[發(fā)明專利]電機(jī)控制器及用于其的IGBT的過溫保護(hù)方法、裝置有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201410371492.5 | 申請(qǐng)日: | 2014-07-30 |
| 公開(公告)號(hào): | CN105329105B | 公開(公告)日: | 2018-01-23 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 楊廣明;喻軼龍;李輝 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 比亞迪股份有限公司 |
| 主分類號(hào): | B60L3/00 | 分類號(hào): | B60L3/00;B60L15/20 |
| 代理公司: | 北京清亦華知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙)11201 | 代理人: | 張大威 |
| 地址: | 518118 廣東省*** | 國(guó)省代碼: | 廣東;44 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 電機(jī) 控制器 用于 igbt 保護(hù) 方法 裝置 | ||
1.一種用于電機(jī)控制器的IGBT的過溫保護(hù)方法,其特征在于,包括以下步驟:
檢測(cè)所述電機(jī)控制器的當(dāng)前輸出電流信號(hào)和輸入到所述電機(jī)控制器的當(dāng)前整車輸入信號(hào);
根據(jù)所述當(dāng)前輸出電流信號(hào)和預(yù)先建立的IGBT溫升模型計(jì)算當(dāng)前時(shí)刻的IGBT晶圓的溫升,并根據(jù)所述當(dāng)前時(shí)刻的IGBT晶圓的溫升計(jì)算所述當(dāng)前時(shí)刻的IGBT晶圓的溫度;
根據(jù)所述當(dāng)前輸出電流信號(hào)和輸入到所述電機(jī)控制器的當(dāng)前整車輸入信號(hào)計(jì)算下一時(shí)刻的所述電機(jī)控制器的輸出電流信號(hào),并根據(jù)所述下一時(shí)刻的所述電機(jī)控制器的輸出電流信號(hào)和所述IGBT溫升模型計(jì)算所述下一時(shí)刻的IGBT晶圓的溫升;
根據(jù)所述下一時(shí)刻的IGBT晶圓的溫升和所述當(dāng)前時(shí)刻的IGBT晶圓的溫度計(jì)算所述下一時(shí)刻的IGBT晶圓的溫度;
當(dāng)所述下一時(shí)刻的IGBT晶圓的溫度大于預(yù)設(shè)溫度時(shí),輸出過溫保護(hù)信號(hào)以使IGBT過溫保護(hù)電路進(jìn)行工作。
2.如權(quán)利要求1所述的IGBT的過溫保護(hù)方法,其特征在于,輸入到所述電機(jī)控制器的當(dāng)前整車輸入信號(hào)包括油門踏板信號(hào)、制動(dòng)踏板信號(hào)和電機(jī)轉(zhuǎn)速信號(hào)。
3.如權(quán)利要求1所述的IGBT的過溫保護(hù)方法,其特征在于,在計(jì)算所述當(dāng)前時(shí)刻的IGBT晶圓的溫度之前,還包括:
檢測(cè)IGBT散熱器的溫度,以通過將所述IGBT散熱器的溫度與所述當(dāng)前時(shí)刻的IGBT晶圓的溫升疊加計(jì)算所述當(dāng)前時(shí)刻的IGBT晶圓的溫度。
4.如權(quán)利要求1-3中任一項(xiàng)所述的IGBT的過溫保護(hù)方法,其特征在于,所述IGBT溫升模型根據(jù)以下公式進(jìn)行表達(dá):
ΔT=f(I)=Rj·[(r0·I2+u0·I)+(Eon+Eoff)·f+EonD·f]
其中,ΔT為所述IGBT晶圓的溫升,Rj為所述IGBT的總熱阻,r0為所述IGBT的總內(nèi)阻,u0為所述IGBT的工作電壓,I為所述電機(jī)控制器的輸出電流,Eon、Eoff分別為所述IGBT的開通損耗、關(guān)斷損耗,f為開關(guān)損耗系數(shù),EonD為所述IGBT的內(nèi)部二極管的開通損耗。
5.一種用于電機(jī)控制器的IGBT的過溫保護(hù)裝置,包括:電流檢測(cè)模塊、IGBT過溫保護(hù)電路,所述電流檢測(cè)模塊用于檢測(cè)所述電機(jī)控制器的當(dāng)前輸出電流信號(hào),其特征在于,所述裝置還包括:
采集模塊,所述采集模塊用于采集輸入到所述電機(jī)控制器的當(dāng)前整車輸入信號(hào);
控制芯片,所述控制芯片根據(jù)所述當(dāng)前輸出電流信號(hào)和預(yù)先建立的IGBT溫升模型計(jì)算當(dāng)前時(shí)刻的IGBT晶圓的溫升,并根據(jù)所述當(dāng)前時(shí)刻的IGBT晶圓的溫升計(jì)算所述當(dāng)前時(shí)刻的IGBT晶圓的溫度,同時(shí)所述控制芯片根據(jù)所述當(dāng)前輸出電流信號(hào)和輸入到所述電機(jī)控制器的當(dāng)前整車輸入信號(hào)計(jì)算下一時(shí)刻的所述電機(jī)控制器的輸出電流信號(hào),并根據(jù)所述下一時(shí)刻的所述電機(jī)控制器的輸出電流信號(hào)和所述IGBT溫升模型計(jì)算所述下一時(shí)刻的IGBT晶圓的溫升,以及所述控制芯片根據(jù)所述下一時(shí)刻的IGBT晶圓的溫升和所述當(dāng)前時(shí)刻的IGBT晶圓的溫度計(jì)算所述下一時(shí)刻的IGBT晶圓的溫度,并在所述下一時(shí)刻的IGBT晶圓的溫度大于預(yù)設(shè)溫度時(shí),所述控制芯片輸出過溫保護(hù)信號(hào)至所述IGBT過溫保護(hù)電路,以使所述IGBT過溫保護(hù)電路進(jìn)行工作。
6.如權(quán)利要求5所述的IGBT的過溫保護(hù)裝置,其特征在于,輸入到所述電機(jī)控制器的當(dāng)前整車輸入信號(hào)包括油門踏板信號(hào)、制動(dòng)踏板信號(hào)和電機(jī)轉(zhuǎn)速信號(hào)。
7.如權(quán)利要求5所述的IGBT的過溫保護(hù)裝置,其特征在于,還包括:
溫度檢測(cè)模塊,所述溫度檢測(cè)模塊用于檢測(cè)IGBT散熱器的溫度,其中,所述控制芯片通過將所述IGBT散熱器的溫度與所述當(dāng)前時(shí)刻的IGBT晶圓的溫升進(jìn)行疊加以計(jì)算所述當(dāng)前時(shí)刻的IGBT晶圓的溫度。
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