[發明專利]一種用于形成嵌入式鍺硅的方法

在審

• 申請號: 201410373426.1
• 申請日: 2014-07-31
• 公開（公告）號: CN105321881A
• 公開（公告）日: 2016-02-10
• 發明（設計）人: 鮑宇;李潤領;周海鋒;譚俊
• 申請（專利權）人: 上海華力微電子有限公司
• 主分類號: H01L21/8238
• 分類號: H01L21/8238
• 代理公司: 上海專利商標事務所有限公司 31100
• 代理人: 張東梅

1.一種半導體器件的制造方法，包括：

在襯底上形成刻蝕停止層；

在所述刻蝕停止層上形成第一半導體層；

形成隔離結構；

在所述第一半導體層上形成柵極和側墻；

選擇性去除所述第一半導體層，僅保留所述第一半導體層在所述柵極和側墻下方的部分，以形成源區和漏區凹槽；

對所述第一半導體層的剩余部分進行具有晶向選擇性的濕法刻蝕，以在所述第一半導體層的側壁上形成Σ形狀。

2.如權利要求1所述的方法，其特征在于，所述襯底選自以下材料中的任一種：單晶硅、經摻雜的單晶硅、多晶或多層結構、絕緣體上的半導體、Ge、GaAs或InP。

3.如權利要求1所述的方法，其特征在于，所述刻蝕停止層是SiGe。

4.如權利要求1所述的方法，其特征在于，所述刻蝕停止層是碳化硅。

5.如權利要求1所述的方法，其特征在于，所述刻蝕停止層的厚度在5埃至9埃的范圍內。

6.如權利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一半導體層是通過外延生長形成的外延硅層；所述外延硅層的厚度不小于100埃。

7.如權利要求6所述的方法，其特征在于，所述外延硅層的厚度在300埃至800埃的范圍內。

8.如權利要求6所述的方法，其特征在于，所述外延硅層的頂面由晶面族{100}構成，且側壁由晶面族{110}構成，所述具有晶向選擇性的濕法刻蝕停止在晶面族{111}。

9.如權利要求1所述的方法，其特征在于，還包括在晶向選擇性的濕法刻蝕之后，在Σ形狀的源區和漏區凹槽中形成SiGe。

10.如權利要求1所述的方法，其特征在于，還包括在所述刻蝕停止層和所述襯底之間形成緩沖區。

11.如權利要求1所述的方法，其特征在于，所述選擇性去除所述第一半導體層包括以下步驟中的至少一步：

沉積掩膜層；

選擇性去除源區和漏區上的掩膜層；

利用掩膜層，通過干法刻蝕，對所述第一半導體層進行刻蝕，直至在所述刻蝕停止層為止。

12.一種半導體器件，包括通過權利要求1至11中的任一項所述的方法制造的結構。