主表面優先取向于(001)面的方式利用濺射法而形成。
10.根據權利要求1～9中任一項所述的鈮酸堿金屬系壓電體薄膜元件的制造方法，其特征在于，所述基板是在其表面具有熱氧化膜的硅基板。
11.根據權利要求1～10中任一項所述的鈮酸堿金屬系壓電體薄膜元件的制造方法，其特征在于，進一步具有如下工序：
在已微細加工為所希望圖案的所述壓電體薄膜上形成上部電極膜的上部電極膜形成工序、以及
從具備形成有所述上部電極膜的所述壓電體薄膜的所述基板切出芯片狀的壓電體薄膜元件的切割工序。
12.一種鈮酸堿金屬系壓電體薄膜元件，其特征在于，其為通過權利要求1～11中任一項所述的鈮酸堿金屬系壓電體薄膜元件的制造方法制造的鈮酸堿金屬系壓電體薄膜元件，
所述壓電體薄膜蝕刻工序后的所述鈮酸堿金屬系壓電體薄膜的介質損耗角正切特性是所述壓電體薄膜蝕刻工序前的所述鈮酸堿金屬系壓電體薄膜的介質損耗角正切特性的1.2倍以內，
并且所述壓電體薄膜蝕刻工序后的所述鈮酸堿金屬系壓電體薄膜的漏電流密度特性是所述壓電體薄膜蝕刻工序前的所述鈮酸堿金屬系壓電體薄膜的漏電流密度特性的10倍以內。
13.一種電子設備，其特征在于，使用了權利要求12所述的鈮酸堿金屬系壓電體薄膜元件。
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