[發明專利]脈沖電化學拋光工藝中優化工藝配方的方法

有效

• 申請號: 201410365997.0
• 申請日: 2014-07-29
• 公開（公告）號: CN105316756B
• 公開（公告）日: 2019-04-05
• 發明（設計）人: 金一諾;王堅;王暉
• 申請（專利權）人: 盛美半導體設備(上海)有限公司
• 主分類號: C25F3/30
• 分類號: C25F3/30
• 代理公司: 上海專利商標事務所有限公司 31100
• 代理人: 張振軍

1.一種脈沖電化學拋光工藝中優化工藝配方的方法，其特征在于，通過相對運動速度和電流占空比來調節、控制晶圓的去除率，步驟包括：

步驟1：獲取晶圓厚度前值的分布信息，并導入一個原有的工藝配方；

步驟2：計算并生成不同晶圓半徑處相對運動速度的對應關系，該對應關系已被修正；

步驟3：計算并生成晶圓上任一點處電流占空比分布的對應關系，該對應關系已被修正；

步驟4：生成一個新的工藝配方替換所述原有的工藝配方，所述新的工藝配方中包含已被修正的相對運動速度的對應關系以及已被修正的電流占空比分布的對應關系；

所述相對運動速度是拋光液噴頭相對于晶圓的水平方向的相對運動速度，所述電流占空比是拋光液噴頭中控制電流的電流占空比。

2.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述晶圓厚度前值的分布信息、所述新的工藝配方以及所述相對運動速度的對應關系和電流占空比分布的對應關系進一步地由圖或圖表的形式體現。

3.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述步驟1進一步包括：

根據測量、計算或二者相結合的處理方式得出晶圓全局厚度分布表T1，該晶圓全局厚度分布表T1給出了晶圓上任意坐標位置處所對應的晶圓厚度值；以及

根據所述晶圓全局厚度分布表T1，計算晶圓的徑向平均厚度，并生成徑向平均厚度分布表T2；

其中，圓心為晶圓的中心O，徑向平均厚度＝同一半徑的圓上所對應點的厚度總和/同一半徑的圓上所對應點的總數。

4.根據權利要求3所述的方法，其特征在于，所述步驟1進一步包括：導入所述原有的工藝配方的標準相對運動速度表T3，并導入在該標準相對運動速度表T3的條件下產生的標準去除率表T4。

5.根據權利要求4所述的方法，其特征在于，所述步驟2進一步包括：

根據所述徑向平均厚度分布表T2、標準相對運動速度表T3以及標準去除率表T4，計算并修正徑向上任一點處的相對運動速度，并生成修正后的相對運動速度表t1；

其中，修正后徑向上任一點處的相對運動速度＝原該點標準相對運動速度*(原該點去除率/該點在所述徑向平均厚度分布表T2中對應的厚度值)。

6.根據權利要求5所述的方法，其特征在于，所述步驟1中進一步包括：導入電流占空比和去除率修正系數關系表T5，該電流占空比和去除率修正系數關系表T5內至少包含有一個標準占空比，且對應于特定的標準占空比存在一修正系數標準值。

7.根據權利要求6所述的方法，其特征在于，所述步驟3中進一步包括：

根據所述晶圓全局厚度分布表T1和徑向平均厚度分布表T2，計算得到晶圓全局任一半徑的圓上各點對應的均值修正系數，并生成不同半徑的圓上各點對應的均值修正系數分布表T6；以及

根據所述電流占空比和去除率修正系數關系表T5、不同半徑的圓上各點對應的均值修正系數分布表T6，計算晶圓上各個坐標位置所在點對應的實際占空比，并生成全局占空比分布表t2；

其中，圓心為晶圓的中心O，晶圓上任一點的實際修正系數＝該點的厚度/該點所在圓的半徑，晶圓上任一點的實際占空比＝標準占空比*實際修正系數/修正系數標準值。

8.根據權利要求7所述的方法，其特征在于，所述全局占空比分布表t2中：

如果計算得到某點的實際占空比的值大于1，該值將被取作1；

如果計算得到某點的實際占空比的值小于0，該值將被取作0。

9.根據權利要求8所述的方法，其特征在于，所述步驟4中進一步包括：所述新的工藝配方中包含所述相對運動速度表t1和全局占空比分布表t2，且表t1和表t2已被修正。