[發(fā)明專利]交流?直流轉(zhuǎn)換器中的輸出電壓動態(tài)采樣電路有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201410364898.0 | 申請日： | 2014-07-29 |
| 公開（公告）號： | CN104143928B | 公開（公告）日： | 2017-09-12 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 郭越勇;趙汗青;劉柳勝;程寶洪 | 申請（專利權(quán)）人： | 美芯晟科技（北京）有限公司 |
| 主分類號： | H02M7/04 | 分類號： | H02M7/04;H02M3/335;G01R19/00 |
| 代理公司： | 北京億騰知識產(chǎn)權(quán)代理事務所11309 | 代理人： | 陳霽 |
| 地址： | 100086 北京市海淀區(qū)*** | 國省代碼： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 交流 直流 轉(zhuǎn)換器 中的 輸出 電壓 動態(tài) 采樣 電路 | ||
1.一種交流-直流轉(zhuǎn)換器中的輸出電壓動態(tài)采樣電路，其特征在于，所述電路包括：
振蕩器，所述振蕩器包括第三比較器、反相器、第一D觸發(fā)器、第二D觸發(fā)器、第一三輸入與門和第二三輸入與門，所述第三比較器用于將反饋電壓波形和參考電壓進行比較，以及根據(jù)所述反饋電壓波形和參考電壓的比較結(jié)果由所述第一三輸入與門和第二三輸入與門產(chǎn)生第一脈沖振蕩信號和第二脈沖振蕩信號；
第一采樣保持單元，與所述振蕩器相連接，用于接收所述第一脈沖振蕩信號，當所述第一脈沖振蕩信號為高電平時采樣所述輸出電壓信號，得到第一采樣電壓信號；
第二采樣保持單元，與所述振蕩器相連接，用于接收所述第二脈沖振蕩信號，當所述第二脈沖振蕩信號為高電平時采樣所述輸出電壓信號，得到第二采樣電壓信號；
線或單元，分別與所述第一采樣保持單元和第二采樣保持單元相連接，用于接收所述第一采樣電壓信號和所述第二采樣電壓信號并輸出第三采樣電壓信號；
第三采樣保持單元，與所述線或單元相連接，用于接收并對所述第三采樣電壓信號進行采樣得到第四采樣電壓信號；
所述振蕩器包括第一電流源、第二電流源、第一開關(guān)、第二開關(guān)、電容、第一比較器、第二比較器、第三比較器、RS觸發(fā)器、反相器、第一D觸發(fā)器、第二D觸發(fā)器、第一三輸入與門和第二三輸入與門；
所述第一電流源與所述第一開關(guān)相連并分別接入所述第一比較器的正向輸入端和所述第二比較器的正向輸入端，所述電容連接于所述第一開關(guān)和所述第一比較器的正向輸入端之間，所述第一比較器的負向輸入端接入第一比較閾值，所述第一比較器的輸出端與所述RS觸發(fā)器的R端相連接，所述第二比較器的負向輸入端接入第二比較閾值，所述第二比較器的輸出端與所述RS觸發(fā)器的S端相連接，所述RS觸發(fā)器的輸出端與所述第一D觸發(fā)器相連接，所述RS觸發(fā)器的輸出端經(jīng)由所述反相器后與所述第二D觸發(fā)器相連接，所述第一D觸發(fā)器的輸出端、所述RS觸發(fā)器的輸出端和所述第三比較器的輸出端分別與所述第一三輸入與門相連接，所述第二D觸發(fā)器的輸出端、所述RS觸發(fā)器的輸出端和所述第三比較器的輸出端分別與所述第二三輸入與門相連接；
當所述第一開關(guān)閉合、所述第二開關(guān)斷開，所述第一電流源對所述電容進行充電，所述電容兩端的電壓上升到所述第一比較閾值時，所述第一比較器輸出高電平使得所述RS觸發(fā)器的輸出端被置為低電平，從而控制所述第一開關(guān)斷開、所述第二開關(guān)閉合，所述第二電流源為所述電容放電，所述電容兩端的電壓下降到所述第二比較閾值時所述第二比較器輸出高電平使得所述RS觸發(fā)器的輸出端被重置為高電平，從而控制所述第一開關(guān)閉合、所述第二開關(guān)斷開。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的交流-直流轉(zhuǎn)換器中的輸出電壓動態(tài)采樣電路，其特征在于，所述線或單元包括第一運算放大器、第二運算放大器、第一NMOS管、第二NMOS管、第三電流源、第四電流源和電源；
所述第一運算放大器的正向輸入端接入所述第一采樣電壓信號，所述第一運算放大器的負向輸入端與所述第一NMOS管的源極相接經(jīng)由所述第三電流源接地，所述第二運算放大器的正向輸入端接入所述第二采樣電壓信號，所述第二運算放大器的負向輸入端與所述第二NMOS管的源極相接經(jīng)由所述第四電流源接地，所述第一NMOS管的漏極和所述第二NMOS管的漏極分別接電源，所述第一NMOS管的源極和所述第二NMOS管的源極相接并作為所述線或單元的輸出端，從而輸出所述第三采樣電壓信號；
當所述第一采樣電壓信號大于所述第二采樣電壓信號時，所述第一NMOS管的柵極電壓大于所述第二NMOS管的柵極電壓，所述第一NMOS管的源極同時驅(qū)動所述第三電流源和所述第四電流源使得所述第一NMOS管導通第二NMOS管截止，使得所述第三采樣電壓信號等于所述第一采樣電壓信號；
當所述第一采樣電壓信號小于所述第二采樣電壓信號時，所述第一NMOS管的柵極電壓小于所述第二NMOS管的柵極電壓，所述第一NMOS管的源極同時驅(qū)動所述第三電流源和所述第四電流源使得所述第一NMOS管截止第二NMOS管導通，使得所述第三采樣電壓信號等于所述第二采樣電壓信號。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的交流-直流轉(zhuǎn)換器中的輸出電壓動態(tài)采樣電路，其特征在于，所述第一脈沖振蕩信號的相位和所述第二脈沖振蕩信號的相位相差半個周期。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的交流-直流轉(zhuǎn)換器中的輸出電壓動態(tài)采樣電路，其特征在于，所述第一比較閾值大于所述第二比較閾值。
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H02M7-42 .不可逆的直流功率輸入變換為交流功率輸出的
H02M7-66 .帶有可逆變的
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