[發(fā)明專利]負(fù)電壓測量器件及方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201410368133.4 | 申請日: | 2014-07-30 |
| 公開(公告)號: | CN104422809B | 公開(公告)日: | 2018-08-10 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | J·M·皮古特 | 申請(專利權(quán))人: | 恩智浦美國有限公司 |
| 主分類號: | G01R19/00 | 分類號: | G01R19/00 |
| 代理公司: | 中國國際貿(mào)易促進(jìn)委員會專利商標(biāo)事務(wù)所 11038 | 代理人: | 秦晨 |
| 地址: | 美國得*** | 國省代碼: | 美國;US |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 電壓 測量 | ||
1.一種使用包括第一晶體管和第二晶體管的器件測量負(fù)電壓的方法,所述第一晶體管耦合于所述第二晶體管并且所述負(fù)電壓被提供給所述第二晶體管的柵極,所述方法包括:
將所述第一晶體管的源極的電壓設(shè)置為第一電源電壓;
當(dāng)所述第一晶體管的所述源極的所述電壓被設(shè)置為所述第一電源電壓并且通過所述第一晶體管的電流等于通過所述第二晶體管的電流時,將所述第一晶體管的第一源極-漏極電壓與所述第二晶體管的第二源極-漏極電壓進(jìn)行比較;以及
當(dāng)所述第一晶體管的所述源極的所述電壓被設(shè)置為所述第一電源電壓并且所述第一晶體管的所述第一源極-漏極電壓等于所述第二晶體管的所述第二源極-漏極電壓并且通過所述第一晶體管的所述電流等于通過所述第二晶體管的所述電流時,通過確定所述器件的節(jié)點(diǎn)的電壓來確定所述負(fù)電壓的值。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其中確定所述器件的所述節(jié)點(diǎn)的所述電壓:包括測量所述第一晶體管的漏極的電壓。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其中確定所述器件的所述節(jié)點(diǎn)的所述電壓包括:測量所述第二晶體管的源極的電壓。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的方法,其中確定所述器件的所述節(jié)點(diǎn)的所述電壓包括:從所述第一電源電壓減去所述第二晶體管的所述源極的所述電壓。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其中所述第一晶體管的柵極耦合于接地電壓端子。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,包括,當(dāng)所述第一晶體管的所述源極的所述電壓被設(shè)置為所述第一電源電壓并且所述第一晶體管的所述第一源極-漏極電壓不等于所述第二晶體管的所述第二源極-漏極電壓時:
將所述第一晶體管的所述源極的所述電壓設(shè)置為第二電源電壓;以及
當(dāng)所述第一晶體管的所述源極的所述電壓被設(shè)置為所述第二電源電壓時,將所述第一晶體管的第一源極-漏極電壓與所述第二晶體管的第二源極-漏極電壓進(jìn)行比較。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法,包括經(jīng)過一定范圍的電壓值掃描所述第一晶體管的所述源極的所述電壓。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其中當(dāng)所述第一晶體管的所述第一源極-漏極電壓和所述第二晶體管的所述第二源極-漏極電壓之間的差值在預(yù)定閾值內(nèi)時,所述第一晶體管的所述第一源極-漏極電壓等于所述第二晶體管的所述第二源極-漏極電壓。
9.一種使用包括第一晶體管和第二晶體管的器件測量負(fù)電壓的方法,所述第一晶體管耦合于所述第二晶體管并且所述負(fù)電壓被提供給所述第二晶體管的柵極,所述方法包括:
向所述器件的輸入端提供多個電壓;
對于所述多個電壓中的每個電壓,確定跨所述第一晶體管的第一電壓是否等于跨所述第二晶體管的第二電壓;以及
當(dāng)跨所述第一晶體管的所述第一電壓等于跨所述第二晶體管的所述第二電壓時,通過確定所述器件的正電壓的大小來確定所述負(fù)電壓。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法,其中所述第一晶體管的柵極耦合于接地電壓端子。
11.根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法,其中所述輸入端被連接到所述第一晶體管的源極。
12.一種器件,包括:
第一晶體管,所述第一晶體管包括:
被連接到接地電壓端子的柵極,
被配置以連接到可變電壓源的源極,以及
被連接到電阻的第一端子的漏極;
第二晶體管,所述第二晶體管包括:
被配置以連接到負(fù)電壓的柵極,
被連接到所述電阻的第二端子的源極,以及
被連接到所述接地電壓端子的漏極;以及
其中,當(dāng)所述接地電壓端子被連接到接地電壓并且所述第一晶體管的第一源極-漏極電壓等于所述第二晶體管的第二源極-漏極電壓時,所述第一晶體管的所述漏極的電壓的大小等于所述負(fù)電壓的大小。
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