[發明專利]硅基MEMS麥克風及其制作方法

有效

• 申請號: 201410374326.0
• 申請日: 2014-07-31
• 公開（公告）號: CN104105041B
• 公開（公告）日: 2019-01-04
• 發明（設計）人: 蔡孟錦
• 申請（專利權）人: 歌爾股份有限公司
• 主分類號: H04R19/04
• 分類號: H04R19/04;H04R31/00
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 王寶筠

1.一種硅基MEMS麥克風，其特征在于，包括：

硅基底，所述硅基底中具有貫穿所述硅基底的背孔；

固定于所述硅基底上方的振膜，所述振膜完全覆蓋所述背孔；

固定于所述振膜背離所述硅基底一側的穿孔背板，所述穿孔背板具有多個穿孔，且與所述振膜之間具有空氣間隙；

至少一個固定于所述背孔側壁上的限位平臺，所述限位平臺位于所述背孔的側壁上，與所述振膜之間具有預留間隔，且所述限位平臺沿所述背孔側壁至背孔中心方向上的長度小于所述背孔側壁至所述背孔中心的距離。

2.根據權利要求1所述的硅基MEMS麥克風，其特征在于，所述硅基MEMS麥克風包括多個限位平臺。

3.根據權利要求2所述的硅基MEMS麥克風，其特征在于，所述多個限位平臺在所述背孔的側壁上均勻分布。

4.根據權利要求3所述的硅基MEMS麥克風，其特征在于，所述硅基MEMS麥克風包括四個限位平臺。

5.根據權利要求1所述的硅基MEMS麥克風，其特征在于，所述振膜與所述硅基底之間具有絕緣層，所述絕緣層位于所述硅基底表面。

6.根據權利要求5所述的硅基MEMS麥克風，其特征在于，還包括：位于所述絕緣層與所述振膜之間的介質層，所述介質層沿所述振膜至所述硅基底方向上的厚度與所述預留間隔沿所述振膜至所述硅基底方向上的厚度相同。

7.一種硅基MEMS麥克風的制作方法，其特征在于，包括：

在硅基底上形成振膜，所述振膜完全覆蓋所述硅基底；

在所述振膜背離所述硅基底一側形成穿孔背板，所述穿孔背板與所述振膜之間具有空氣間隙；

對所述硅基底進行刻蝕，在所述硅基底中形成背孔和限位平臺，所述限位平臺位于所述背孔的側壁上，與所述振膜之間具有預留間隔，且所述限位平臺沿所述背孔側壁至背孔中心方向上的長度小于所述背孔側壁至所述背孔中心的距離。

8.根據權利要求7所述的制作方法，其特征在于，在所述振膜上形成穿孔背板，所述穿孔背板與所述振膜之間具有空氣間隙包括：

在所述振膜表面形成隔離層；

對所述隔離層進行刻蝕，形成第一通孔，所述第一通孔在所述振膜至所述硅基底方向上的投影覆蓋所述背孔在所述振膜至所述硅基底方向上的投影；

在所述隔離層表面形成背板層；

對所述背板層進行刻蝕，在所述背板層中形成多個貫穿所述背板層的穿孔，形成穿孔背板，所述穿孔背板與所述振膜之間具有空氣間隙；

其中，所述空氣間隙沿所述穿孔背板至所述振膜方向上的高度為所述隔離層沿所述穿孔背板至所述振膜方向上的厚度。

9.根據權利要求7所述的制作方法，其特征在于，在硅基底上形成振膜之前包括：在所述硅基底上形成絕緣層；

對所述硅基底進行刻蝕之后包括：

對所述絕緣層進行刻蝕，在所述絕緣層中形成第二通孔，所述第二通孔在所述穿孔背板至所述振膜方向上的投影與所述背孔在所述穿孔背板至所述振膜方向上的投影重合。

10.根據權利要求9所述的制作方法，其特征在于，該方法還包括：

在所述絕緣層和所述振膜之間形成介質層，所述介質層沿所述振膜至所述硅基底方向上的厚度與所述預留間隔沿所述振膜至所述硅基底方向上的厚度相同。